NAND閃存已經(jīng)成為一種成熟的技術(shù)，并且現(xiàn)在可用的各種格式已經(jīng)在許多工業(yè)應(yīng)用中采用。

但是，由于希望超越標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)，Apacer公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了NAND閃存技術(shù)的某些優(yōu)化。這些優(yōu)化的目的是為客戶提供最適合其應(yīng)用的P / E周期。

此前，該公司開(kāi)發(fā)了一種稱為SLC-lite的NAND閃存優(yōu)化形式。SLC-lite背后的中心概念是使2D MLC表現(xiàn)得像SLC。MLC包含2位，但是通過(guò)僅對(duì)2位（最低有效位（LSB））進(jìn)行編程，單元分布的行為幾乎與SLC閃存相同。然后，耐久性大大提高，達(dá)到20，000個(gè)P / E周期。標(biāo)準(zhǔn)2D MLC只能達(dá)到3，000個(gè)P / E周期。

但是，隨著3D NAND閃存技術(shù)的成熟，該公司的工程師為3D NAND驅(qū)動(dòng)器開(kāi)發(fā)了與SLC-lite類似的工藝。該技術(shù)的兩種新形式稱為SLC-liteX和MLC-liteX。SLC-liteX基于3D NAND。該公司的工程團(tuán)隊(duì)對(duì)固件進(jìn)行了調(diào)整，以便以這種格式提供最大數(shù)量的P / E周期-30，000，這是MLC或工業(yè)3D TLC的十倍。使用壽命最長(zhǎng)，價(jià)格合理。

MLC-liteX也基于3D NAND技術(shù)。固件經(jīng)過(guò)微調(diào)，提供的P / E周期（10，000）是MLC或工業(yè)3D TLC的三倍以上。在延長(zhǎng)使用壽命的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了成本效益的優(yōu)化。

3D NAND TLC的標(biāo)準(zhǔn)位格式在1個(gè)單元中存儲(chǔ)3位。MLC-liteX僅編程3位中的2位。因此，MLC-liteX的容量?jī)H減少了三分之一。這種權(quán)衡的優(yōu)點(diǎn)是增加了P / E周期。按照這種思路，SLC-liteX僅對(duì)3位中的1位進(jìn)行編程。因此，容量減少了三分之二，但可以使用更多的P / E周期。