3D集成是實現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應(yīng)。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)的不同級別（從封裝級到晶體管級）引入。因此，多年來已經(jīng)開發(fā)出多種
2024-02-22 09:42:29
1883 
銅引線鍵合由于在價格、電導率和熱導率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長將增大接觸電阻和降低鍵合強度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:091139 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:24561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:00686 
客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預計不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:00518 電子發(fā)燒友綜合報道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一，混合鍵合在近期受到很多關(guān)注，相關(guān)設(shè)備廠商尤其是國產(chǎn)設(shè)備廠商的市場前景巨大。那么混合鍵合是什么？ ? 混合鍵合是一種結(jié)合介電層鍵合和金
2025-06-03 09:02:181615 求大神賜個全面的3D PCB封裝庫（PCB封裝附帶3D模型）?。?！~
2015-08-06 19:08:43
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時間和實現(xiàn)了復雜的饋源/波導等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)淼牧硗夂锰幨谴蠓葴p輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
`2D工程圖紙，難以高效轉(zhuǎn)化成3D模型數(shù)據(jù)？多CAD格式混合設(shè)計，難以進行標準化？大量舊版本圖紙堆積，難以實現(xiàn)數(shù)據(jù)重用？浩辰3D制圖軟件不僅具備支持主流3D原生和通用文件的導入，對數(shù)據(jù)進行直接編輯
2021-02-24 17:22:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】：或許，有一天醫(yī)療設(shè)備公司能使用3D打印機迅速地打印出從定制植入設(shè)備到微針尖陣列微量藥物輸送執(zhí)行器等一系列的產(chǎn)品。但據(jù)專家分析，這項技術(shù)還未
2012-12-08 00:07:55
S800的愛司凱科技股份有限公司，就走在了行業(yè)前列。多年來，愛司凱科技股份有限公司致力于開發(fā)用于工業(yè)級生產(chǎn)的大型3D打印機，采用3DP的方式將工業(yè)生產(chǎn)中制摸工藝及效率大大提升，生產(chǎn)周期從幾個月縮短到
2018-08-11 11:25:58
3D打印將精準的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復性和工匠的設(shè)計自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對當下3D打印技術(shù)帶來便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實》一書?；⑿釙^續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
good，
3d封裝，感謝樓主無償奉獻?。?/div>
2015-06-22 10:35:56
不同于以往的立體聲、環(huán)繞聲概念，所謂3D全息聲音技術(shù)，就是通過音箱排列而成的陣列來對聲音進行還原，重現(xiàn)最自然、最真實的聲場環(huán)境。舉個最簡單的例子：在3D電影里，常常會出現(xiàn)物體從銀幕飛到觀眾眼前的鏡頭
2013-04-16 10:39:41
`新用AD軟件，需要用到一個散熱器的3D封裝，聽別人提起過AD14版本的可以制作簡單的.step文件，試了一下在PCB文件中放置3D原件對話框是可以生成3D模型的，但問題是這個模型我文件另存為后再導入到封裝庫中沒法使用?。ㄗ鴺藷o法調(diào)整），各位大神有沒有好的辦法麻煩指點一下。`
2017-12-10 00:10:33
`AD16的3D封裝庫問題以前采用封裝庫向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒有改變，怎么生成的3D庫就沒有管腳了呢？請問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
如題，軟件版本為AD16，問題1：PCB文件是原畫好出過生產(chǎn)文件的，現(xiàn)在需要改版，修改原有鋪銅時很慢，會出現(xiàn)圖中對話框。重新鋪銅就不會出現(xiàn)這種情況。問題2：同一文件導出3D文件和CAD文件都比原來
2022-04-30 12:17:45
模擬這些進程，如何有效且迅速完成實物和模型之間的模擬，不但是現(xiàn)代工業(yè)面臨的問題，也是所有行業(yè)亟待解決問題?！ 澳M”在工業(yè)中的運用 現(xiàn)階段，我們使用的模擬技術(shù)主要是3D建模技術(shù)。因為在現(xiàn)代工業(yè)制造中
2017-03-17 10:21:34
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁蚉CB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
，上下左右移動鼠標，則3D顯示的板子會根據(jù)鼠標的移動沿著相應(yīng)的方向旋轉(zhuǎn)；按下快捷鍵“2”，則從3D顯示狀態(tài)恢復到2D顯示狀態(tài)。按下快捷鍵“L”可以打開如下圖所示的PCB3D顯示設(shè)置對話框，可以根據(jù)板子
2019-07-05 08:00:00
。使用軟焊可以消除應(yīng)力，卻要以熱疲勞和低強度為代價，而硬焊具有高強度卻無法消除應(yīng)力。瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)要求使用一個擴散勢壘，以防止Si3N4襯底上的銅金屬化層與用來鍵合SiC芯片的Au層之間的互擴散
2018-09-11 16:12:04
想請教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫的
2018-05-09 08:33:17
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應(yīng)用在哪個場景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
`求解如圖，我在AD16導入step文件后，在封裝庫能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時候封裝會遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
材料沉積和去除轉(zhuǎn)移，所使用的材料種類也大幅增加。另一方面，設(shè)備結(jié)構(gòu)和制程技術(shù)也實現(xiàn)了大幅創(chuàng)新，從氮氧化硅(SiON)到28/32nm高K值金屬柵極(HKMG)，再到16/14nm 3D FinFET
2014-07-12 17:17:04
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導入的時候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個都顯示不了， 是不是弄錯了， 手動畫3D 又能顯示方塊模型 導入的時候就一點效果都沒有像沒有導入3D模型一樣， 求大師指點。
2016-07-12 22:48:20
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義：將芯片凸點電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
。另外，格芯還表示，因為當前的12納米工藝成熟穩(wěn)定，因此目前在3D空間上開發(fā)芯片更加容易，而不必擔心新一代 7 納米工藝所可能帶來的問題。從數(shù)據(jù)來看，據(jù)相關(guān)資料顯示，與傳統(tǒng)封裝相比，使用3D技術(shù)可縮短
2020-03-19 14:04:57
請問怎么將AD中的3D封裝庫轉(zhuǎn)換為2D的封裝庫
2019-06-05 00:35:07
放置鋪銅的快捷鍵是什么？
2019-08-22 01:32:23
三維（3D）掃描是一種功能強大的工具，可以獲取各種用于計量設(shè)備、檢測設(shè)備、探測設(shè)備和3D成像設(shè)備的體積數(shù)據(jù)。當設(shè)計人員需要進行毫米到微米分辨率的快速高精度掃描時，經(jīng)常選擇基于TI DLP?技術(shù)的結(jié)構(gòu)光系統(tǒng)。
2019-08-06 08:09:48
無癢銅桿。鍍錫銅絞線（TJRX）采用電鍍錫工藝，具有耐腐蝕、耐熱及焊著性佳、避免氧化等。銅絞線采用高速籠絞機退扭絞合，絞合過程中采用工藝，絞合后的成品硬銅絞線圓整
2022-03-22 20:53:51
SuperViewW系列光學3d輪廓儀是一款用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量的檢測儀器?？蓽y各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀
2022-04-19 17:53:02
中圖儀器3d輪廓儀品牌可測從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，以及各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，提供依據(jù)ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計
2022-05-11 14:34:54
中圖儀器W系列3D表面輪廓光學檢測儀器基于白光干涉技術(shù)原理，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，能對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量，可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體
2023-09-27 11:37:06
SuperViewW1白光干涉技術(shù)3D測量輪廓儀是以白光干涉技術(shù)為原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸?？蓽y各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別
2024-05-16 14:36:05
中圖儀器SuperViewW微納米超精密3D光學形貌輪廓儀是一款用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量的檢測儀器?？蓮V泛應(yīng)用于半導體制造及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、微
2024-08-05 16:04:54
高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW廣東3d光學非接觸式輪廓儀可廣泛應(yīng)用于半導體制造及封裝工藝檢測
2024-09-05 10:33:43
中圖儀器SuperViewW納米級白光3d表面輪廓檢測儀用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量。它在半導體制造及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、微納材料及制造、汽車零部件
2024-10-21 14:25:00
對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52
152 3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫
2016-03-21 17:16:570 實銅和網(wǎng)銅的區(qū)別。
2016-05-20 11:47:380 本通知的目的是宣布汽車“xa”spartan?-3/-3e/-3a/-3a DSP和spartan?6 FPGA產(chǎn)品從金（Au）線過渡到銅（Cu）線的所有線鍵合封裝類型。此更改不會影響包的適合性、形式、功能或MSL等級。
2019-02-14 16:19:004 應(yīng)用，新的TSV技術(shù)將于2019年上市，即來自英特爾（Intel）的Foveros（基于“有源”TSV中介層和3D SoC技術(shù)，具有混合鍵合和TSV互連（可能）技術(shù)）。Foveros的出現(xiàn)表明，雖然“TSV”受到了來自“無TSV”技術(shù)的挑戰(zhàn)，但廠商仍然對它很有信心。
2019-02-15 10:42:197236 
EV集團將在SEMICON CHINA展出用于3D-IC封裝的突破性晶圓鍵合技術(shù) 較之上一代對準系統(tǒng)，GEMINI FB XT 熔融鍵合機上的全新 SmartView NT3 對準系統(tǒng)可提升2-3
2019-03-05 14:21:362376 新的BONDSCALE系統(tǒng)大大提升了晶圓鍵合的生產(chǎn)率;解決了IRDS路線圖中描述的晶體管邏輯電路擴展和3D集成的問題 奧地利,圣弗洛里安,2019年3月12日面向MEMS、納米技術(shù)和半導體市場的晶圓
2019-03-12 14:24:452381 從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機會。本文概述了當前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器
2020-01-16 09:53:001231 據(jù)外媒報道，近日智利一家公司利用銅離子的殺菌特性生產(chǎn)出了一款銅口罩，抗菌性能比一般口罩更好。
2020-04-16 22:26:534118 美國的復合材料和金屬3D打印機品牌Markforged發(fā)布了純銅3D打印耗材，將適配Metal X 金屬3D打印機。
2020-04-28 15:35:393153 波蘭華沙大學的研究人員利用激光直接書寫（DLW）3D打印技術(shù)設(shè)計出了微米大小的鏡片。這種3D打印的透鏡可以在各種材料上制作，包括易碎的石墨烯類材料。
2020-05-18 23:36:594233 有別于傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，TSMC-SoIC是以關(guān)鍵的銅到銅接合結(jié)構(gòu)，搭配直通矽晶穿孔（TSV）以實現(xiàn)最先進的3D IC技術(shù)。目前臺積電已完成TSMC-SoIC制程認證，開發(fā)出微米級接合間距（bonding pitch）制程
2020-09-02 14:16:322116 代工廠、設(shè)備供應(yīng)商、研發(fā)機構(gòu)等都在研發(fā)一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）工藝，這項技術(shù)正在推動下一代2.5D和3D封裝技術(shù)。
2020-10-10 15:24:327598 
周南嘉團隊將3D多材料打印技術(shù)引入芯片級高端制造領(lǐng)域，利用3D打印技術(shù)進行三維高精度光電封裝、制造高頻無源器件，例如可將天線尺寸縮小到十微米至百微米級別。
2020-11-18 15:18:042908 近日，西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“紫光國芯”）在第63屆國際電子器件大會（IEDM 2020）上公開發(fā)表了技術(shù)論文——《采用3D混合鍵合技術(shù)具有34GB/s/1Gb帶寬和0.88pJ/b能
2021-01-26 16:00:146819 
2021年2月27日，南極熊獲悉，工業(yè)3D打印機制造商Digital Metal宣布推出一種新的純銅粉末DM Cu，用于粘合劑噴射3D打印技術(shù)。 DM P2500 3D打印機的用戶現(xiàn)在可以在車
2021-03-01 10:10:252613 音圈模組3D打印幫助孩子重塑面容。3D打印技術(shù)與醫(yī)學的額配合是越來越多了，近日，山東大學醫(yī)院口腔科成功為一5歲下頜骨骨折患兒實施3D打印個性化鈦板骨折內(nèi)固定手術(shù)，使鈦釘進入下頜骨的位置避開牙胚。手術(shù)順利，患兒恢復良好。
2021-08-24 16:55:58790 MicroFAB-3D雙光子聚合3D納米光刻機是一款超緊湊、超高分辨率交鑰匙型3D打印機。雙光子聚合3D納米光刻機基于雙光子聚合(TPP)激光直寫技術(shù)，兼容多種高分子材料，包括生物材料。MicroFAB-3D 3D納米光刻機幫助您以百納米級的分辨率生產(chǎn)出前所未有的復雜的微部件.
2022-08-08 13:54:187373 
.，滿足介電常數(shù)(Dk)和介質(zhì)損耗因子(Df)技術(shù)指標要求，功耗不增加。
我們推出的銅面鍵合劑替代傳統(tǒng)PCB中的銅中粗化，增強防焊，干濕膜的分離，另外不咬銅，不損銅，不增加銅表面的粗糙度，適合高頻板的生產(chǎn)。與此同時還不產(chǎn)生銅的廢水，環(huán)保
2022-11-11 17:49:303262 使用 3D 納米打印
2022-12-28 09:51:071159 使用久經(jīng)考驗的銅夾片技術(shù)的經(jīng)驗，開發(fā)出創(chuàng)新的CCPAK。將銅夾片封裝技術(shù)的所有公認優(yōu)點應(yīng)用于650 V及更高電壓應(yīng)用。
2023-02-09 09:51:581870 
FSL已將消費者1工業(yè)微控制器轉(zhuǎn)換為銅線和現(xiàn)在正在啟動汽車改裝。
-金(金)和銅(銅)線都被用來連接到多年來集成電路上的鋁(AI)鍵墊金屬間化合物(IMC)的形成提供了電線和襯墊之間的粘著性。
-最近電線鍵合(WB)技術(shù)的進步正在擴大使用范圍銅線。
2023-03-08 14:30:00994 在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(solder bump)或微凸點（Micro bump）來實現(xiàn)芯片與基板
2023-04-20 09:40:1619244 設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)出高對準精度特點。大多數(shù)對準、鍵合工藝都源于微機電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)，但應(yīng)用于3D集成的對準精度要比傳統(tǒng)MEMS對準精度提高5～10倍，目前設(shè)備對準精度已經(jīng)達到亞微米級。
2023-04-20 11:47:226270 兩片晶圓面對面鍵合時是銅金屬對銅金屬、介電值對介電質(zhì)，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計、線路設(shè)計時就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:301737 研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進行了合成，并對制備的銅納米線和化學沉積后負載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:281924 
的優(yōu)越性，概述了納米線、納米多孔骨 架、納米顆粒初步實現(xiàn)可圖形化的 Cu-Cu 低溫鍵合基本原理. 結(jié)果表明，基于納米材料燒結(jié)連接的基本原理，繼續(xù) 開發(fā)出寬工藝冗余、窄節(jié)距圖形化、優(yōu)良互連性能的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是未來先進封裝的重要發(fā)展方向之一.
2023-06-20 10:58:483455 
在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:082391 
相對于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應(yīng)用，三維（3D）多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢，正逐步在先進電路與系統(tǒng)中得到應(yīng)用。而3D封裝引入的復雜電磁耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:074530 
先進半導體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展，以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項突出進步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù)，它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:291923 要了解混合鍵合，需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:425951 
中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展，凸點鍵合技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:002407 
據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預計將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23958 來源：IMEC Cu/SiCN鍵合技術(shù)的創(chuàng)新是由邏輯存儲器堆疊需求驅(qū)動的 晶圓到晶圓混合鍵合的前景 3D集成是實現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:29928 
值得注意的是，Meta 的原型芯片分為上下兩部分，每個部分都只有 4.1x3.7 mm，其中的下部含有四個機器學習核心和 1 MB 本地內(nèi)存，上部則集成了 3 MB 內(nèi)存。通過采用臺積電 SoIC 高級封裝技術(shù)，兩片芯片可以緊密貼合地混合鍵合（即銅對銅的直接連接）。
2024-02-23 10:14:50899 用于先進封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)進行了綜述，首先從工藝流程、連接機理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結(jié)了熱壓工藝、混合鍵合工藝實現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的研究進展與存在問題，進一步地闡述了新型納米材料燒結(jié)工藝在實現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)
2024-03-25 08:39:561391 
Bonding）技術(shù)應(yīng)運而生，并迅速成為3D芯片封裝領(lǐng)域的核心驅(qū)動力。本文將深入探討混合鍵合技術(shù)在3D芯片封裝中的關(guān)鍵作用，分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢以及未來發(fā)展
2024-08-26 10:41:541595 
摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅(DBC)單元的功率模塊封裝方法，以并行更多
2024-10-16 13:32:531419 
隨著摩爾定律逐漸進入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產(chǎn)業(yè)越來越依賴先進的封裝技術(shù)來推動性能的飛躍。在封裝技術(shù)由平面走向更高維度的2.5D和3D時，互聯(lián)技術(shù)成為關(guān)鍵中的關(guān)鍵。面對3D封裝日益增長的復雜性和性能
2024-10-18 17:54:541005 
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢，以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:512511 
半導體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計發(fā)展到晶圓級的尖端 3D 混合鍵合。這一進步允許互連間距在個位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達 1000 GB/s，同時保持高能效。先進半導體封裝技術(shù)的核心是 2.5D
2024-11-05 11:22:04715 
隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限，半導體巨擘越來越依賴先進封裝技術(shù)推動性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進，芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競爭力的展現(xiàn)。而“混合鍵合
2024-11-08 11:00:541252 隨著半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，集成電路（IC）的小型化、高密度集成、多功能高性能集成以及低成本集成成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。在這一背景下，3D集成晶圓鍵合技術(shù)應(yīng)運而生，成為實現(xiàn)這些目標的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文
2024-11-12 17:36:131578 
隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片的性能需求不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)應(yīng)運而生，并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:322161 
談一談先進封裝中的互連工藝，包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合，有哪些新進展？可以說，互連工藝是先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在市場需求的推動下，傳統(tǒng)封裝不斷創(chuàng)新、演變，出現(xiàn)了各種新型的封裝結(jié)構(gòu)。 下游
2024-11-21 10:14:403120 
摘要: 隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合鍵合( HB) 技術(shù)是一種先進的3D 堆疊封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:462817 
引言 Cu-Cu混合鍵合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技術(shù)正在成為先進3D集成的重要技術(shù)，可實現(xiàn)細間距互連和高密度芯片堆疊。本文概述了Cu-Cu混合鍵合的原理、工藝、主要挑戰(zhàn)和主要
2024-11-24 12:47:061865 
、高溫服役、優(yōu)異的導熱和導電性能，以及相對較低的成本，在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
2024-12-07 09:58:551575 
技術(shù)前沿：半導體先進封裝從2D到3D的關(guān)鍵 半導體分類 集成電路封測技術(shù)水平及特點?? ? 1. 發(fā)展概述 ·自20世紀90年代以來，集成電路封裝技術(shù)快速發(fā)展，推動了電子產(chǎn)品向小型化和多功能方向邁進
2025-01-07 09:08:191582 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor
2025-01-08 11:17:011427 
整合更多功能和提高性能是推動先進封裝技術(shù)的驅(qū)動，如2.5D和3D封裝。 2.5D/3D封裝允許IC垂直集成。傳統(tǒng)的flip-chip要求每個IC單獨封裝，并通過傳統(tǒng)PCB技術(shù)與其他IC集成
2025-01-14 10:41:331450 
混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸，芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里，一項涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項技術(shù)被稱為“混合鍵合”，可以
2025-02-09 09:21:43568 
在半導體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場景中
2025-02-24 11:17:06882 
3D封裝與系統(tǒng)級封裝概述 一、引言：先進封裝技術(shù)的演進背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，半導體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。3D封裝和系統(tǒng)級封裝（SiP）作為突破傳統(tǒng)2D平面集成限制
2025-03-22 09:42:56830 
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