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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)

美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)

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2015-12-31 08:20:551296

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三星1z納米EUV制程DRAM完成量產(chǎn)

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質(zhì)疑對(duì)手技術(shù)進(jìn)展真實(shí)性,三星將公開(kāi)10納米級(jí)制程DRAM電路線寬

線寬。 ? 據(jù)了解,DRAM電路線寬被業(yè)界認(rèn)定為衡量存儲(chǔ)器公司技術(shù)能力的重要指標(biāo),DRAM的電路線寬越窄,其功率效率就越高。 因此,過(guò)去DRAM業(yè)界的傳統(tǒng)就是不明確公開(kāi)相關(guān)產(chǎn)品的確切電路線寬。 ? 并且,隨著DRAM制程技術(shù)在2016年進(jìn)入10納米級(jí)制程后,DRAM制造商也普遍達(dá)
2021-05-07 10:25:351744

2016年移動(dòng)電源市場(chǎng)5大演進(jìn)趨勢(shì)

移動(dòng)電源市場(chǎng),據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),目前國(guó)內(nèi)移動(dòng)電源的生產(chǎn)商超過(guò)5000家。下面,筆者會(huì)針對(duì)目前移動(dòng)電源的市場(chǎng)環(huán)境作出分析,盤(pán)點(diǎn)2016年移動(dòng)電源市場(chǎng)5大演進(jìn)趨勢(shì)。趨勢(shì)一快速充電普及:快充技術(shù) 百花齊放雖然
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SFP28/VCSEL 850nm/100m灰模塊最低市場(chǎng)零售價(jià)570元,25G SFP28/DFB 1310nm/10km灰模塊最低市場(chǎng)零售價(jià)為1630元/個(gè)?! 【C合考慮5G模塊是直接銷(xiāo)售給設(shè)備
2020-03-24 15:44:18

95納米eNVM工藝安徽平臺(tái)制勝8位MCU大時(shí)代市場(chǎng)怎么樣

(Microcontroller Unit, MCU)市場(chǎng),最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器(95納米5V SG eNVM)工藝平臺(tái)。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí),95納米5V SG eNVM工藝平臺(tái)以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

DRAM產(chǎn)能再大,也難以滿足全球龐大的市場(chǎng)需求。因此,應(yīng)該是技術(shù)層面的原因。技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。3D Flash目前技術(shù)在96層,但是技術(shù)路標(biāo)的能見(jiàn)度至512層-3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09

芯片市場(chǎng)發(fā)展

下游通信設(shè)備集成的全球領(lǐng)先地位以及近半數(shù)的市場(chǎng)份額,整個(gè)產(chǎn)業(yè)都將逐步向上游芯片和核心器件環(huán)節(jié)升級(jí)。而隨著5G商用將至,對(duì)于芯片的需求將大幅提升,相關(guān)芯片產(chǎn)商有望迎接5G時(shí)代的高增長(zhǎng)機(jī)遇。(內(nèi)容參考:芯片市場(chǎng)多場(chǎng)景應(yīng)用,未來(lái)可期[J].世界電子元器件,2019(01):11-13.)
2022-04-25 16:49:45

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納米傳感器和納米級(jí)物聯(lián)網(wǎng)將對(duì)醫(yī)學(xué)產(chǎn)生巨大影響讓開(kāi)放式人工智能系統(tǒng)成為你的個(gè)人健康助理升級(jí)遺傳技術(shù)照亮神經(jīng)學(xué)人體器官芯片技術(shù)為醫(yī)藥研究帶來(lái)了新的機(jī)遇器官芯片的工作原理
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納米硅粒子有較大的比表面,無(wú)色透明;粘度較低,滲透能力強(qiáng),分散性能好。納米硅的二氧化硅粒子是納米級(jí)別,其粒徑小于可見(jiàn)光光波長(zhǎng)度,不會(huì)對(duì)可見(jiàn)光形成反射和折射等現(xiàn)象,因此不會(huì)使涂料表面消。
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2018-10-26 16:48:45

引領(lǐng)圖像傳感器市場(chǎng)

  (Micron)在CMOS圖像傳感器(CMOS image sensor)領(lǐng)域領(lǐng)先于三星電子(Samsung Electronics)等對(duì)手。實(shí)際上,的圖像傳感器已獲得三星的desing
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大家好,我是應(yīng)屆碩士畢業(yè)生,最近拿到的 flash 產(chǎn)品工程師的offer,另外還有其它offer,但是不知道的產(chǎn)品工程師具體是做什么工作的,發(fā)展前景如何?弱弱的問(wèn)一下,請(qǐng)了解情況的幫忙指點(diǎn)一下,非常感謝。
2012-01-01 16:48:15

科技公司高清晰度CMOS傳感器

設(shè)備電池壽命的同時(shí),可獲得清晰、鮮明活潑的圖像。5百萬(wàn)像素傳感器主要應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)(DSC)和照相手機(jī)方案中,而3.1百萬(wàn)像素傳感器專(zhuān)門(mén)是為照相手機(jī)而開(kāi)發(fā)的。   科技公司營(yíng)銷(xiāo)資深總監(jiān)
2018-11-20 16:38:51

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DVCD+車(chē)載放+混響板 怎么連接?想用DVCD連接混響板和車(chē)載放來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)帶有話筒喊話能的設(shè)備?;祉懓逍盘?hào)輸出能直接接到放的信號(hào)輸入接口嗎?要不要串聯(lián)一個(gè)電解電容?混響板雙直流電源12-18V和雙交流電源12-18V分別怎么連接? 哪位大哥能教我怎么做嗎!謝謝
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IC Insights:DRAM市場(chǎng)即將放緩 國(guó)產(chǎn)品牌穩(wěn)步挺近

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MT62F8D1AEK-DC Z8BFP內(nèi)存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ

,也包括光在內(nèi),但需求卻在不斷增加。預(yù)計(jì)在FQ4財(cái)季DRAM bit出貨量將與FQ3相對(duì)持平,并預(yù)估DRAM行業(yè)到2022年仍可繼續(xù)保持健康的市況。對(duì)于DRAM供應(yīng)方面,光在2021上半年
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NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯  觀點(diǎn):盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響,但市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng),其市場(chǎng)份額首次突破20%大。這是其
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`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
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三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng),三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01

什么是移動(dòng)前傳模塊?

口(Common Public Radio Interface,CPRI)。在規(guī)范中,他們定義了鏈路的最低要求,表示現(xiàn)有光學(xué)設(shè)備包括幾個(gè)光纖通道設(shè)備就能滿足這些要求?! ?b class="flag-6" style="color: red">光模塊在移動(dòng)前傳中的作用
2019-12-16 16:22:13

全球10DRAM廠商排名

***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品,2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷(xiāo)售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

影響、SKHynix、三星、東芝等公司的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù),只不過(guò)三星、、SKHynix這些公司有DRAM內(nèi)存的高價(jià)支撐,財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)不會(huì)像西數(shù)這么慘。為了減緩NAND價(jià)格下跌對(duì)公司的影響,從西數(shù)到都在
2021-07-13 06:38:27

國(guó)內(nèi)外傳輸設(shè)備市場(chǎng)分析?。?!

國(guó)內(nèi)傳輸設(shè)備市場(chǎng)分析一、傳輸設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)  電信行業(yè)的大蕭條對(duì)國(guó)際電信傳輸市場(chǎng)造成了很大沖擊,從2001年開(kāi)始,全球傳輸設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)萎縮,連續(xù)三年的增長(zhǎng)率均為負(fù)值。相對(duì)于國(guó)際市場(chǎng)而言,我國(guó)
2012-06-13 11:40:15

基于嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器該怎么設(shè)計(jì)?

80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一,廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi),集成有DRAMRCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期,它工作于微處理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38:04

如何搭建適合ULC手機(jī)市場(chǎng)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

如何搭建適合ULC手機(jī)市場(chǎng)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?
2021-06-01 07:00:58

對(duì)內(nèi)存使用的疑惑

大家好,我做FPGA開(kāi)發(fā),需要用到大的內(nèi)存,ise12只有光和現(xiàn)代的庫(kù),我對(duì)內(nèi)存使用有如下疑惑:2G內(nèi)存位寬16位,速率可達(dá)200M,4G內(nèi)存怎么才8位,速率還慢,才125M~150MHz.這樣的話,用更多的內(nèi)存反而降低性能?
2013-06-22 21:46:08

展訊單核WCDMA SC7710芯片量產(chǎn) 攪局W芯片市場(chǎng)?

展訊今日宣布其專(zhuān)為3G入門(mén)級(jí)智能手機(jī)設(shè)計(jì)的單核WCDMA/HSPA+芯片SC7710實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。SC7710支持WCDMA/HSPA+/EDGE/GPRS/GSM,集成單核Cortex?-A5處理器
2013-10-30 14:37:30

無(wú)新產(chǎn)能導(dǎo)致淡季變旺,DRAM合約價(jià)再飆漲到Q3【硬之城電子元器件】

成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增,第三季因價(jià)格持續(xù)看漲,營(yíng)收及獲利可望再寫(xiě)新高。無(wú)新產(chǎn)能,導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、等記憶體大廠雖提高資本支出,但多數(shù)資金都用來(lái)進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01

顯卡市場(chǎng)增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)的影響

的 GB 數(shù))的新一代存儲(chǔ)。科技全球顯卡存儲(chǔ)業(yè)務(wù)總監(jiān)Kris Kido將在此為讀者、分析師和游戲玩家圍繞新一代存儲(chǔ)提出的若干問(wèn)題做出解答。是什么在推動(dòng)顯卡/GPU 市場(chǎng)的增長(zhǎng)?這將對(duì)存儲(chǔ)造成什么影響?
2019-07-19 06:16:39

淺析DRAM和Nand flash

關(guān)于存儲(chǔ)額知識(shí)回顧歷史,存儲(chǔ)介質(zhì)按物理材料可以分成三大類(lèi):學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)介質(zhì)。詳細(xì)的如下圖; 然而目前來(lái)說(shuō),半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)經(jīng)成為存儲(chǔ)行業(yè)的主流;主要的三大類(lèi)性的產(chǎn)品分別
2019-09-18 09:05:09

清華紫光與武漢新芯組最強(qiáng)CP 劍指

全球的DRAM營(yíng)收就達(dá)到了234.5億美元,其中移動(dòng)DRAM的份額增長(zhǎng)最快。這得益于智能手機(jī)以及搭載高存儲(chǔ)密度的設(shè)備的發(fā)展,隨著物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算的流行,DRAM的密度是越來(lái)越高。清華紫光收購(gòu)啟動(dòng)
2016-07-29 15:42:37

禍不單行!聯(lián)電單方面宣布暫停與晉華合作

,提供一些設(shè)備,而這些設(shè)備在***生產(chǎn),既然美國(guó)商務(wù)部發(fā)出禁令,“那就是不能出去了”。此外,今天稍早的時(shí)候,有消息傳出稱(chēng)掌握了確切證據(jù),并在美國(guó)控告聯(lián)電涉及經(jīng)濟(jì)間諜罪。這無(wú)疑是與聯(lián)電、晉華之間“戰(zhàn)爭(zhēng)”的升溫。如今聯(lián)電單方面宣布暫停與晉華的合作,對(duì)晉華的DRAM產(chǎn)品上市而言無(wú)疑更是雪上加霜。`
2018-11-01 10:01:04

西安藍(lán)儀器維修專(zhuān)業(yè)維修

行業(yè)中逐步發(fā)展成為具有一定影響力的儀器設(shè)備維修、銷(xiāo)售商和各類(lèi)專(zhuān)業(yè)進(jìn)口元器件代理商。西安藍(lán)針對(duì)客戶和國(guó)家中西部市場(chǎng)的需求,秉承“誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、專(zhuān)業(yè)高效、創(chuàng)新進(jìn)取”的企業(yè)宗旨,提倡誠(chéng)信務(wù)實(shí)的服務(wù)態(tài)度、專(zhuān)業(yè)
2012-10-15 15:50:11

解析uMCP的由來(lái),eMCP將成為過(guò)去式?

eMMC和移動(dòng)DRAM分開(kāi)采購(gòu)的價(jià)格要低,對(duì)于中低端手機(jī)而言有利于降低成本,尤其是在前2年NAND Flash和DRAM漲價(jià)的時(shí)期,更有利交易和議價(jià)。不過(guò),eMCP僅三星、SK海力士、具有穩(wěn)定的貨源
2019-12-25 14:38:44

請(qǐng)問(wèn)14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動(dòng)處理器那個(gè)更省電??

14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動(dòng)處理器那個(gè)更省電??
2020-07-14 08:03:23

運(yùn)營(yíng)商引領(lǐng)5G建設(shè),模塊市場(chǎng)價(jià)量齊升

系統(tǒng),則國(guó)內(nèi)市場(chǎng)將帶來(lái)80×40%×12=384萬(wàn)個(gè)灰25G模塊和80×60%×12=576萬(wàn)個(gè)25G彩光CWDM模塊的需求。依據(jù)今年中國(guó)移動(dòng)的SPN集采結(jié)果公示,其SPN承載網(wǎng)已經(jīng)完成首期共計(jì)
2020-05-09 13:52:21

臺(tái)積電率先量產(chǎn)40納米工藝

臺(tái)積電率先量產(chǎn)40納米工藝 臺(tái)積電公司日前表示,40納米泛用型(40G)及40納米低耗電(40LP)工藝正式進(jìn)入量產(chǎn),成為專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司
2008-11-22 18:27:07725

將建設(shè)美國(guó)史上最大半導(dǎo)體工廠,#芯片 #半導(dǎo)體 # #半導(dǎo)體 #DRAM 芯球崛起#硬聲創(chuàng)作季

RAM美國(guó)美國(guó)美科技半導(dǎo)體時(shí)事熱點(diǎn)
電子師發(fā)布于 2022-10-20 09:07:33

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466

4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米 DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納
2010-01-22 09:56:02836

三星電子開(kāi)發(fā)新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)

關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開(kāi)發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后,不到九個(gè)月又成功開(kāi)發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132176

與高通競(jìng)逐 英特爾22納米移動(dòng)芯片明年量產(chǎn)

北京時(shí)間12月11日早間消息,英特爾今天宣布,采用最新一代22納米制造工藝生產(chǎn)的芯片將于2013年量產(chǎn),與高通等企業(yè)爭(zhēng)奪快速發(fā)展的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)。
2012-12-11 09:05:03802

中芯長(zhǎng)電將為高通提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工

,中芯長(zhǎng)電將為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這是中芯長(zhǎng)電繼規(guī)模量產(chǎn)28納米硅片凸塊加工之后,中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2016-08-04 11:42:23854

傳臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)卡關(guān)

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)階段,然近期卻陸續(xù)傳出量產(chǎn)卡關(guān)消息,半導(dǎo)體業(yè)者透露,臺(tái)積電為蘋(píng)果(Apple)生產(chǎn)新一代iPad處理器A10X,出現(xiàn)良率不如預(yù)期情況
2016-12-22 10:17:15686

傳因良率不夠 臺(tái)積電、三星10nm制程量產(chǎn)卡關(guān)

半導(dǎo)體業(yè)者表示,臺(tái)積電將在2017年第2季量產(chǎn)蘋(píng)果iPhone 8處理器芯片A11,然在此之前,臺(tái)積電將先量產(chǎn)蘋(píng)果預(yù)計(jì)2017年3月上市的新一代iPad處理器A10X芯片,近期業(yè)界卻傳出臺(tái)積電10納米制程良率不如預(yù)期,不僅影響蘋(píng)果A10X芯片量產(chǎn)進(jìn)度,甚至引發(fā)臺(tái)積電內(nèi)部更先進(jìn)制程研發(fā)高層變動(dòng)。
2016-12-22 10:27:41421

臺(tái)積電試產(chǎn)7納米先進(jìn)制程,有望實(shí)現(xiàn) 2018 年初正式量產(chǎn)

根據(jù)平面媒體指出,在 2016 年第 4 季成功量產(chǎn) 10 納米先進(jìn)制程之后,從 2017 年第 1 季開(kāi)始,全球晶圓制造龍頭臺(tái)積電將會(huì)正式試產(chǎn) 7 納米先進(jìn)制程,并且有望在 2018 年初正式達(dá)成量產(chǎn)的目標(biāo)。
2017-01-04 11:04:11603

中芯國(guó)際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍(lán)圖

在28納米制程上,中芯也提出三階段的規(guī)劃藍(lán)圖。趙海軍指出,第一階段的polySion制程已經(jīng)量產(chǎn),第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱(chēng)為HKC制程)已經(jīng)在今年第2季開(kāi)始產(chǎn)出,目標(biāo)是28納米突破10%營(yíng)收,而第三階段是第二代的HKC制程,預(yù)計(jì)在2018年底量產(chǎn)。
2017-11-17 14:10:431647

三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835

三星開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

2018年用繪圖DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場(chǎng)分析,GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無(wú)減,2018年繪圖DRAM銷(xiāo)量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619

DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)將保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)

和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位,合計(jì)市占率超過(guò)95%,國(guó)產(chǎn)廠商開(kāi)始積極布局,2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中,移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名,合計(jì)占比86%,未來(lái)將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。
2018-05-17 10:12:003074

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723

英特爾10納米芯片量產(chǎn)時(shí)間表再度延遲

英特爾(Intel)上周發(fā)布2018年第二季整體銷(xiāo)售表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,但由于數(shù)據(jù)中心事業(yè)成長(zhǎng)不如分析師先前觀察的目標(biāo),再加上來(lái)自超威(AMD)的競(jìng)爭(zhēng)以及10納米芯片量產(chǎn)時(shí)間表再度延遲至2019年年底,使其股價(jià)隨后下跌5%以上。
2018-08-01 16:26:443136

三星成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備

三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái),三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

三星或?qū)⒂肊UV設(shè)備進(jìn)行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

傳三星電子(Samsung Electronics)啟動(dòng)采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過(guò)也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22709

英特爾宣布追加10億美元用于14納米制程擴(kuò)產(chǎn)后 10納米制程量產(chǎn)或?qū)⑻嵩绨肽?/a>

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02253

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光(EUV)技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代,預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨。同時(shí),英特爾將加速支援EUV技術(shù)的7納米制程研發(fā),預(yù)期2021年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段,首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463239

多家DRAM廠商開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開(kāi)始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:312438

ASML最新一代EUV設(shè)備2025年量產(chǎn)

降低成本,使不僅晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入,連DRAM記憶體的生產(chǎn)廠商也考慮引進(jìn)。為了因應(yīng)制程微縮的市場(chǎng)需求,全球主要生產(chǎn)EUV設(shè)備的廠商艾司摩爾(ASML)正積極開(kāi)發(fā)下一代EUV設(shè)備,就是High-NA(高數(shù)值孔徑)EUV 產(chǎn)品,預(yù)計(jì)幾年內(nèi)就能正式量產(chǎn)。
2019-07-05 15:32:482520

美光科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223148

曝三星已開(kāi)始量產(chǎn)6納米制程 將與臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

在晶圓代工龍頭臺(tái)積電幾乎通吃市場(chǎng)7納米制程產(chǎn)品的情況下,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在7納米制程上幾乎無(wú)特別的訂單斬獲。為了再進(jìn)一步與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),三星則開(kāi)始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),而且也在2019年12月開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn),進(jìn)一步縮小與臺(tái)積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:102524

南亞科李培瑛宣布已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù) 預(yù)計(jì)2020下半年陸續(xù)進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)

南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布,已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102164

南亞科自研10nm DRAM DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個(gè)時(shí)代

1 月 13 日訊,近日,南亞科技股份有限公司稱(chēng),公司已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展,南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉,除可改善成本,南亞科成功自主開(kāi)發(fā) 10 納米制程技術(shù),將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機(jī)會(huì)與技術(shù)進(jìn)展。
2020-01-14 10:47:27702

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲(chǔ)器供應(yīng)商

韓國(guó)三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬(wàn)個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級(jí)DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動(dòng)設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511009

臺(tái)積電將于2022年量產(chǎn)3納米芯片

臺(tái)積電3納米芯片計(jì)劃將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn),此前三星電子也已正式宣布將在臺(tái)積電之前于2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體。
2021-10-20 16:43:207785

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片?

據(jù)悉,臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
2022-09-06 16:00:202998

三星首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29521

三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開(kāi)發(fā)
2022-12-21 21:19:54756

SK海力士第四代10納米級(jí)DDR5服務(wù)器DRAM全球首獲英特爾認(rèn)證

* 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲(chǔ)器認(rèn)證? * 以DDR5積極應(yīng)對(duì)服務(wù)器市場(chǎng),提早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體低迷期? * 第二代10納米級(jí)也一同認(rèn)證,以多種產(chǎn)品群應(yīng)對(duì)
2023-01-12 21:32:26610

12納米后,DRAM怎么辦?

化挑戰(zhàn)都是重大的。特別是,ASML 報(bào)告說(shuō),當(dāng)中心到中心(center-to-center)值達(dá)到 40 nm 時(shí),即使對(duì)于 EUV ,也不推薦使用單一圖案化。在本文中,我們將展示對(duì)于 12 納米及更高節(jié)點(diǎn)的 DRAM 節(jié)點(diǎn),電容器中心到中心預(yù)計(jì)將低于 40 納米,因此需要多重圖案化。
2023-02-07 15:08:55381

DRAM合約價(jià)一季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類(lèi)顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買(mǎi)方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會(huì)上,美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24191

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