SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
5518 內(nèi)核補丁中也透露了消息，AMD下一代基于CDNA 2核心的Instinct MI200 GPU也將用到HBM2e，顯存更是高達128GB。這意味著AMD很可能會在服務(wù)器市場全面擁抱HBM。 ? 已與
2021-07-24 10:21:125012 /s。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，各大內(nèi)存廠商在HBM2E層面已經(jīng)開始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點來看，2020年
2021-08-23 10:03:281523 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:174835 
然而在此過程中，我們除了看到AI對算力的要求以外，內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優(yōu)先選擇，這也是英偉達在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個內(nèi)存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402412 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 
3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:563600 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）隨著DDR5的內(nèi)存開始起量，DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經(jīng)提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 01:16:002218 為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191454 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）隨著AI芯片逐漸成為半導(dǎo)體市場的香餑餑，與之相關(guān)的附屬產(chǎn)物也在不斷升值，被一并炒熱。就拿高帶寬內(nèi)存HBM來說，無論是英偉達的GPU芯片，還是初創(chuàng)公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001097 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）今年對于存儲廠商而言，可謂是重新梳理市場需求的一年，不少企業(yè)對 NAND和DRAM 的業(yè)務(wù)進行了大幅調(diào)整，有的就選擇了將重心放在下一代 DRAM 上，尤其是在 AI
2023-12-13 01:27:001179 
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測量扭矩和轉(zhuǎn)速，是第一款扭矩法蘭，采用測量剪應(yīng)力替代扭矩應(yīng)力對扭矩進行測量。這種技術(shù)是HBM公司的專利。它設(shè)計緊湊，占有非常小的空間；高側(cè)向的防護允許
2020-06-19 16:31:10
方面的穩(wěn)定與專注，使三星成為為數(shù)不多的幾個能夠在經(jīng)濟危機后繼續(xù)增長的公司之一。 1998年2月三星電子開發(fā)出世界第一個128MB同步DRAM以及128MBFlash內(nèi)存。 7月三星電子開發(fā)出世界最小
2019-04-24 17:17:53
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
1.一般的描述LT8311EX是一款低成本的高性能USB中繼器，支持通過cat5/5e/6電纜進行信號傳輸擴展，符合USB2.0規(guī)范。 延伸長度可達120米以上的CAT6電纜。 它消除了USB2.0
2022-03-03 14:13:02
大量回收三星ic深圳帝歐專業(yè)電子回收，專業(yè)回收三星ic，高價收購三星ic。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com。深圳專業(yè)收購三星ic，高價求購
2021-05-28 19:17:34
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購?。。〉蹥W趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-10-26 19:13:52
專業(yè)收購三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2020-12-01 17:34:19
專業(yè)收購三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-09-03 19:23:00
東莞收購三星ic專業(yè)回收三星ic，東莞回收三星ic，高價收購三星ic。深圳帝歐電子有多年回收電子料經(jīng)驗，帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com
2021-04-28 18:52:33
2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2
2022-10-26 16:37:40
ofweek電子工程網(wǎng)訊 據(jù)英國路透社10月13日報道，韓國科技業(yè)巨擘三星電子當(dāng)天發(fā)布業(yè)績初估稱，第三季營業(yè)利潤可能較上年同期增長近兩倍，創(chuàng)下新高，并優(yōu)于分析師預(yù)期，因內(nèi)存芯片價格強勁可能推高了
2017-10-13 16:56:04
的靜電防護電路是在設(shè)計指標(biāo)和生產(chǎn)成本之間求得的平衡，大部分時候僅僅只是夠用而已。為了驗證這個平衡，就需要采取一些測試手段，其中就有HBM測試。業(yè)內(nèi)常用的HBM測試（芯片級）規(guī)范主要有
2020-10-16 16:36:22
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
大量回收三星ic深圳帝歐專業(yè)電子回收，專業(yè)回收三星ic，高價收購三星ic。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com。深圳專業(yè)收購三星ic，高價求購
2020-12-14 16:00:38
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，優(yōu)選帝歐電子！帝歐還回收庫存電子，高價回收電感，回收電解電容
2020-10-31 15:48:52
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，優(yōu)選帝歐電子！帝歐還回收庫存電子，高價回收電感，回收電解電容
2021-04-14 19:04:16
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，優(yōu)選帝歐電子！帝歐還回收庫存電子，高價回收電感，回收電解電容
2021-03-10 17:45:41
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內(nèi)存的FPGA新品，而且用了8GB容量。 HBM顯存雖然首發(fā)于AMD顯卡上，不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
高價回收三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫，全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:001777 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001150 高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4929981 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246 最近，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲標(biāo)準HBM2E，針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè)，集成這些技術(shù)可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:563487 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572345 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569 部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，據(jù)外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 Flashbolt的第三代16GB HBM2E，在HBM2E封裝上的緩沖芯片頂部垂直堆棧8層10nm級(1y)16Gb DRAM芯片，使其前一代的Aquabolt容量提高了一倍。其HBM2E封裝
2020-08-19 14:38:05993 Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應(yīng)商，能達到3.2Gbps的速度（超標(biāo)能達到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英
2020-09-10 14:39:011988 為了給人工智能和機器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬，HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:132139 
和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322044 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842 存儲器）和PCU（可編程計算單元）可在內(nèi)存中處理運算，以減少CPU、內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動，從而提高系統(tǒng)性能并減少能耗。 三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃高級副總裁Kwangil Park表示：“我們開創(chuàng)性的HBM-PIM是業(yè)界首個可編程的PIM解決方案，專門針對各種人工智能驅(qū)動的工作負載，如HPC、訓(xùn)
2021-02-24 15:09:331643 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 點擊藍字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種
2021-11-01 14:30:506492 
SoC 設(shè)計人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序，每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點，但
2022-07-30 11:53:501804 HBM2E標(biāo)準的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆?？梢苑胖?2層裸片，從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標(biāo)準是允許的，但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）隨著DDR5的內(nèi)存開始起量，DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經(jīng)提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。 我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 07:15:03852 據(jù)韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689 
HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437 
據(jù)韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:03453 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33626 
7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動期間，三星電子負責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關(guān)該公司內(nèi)存競爭力正在下降的擔(dān)憂。
2023-07-10 10:56:03516 近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計將達到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預(yù)計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702 
時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設(shè)計實現(xiàn)存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計，DRAM顆粒由“平房設(shè)計”改為“樓房設(shè)計”，所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當(dāng)前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應(yīng)用于高端PC市場，和英偉達（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21489 
在人工智能（ai）時代引領(lǐng)世界市場的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上，因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設(shè)計的圖像處理裝置（gpu）等機器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:50487 來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32400 目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400 HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343 據(jù)預(yù)測，進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:57451 由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443 
目前，AI服務(wù)器對HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來越大，因為HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:10408 
由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353 
為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02348 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 “隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25204 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:0598 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42149 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51158 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408 三星電子近期計劃設(shè)立專門的HBM（高帶寬存儲器）開發(fā)辦公室，旨在進一步強化其在HBM領(lǐng)域的競爭力。目前，關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團隊規(guī)模尚未明確，但業(yè)界普遍預(yù)期，現(xiàn)有的HBM工作組將得到升級和擴充，以適應(yīng)更高層次的研發(fā)需求。
2024-03-13 18:08:36570 實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導(dǎo)電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21375 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110 
提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）據(jù)報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:312126 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論