SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進(jìn)硅芯片性能的3D納米管晶圓。

萬(wàn)眾期待的晶圓：麻省理工學(xué)院助理教授Max Shulaker在DARPA電子復(fù)興倡議峰會(huì)上拿出了第一顆晶圓廠生產(chǎn)的單片3D碳納米管IC。

在政府主辦的技術(shù)會(huì)議上，到處充斥著空洞的、形式主義的掌聲，你很少看到大家自發(fā)地為某個(gè)發(fā)言鼓掌。但是，在近日舉行的DARPA電子復(fù)興倡議峰會(huì)上，人們把真誠(chéng)的掌聲送給了麻省理工學(xué)院的助理教授Max Shulaker。Max Shulaker拿著一片3D碳納米管IC走上舞臺(tái)，在某種程度上，它標(biāo)志著DARPA將落后的晶圓廠變得可以生產(chǎn)與世界上最先進(jìn)的晶圓廠競(jìng)爭(zhēng)的芯片的計(jì)劃走出了堅(jiān)實(shí)的一步。

“這個(gè)晶圓是上周五剛剛制造出來(lái)的，它是晶圓廠生產(chǎn)出來(lái)的第一個(gè)單片3D IC，”Shulaker在底特律告訴參會(huì)的數(shù)百名工程師。這個(gè)晶圓上包含多顆IC，這種芯片由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲(chǔ)器單元組成的復(fù)合層疊加組成，這些復(fù)合層彼此疊置并通過一種被稱為通孔的密集陣列連接器垂直連接在一起。這項(xiàng)由DARPA資助的3D SoC背后的理念是，在同樣的工藝下，采用多個(gè)碳納米管+RRAM存儲(chǔ)器復(fù)合層制造的芯片比現(xiàn)在的7納米芯片具有50倍的性能優(yōu)勢(shì)。這種芯片基于的工藝是2004年時(shí)的90納米平板印刷工藝，以這種工藝取得比現(xiàn)在7納米還要出色的性能，DARPA的這個(gè)計(jì)劃不可不謂雄心勃勃。

這個(gè)項(xiàng)目剛剛運(yùn)行了一年左右的時(shí)間，DARPA希望在持續(xù)運(yùn)行三年半之后，就可以生產(chǎn)出帶有5000萬(wàn)邏輯門電路、4G字節(jié)非易失性存儲(chǔ)器、每平方毫米存在900萬(wàn)個(gè)互聯(lián)通道的芯片。互聯(lián)通道之間的傳輸速度為每秒50太比特，每比特的功率消耗小于兩個(gè)皮焦耳。

當(dāng)然，Shulaker這次所展示的東西還達(dá)不到這個(gè)目標(biāo)，但是，這是該計(jì)劃進(jìn)展過程中的一個(gè)重要里程碑。Shulaker表示，“與Skywater科技電工廠和其它合作伙伴一道，我們?cè)谌绾沃圃爝@種3D芯片上進(jìn)行了徹底的革命，并把這一個(gè)僅僅只能在我們的學(xué)術(shù)實(shí)驗(yàn)室里有效的技術(shù)成功地轉(zhuǎn)化為可以在美國(guó)的商業(yè)晶圓廠中實(shí)施的技術(shù)?！?/p>

和當(dāng)今主流的2D芯片相比，這項(xiàng)技術(shù)潛在優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵在于，它能夠?qū)⒍鄬覥MOS邏輯和非易失性存儲(chǔ)器堆疊在一起，并將這些層鏈接在一起，3DSoC團(tuán)隊(duì)將這種方式成為“階層”，這種垂直連接方式實(shí)現(xiàn)的封裝密集性比其它任何3D技術(shù)都要高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)。