DRAM存儲器和Flash閃存芯片是當(dāng)前市場中最為重要的存儲器。DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，雖然性能較為出色，但是其斷電易失，相比于其同級別的易失性存儲器，其成本更低，故而其在系統(tǒng)內(nèi)存中最為常見;Flash則是應(yīng)用最廣泛的非易失性存儲，其斷電非易失性使其主要被應(yīng)用于大容量存儲領(lǐng)域。

DRAM:內(nèi)存常用的存儲介質(zhì)

DRAM的數(shù)據(jù)可存儲時間非常短，其使用電容存儲來保持?jǐn)?shù)據(jù)，因而必須每隔一段時間進行一次刷新，否則信息就會丟失。

與SRAM相比，DRAM雖然速度更慢，且保持?jǐn)?shù)據(jù)的時間也相對較短，但其價格卻更加便宜。由于技術(shù)上的差別，DRAM的功耗較低，集成度高且體積更小，并且在速度上也優(yōu)于所有的ROM，故而被廣泛的應(yīng)用。

Flash:大容量閃存

在存儲器發(fā)展的早期，ROM一直作為系統(tǒng)的主要存儲設(shè)備，但目前其已被Flash全面代替了。在特點上，F(xiàn)lash兼具RAM和ROM和優(yōu)勢，其不僅斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，而且具有電子可擦除、可編程性能。

雖然在讀取速度上Flash略遜于DRAM，但是其速度仍然較快，且其成本遠(yuǎn)低于DRAM。

在分類上，目前Flash主要分為NOR和NAND兩種類型，二者區(qū)別主要在于讀取方式存在差異，以及存儲單元的連接方式不同。

(1) N ORFlash：

NORFlash以“字”為基本單位，可以直接運行裝載在其中的代碼(XIP)。相比NANDFlash，NORFlash的寫入速度更慢，且其成本更高，因此其主要被應(yīng)用于DVD、功能手機、USBKey、TV、機頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等小容量代碼閃存領(lǐng)域，目前在0-16MBFlash市場上，NORFlash占據(jù)了大部分的市場份額。

NORFlash可分為串行和并行，其目前以串行為主，具有XIP特性，但成本較高，主要占據(jù)小容量市場。此外，由于串行的接口簡單、更加輕薄小巧、功耗和系統(tǒng)總體的成本也更低，所以雖然在讀取速度上，其不及并行NORFlash，但仍已成為主要系統(tǒng)方案商的首選。

(2) NANDFlash:

NANDFlash以“塊”為基本單位，其單位容量的成本低，寫入與讀取速度也均優(yōu)于NORFlash，但用戶不能對NANDFlash上的代碼進行直接運行，因此，很多開發(fā)板在使用NANDFlash的同時，另需一塊NORFlash來運行啟動代碼。由于具有NANDFlash寫入和擦出速度快、成本低等特點，其主要被應(yīng)用在大容量存儲領(lǐng)域，如嵌入式系統(tǒng)(非PC系統(tǒng))的DOC(芯片磁盤)，以及常用的閃盤，比如手機、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤等。

在DRAM中，又可以根據(jù)技術(shù)規(guī)格的不同可以分為DDR系列、GPDDR系列、LPDDR系列等類別。其中DDR系列為普通DRAM，GPDDR全稱圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器(GraphicsDoubleDataRate)，是一種高情能顯卡使用的同步動態(tài)隨機存取存儲器，專為高帶寬需求計算機應(yīng)用所設(shè)計。

LPDDR指的是低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器（LowPowerDoubleDataRateSDRAM)，主要用于便攜設(shè)備。目前DDR和DDR2已經(jīng)基本退出市場，而以DDR3、DDR4以及LPDDR系列為主。

DDR3屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2的后繼者(增加至八倍)，也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

DDR3采用8bit預(yù)取設(shè)計，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有等效數(shù)據(jù)頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。其次，DDR3采用點對點的拓?fù)浼軜?gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。最后，DDR3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。

DDR4內(nèi)存是目前市場上新銳的DDR系列內(nèi)存規(guī)格，第一條DDR4內(nèi)存是在2014年由三星研制成功。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit)，同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

在未來，DDR5規(guī)格也將到來，2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GBDDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底實現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。

DDR5的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計將帶來4266至6400MT/s的I/O速度，電源電壓降至1.1V。與DDR4相比，改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36%，即使在3200MT/s和4800MT/s速度開始，與DDR4-3200相比，實際帶寬將高出87%。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16GB的單片芯片密度。

LPDDR(LowPowerDoubleDataRateSDRAM)是DDRSDRAM的一種，又稱為mDDR(MobileDDRSDRAM)，是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。而DDR/DDR3/DDR4/DDR5是內(nèi)存顆粒，內(nèi)存條是把多顆顆粒一起嵌入板中而成，用于電腦等。

市場波動減弱需求增強，2020或重回平衡

從2018年下半年開始DRAM價格進入下行周期。而通過供需分析，我們認(rèn)為DRAM供給當(dāng)前處于由于技術(shù)節(jié)點進步放緩造成的低增長平臺期，同時需求在5G、AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用拉動下會維持較高增速。因此我們預(yù)計DRAM市場在2019年消化庫存，并在2020年前后重新達到供需平衡。

DRAM長盛不衰，占據(jù)存儲半壁江山

DRAM是存儲器市場上的常青樹，從1966年IBM研發(fā)出世界上第一塊易失性存儲器(DRAM)開始，它就一直在我們的計算系統(tǒng)中占據(jù)著核心位置。從現(xiàn)有的計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)來看，存儲器分為緩存、內(nèi)存(主存儲器)、外存(輔助存儲器)三大類。其中緩存要求速度高，但容量小，通常使用SRAM。

內(nèi)存要求一定的讀寫速度和用來支持運行程序本身及所需數(shù)據(jù)的空間，相比于SRAM，DRAM保留數(shù)據(jù)的時間較短，速度也相對較慢，但從價格上來說DRAM價格較SRAM便宜很多，且由于技術(shù)區(qū)別，DRAM體積小、集成度高、功耗低，同時其速度比所有ROM都快，因此一直都是內(nèi)存的不二之選。

至于外存，相當(dāng)于電腦的數(shù)據(jù)倉庫，對讀寫速度要求不及前二者，對容量需求巨大。三大存儲器所用的介質(zhì)中，DRAM的地位最穩(wěn)固，市場最大。因為SRAM雖然價高，但是容量多年來增長很少，只需滿足計算機內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳遞即可。而外存容量需求的增長又過快，導(dǎo)致需要不停尋找新的介質(zhì)。

隨著數(shù)據(jù)的大量產(chǎn)生和電子設(shè)備的小型化趨勢，外存的介質(zhì)一直在變化以適應(yīng)需求，從磁盤/光盤/硬盤向Flash和SSD轉(zhuǎn)變。只有DRAM從誕生伊始就具備高密度、高容量的特點，從最初的K級到現(xiàn)在的GB級，DRAM本身的原理并沒有太大改變。

在半磁性存儲介質(zhì)作為外存的年代，DRAM幾乎就是半導(dǎo)體存儲器的代名詞。進入新世紀(jì)后，便攜設(shè)備的發(fā)展和半導(dǎo)體技術(shù)的成熟推動存儲器競爭向著DRAM和Flash雙線作戰(zhàn)的格局演變。而在這個過程中，又可以分為NOR時代和NAND時代。

在智能機普及之前，便攜設(shè)備對存儲空間的要求并不大，加上NORFlash支持隨機訪問的特性使它可以像普通ROM一樣執(zhí)行程序，使它成為便攜設(shè)備的主流存儲載體。在2002年，DRAM占據(jù)了整個存儲器市場55%的銷售額，而NORFlash占21%。NANDFlash只占8%，主要用于MP3、SD卡和U盤等需要較大儲存空間的應(yīng)用場合。

流水的外存，鐵打的DRAM。到了智能機和便攜設(shè)備時代，形勢發(fā)生了根本的轉(zhuǎn)變，NANDFlash快速取代NORFlash成為閃存的主流。

從2008年到2018年的十年間，智能機出貨量的不斷攀升和單機存儲容量的不斷擴大成為推動DRAM和NANDFlash需求不斷擴大的主要力量之一。

據(jù)Yole估計，2018年存儲器市場有61%的份額屬于DRAM，NANDFlash則占36%。剩下只有5%留給NORFlash以及ROM和SRAM。在外存介質(zhì)洗牌的過程中，DRAM的市場份額一直維持在50%以上，充分體現(xiàn)了它技術(shù)上的可擴展性和市場的巨大需求。

需求多元致周期波動減弱，2020年預(yù)計重回平衡

從市場表現(xiàn)上來看，存儲器市場呈現(xiàn)明顯的周期波動的特性。但是從長期趨勢上看，周期波動的幅度正在逐漸減小，行業(yè)整體向上趨勢明確。

從過去30年的存儲器市場看，存儲器市場大致經(jīng)歷4次大回調(diào)，分別是1995—1998年間、2001年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂、2007—2008年間、以及2011—2012年間。這四次回調(diào)的幅度分別為58%、50%、23%和17%。這背后的原因主要是需求端結(jié)構(gòu)的多樣化以及更快地供求再平衡。

從需求端來看，存儲器的需求結(jié)構(gòu)正快速向著多樣化轉(zhuǎn)變，云服務(wù)和大數(shù)據(jù)等應(yīng)用帶來地服務(wù)器DRAM需求將成為DRAM市場未來的強大增長動力。當(dāng)前DRAM的應(yīng)用領(lǐng)域分為移動設(shè)備、服務(wù)器、PC、消費電子等主要領(lǐng)域。據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，2018年DRAM需求增提增長22.3%，其中服務(wù)器應(yīng)用連續(xù)兩年保持最快增速。

智能機DRAM需求增長方式的轉(zhuǎn)變，從出貨量+單機容量的“雙量齊升”轉(zhuǎn)變?yōu)槿萘刻嵘膯吸c拉動。2018年的DRAM位元需求將由過去的智能機需求單點拉動轉(zhuǎn)變?yōu)橹悄軝C需求和服務(wù)器需求齊頭并進。

在智能機出貨量增長乏力的背景下，智能機內(nèi)存容量的增長成為移動端DRAM需求增長的主要動因。雖然移動端DRAM在未來依然會是最重要的DRAM市場，但它的增長速度會因為增長方式的改變而有所放緩。

服務(wù)器DRAM需求快速崛起

2018年全球服務(wù)器出貨量約為1242萬臺，同比增長5%。雖然出貨量增速看似不高，但單機容量卻在迅速上升。據(jù)DRAMeXrange估計，2018年服務(wù)器平均內(nèi)存裝載量已達到145GB，預(yù)計到2021年標(biāo)準(zhǔn)型服務(wù)器的DRAM平均容量將達到366GB，CAGR將達26%。

服務(wù)器領(lǐng)域還有一個不容忽視的趨勢是數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展。相比于服務(wù)器10%以下的整體增長率，數(shù)據(jù)中心的增長高達20%左右。據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，平均一座IDC可容納約8000至15000個服務(wù)器機架，而一個機架可搭載4臺以上不同尺寸的服務(wù)器，據(jù)估算將拉動1000萬GB至200萬GB的服務(wù)器DRAM位元需求。

除了傳統(tǒng)服務(wù)器以外，深度學(xué)習(xí)等特殊需求的服務(wù)器也將有力地驅(qū)動存儲需求。根據(jù)鎂光估計，一臺用于AI訓(xùn)練的服務(wù)器，其DRAM需求是普通服務(wù)器的6倍，SSD需求是普通服務(wù)器的2倍。

而2021年具備AI訓(xùn)練能力的服務(wù)器出貨量將達到全球服務(wù)器出貨量的八分之一，到2025年，這個比例有望增長兩倍。在以上這些因素的共同作用下，未來兩年DRAM和NANDFlash的需求仍將保持20%和40%的復(fù)合年增長率。

從供給端看，DRAM供給增速處于整體放緩的趨勢。DRAM位元供給的增長來源以工藝進步帶來的密度提升為主，以產(chǎn)能擴張帶來的投片量提升為輔。

但是近年來DRAM在進入20nm制程以后，制程提升開始遇到瓶頸，主流廠商出于成本和研發(fā)難度的考慮，對1Xnm及以下制程的開發(fā)應(yīng)用比較謹(jǐn)慎。目前三星、鎂光、海力士正在從20nm向18nm艱難挺進，***廠商除南亞科外仍主要采用38nm制程。制程推進放緩和存儲密度增速降低直接導(dǎo)致DRAM綜合位元供給增速下降。

DRAM工藝推進放緩，產(chǎn)能波動基本穩(wěn)定。全球DRAM產(chǎn)能和投片量在2010年—2013年間有一陣明顯的洗牌。

2010年40nm制程DRAM產(chǎn)品開始進入主流市場，在隨后三年里制程工藝前沿快速提升到20nm。主導(dǎo)技術(shù)換代的三星和海力士在維持產(chǎn)能不變的情況下獲得了存儲密度和成本的雙重優(yōu)勢，導(dǎo)致其他廠商市場份額下降，當(dāng)時的第四大DRAM廠商爾必達在破產(chǎn)后被鎂光收購。

2013—2017年從供給端來看是一個產(chǎn)能的平臺期，總體產(chǎn)能穩(wěn)定，20nm制程占比逐步提升。DRAM價格在這一時期先抑后揚，主要是在消化前期制程提升帶來的豐富供給。當(dāng)前DRAM市場的弱勢與2013年的根本不同在于目前沒有制程的跨越式發(fā)展，供求關(guān)系沒有質(zhì)變。

位元供給增速降低后與需求增速形成差距，我們預(yù)計2020年左右前期庫存和輕微的供大于求會一并消化完畢，重新達到平衡。

2020年后5G和AI的普及和應(yīng)用將成為拉動半導(dǎo)體需求的重要力量，同時下一代DRAM制程也將開始普及，整個DRAM市場供需關(guān)系會更加復(fù)雜，但規(guī)模總體向上的趨勢是確定的。

2019年~2020年除海力士新開無錫產(chǎn)線外，其他廠商都沒有大規(guī)模擴產(chǎn)計劃，總體年投片量增幅在3%~5%之間。在此基礎(chǔ)上，我們綜合考慮供需增長和累計庫存等往年影響進行供求平衡測算。

2016年DRAM價格由跌轉(zhuǎn)漲，因此取2016年為供需平衡年，供給和需求指數(shù)都為100，且每年的供給指數(shù)已經(jīng)包含往年的庫存情況。2016年主要廠商基本完成20nm制程轉(zhuǎn)換，結(jié)束2013年—2016年的技術(shù)主導(dǎo)供給增長。導(dǎo)致2017年位元總體供求增速下降，產(chǎn)生供應(yīng)缺口。

2018年三星擴產(chǎn)8%，海力士無錫廠也小幅擴產(chǎn)，快速填補需求缺口，景氣行情終結(jié)。但是之后除海力士外其他大廠商均無大規(guī)模擴產(chǎn)，1Znm以下制程預(yù)計要在2021年才大規(guī)模進入市場。今明兩年會是一個投片量、制程水平的雙重平臺期，我們預(yù)計需求增速的反超會在2019年消化庫存，2020年前后DRAM位元供求會重新達到平衡。

需要注意的是，因為DRAM的位元需求是剛需，所以很小的供求失衡都會被市場行為放大成很大的價格波動。我們測算出的供給缺口或過剩需求每年基本在5%以下，但市場上價格的直觀反映卻劇烈波動。漲價時的搶單囤貨行為在推高價格的同時也積累了庫存，這些庫存又會在需求增長略有放緩、形成價格拐點時爭相出清，加劇價格的回落。

DRAM市場應(yīng)用推陳出新，下行周期總體可控，依然有很強的活力和價值?，F(xiàn)在的問題就是面對這樣一個空間巨大但又被海外巨頭壟斷的市場，中國存儲DRAM企業(yè)要如何?我們認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)壁壘高企，但并非肩部可破。

從歷史上存儲巨頭的崛起來看，技術(shù)引進+產(chǎn)學(xué)研一體自主研發(fā)+綜合扶持的發(fā)展道路是可行的。加上中國具備極大的需求市場，容易形成產(chǎn)業(yè)良性閉環(huán)，這也是一個其他國家沒有的重要優(yōu)勢。

從存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史中探尋中國存儲發(fā)展路線

存儲器產(chǎn)業(yè)作為一個技術(shù)密集、資本密集、高度壟斷的產(chǎn)業(yè)，對于后發(fā)追趕者來說向來不友好。中國存儲企業(yè)要發(fā)展壯大，除了需要市場需求層面的可行性外，還需要大量的資源投入來進行技術(shù)研發(fā)，并準(zhǔn)備好更高層面的戰(zhàn)略博弈。這不僅是中國的道路，也是存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史中每一個后發(fā)崛起者的道路。

縱觀半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)50年發(fā)展史，大致可以分為三個時期:1970——1982的美國主導(dǎo)時期;1982——1998的日本主導(dǎo)時期;1998至今的韓國主導(dǎo)時期。

除美國例外，其他兩國存儲產(chǎn)業(yè)的崛起都深度綁定了社會多方力量和總體經(jīng)濟發(fā)展。而存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展形式，也由單純的“原發(fā)技術(shù)驅(qū)動”，經(jīng)過“官產(chǎn)學(xué)共同技術(shù)驅(qū)動”，逐漸向“官產(chǎn)學(xué)共同技術(shù)驅(qū)動+多方面長期扶持”演變。

美國主導(dǎo)時期:原發(fā)技術(shù)驅(qū)動的半導(dǎo)體存儲黎明

與日韓不同，美國發(fā)展存儲器的時候，個人計算機還沒有普及。因此當(dāng)時存儲器用量小，價格高，存儲器的發(fā)展離商戰(zhàn)較遠(yuǎn)，更多是以技術(shù)驅(qū)動。

1969年，在諾伊斯和摩爾等初代集成電路元勛們的努力下，英特爾成功開發(fā)出第一塊存儲芯片—容量為64個字節(jié)的3101芯片。

次年，英特爾的12號員工特德.霍夫提出了一種新的設(shè)計，將DRAM存儲器單元的晶體管從四個減少到三個。這樣就可以把更多的存儲單元集結(jié)在一起，大大提高存儲空間，達到1024個字節(jié)。這是我們?nèi)缃袼肈RAM的技術(shù)原型。

到了1970年，英特爾在存儲器的研發(fā)上更進一步，他們開發(fā)出來容量2K的可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)。1972年，英特爾更進一步開發(fā)出了世界上第一塊靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)2102芯片。到了70、80年代，存儲器的容量成指數(shù)增長，4K，16K，64KDRAM芯片先后問世。這一時期的半導(dǎo)體存儲器基本由英特爾和MOSTEK等美國公司壟斷。

日本存儲的崛起:開創(chuàng)“官產(chǎn)學(xué)”一體發(fā)展模式

日本作為后發(fā)的追趕者，開創(chuàng)了頂層設(shè)計護航半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的先河。1970年代的日本政府一手抓“產(chǎn)官學(xué)”一體推進本土半導(dǎo)體實力發(fā)展，一手抓進口壁壘搞產(chǎn)業(yè)保護。

日本的半導(dǎo)體存儲起步并不晚，1971年NEC就推出了DRAM芯片，緊追英特爾的量產(chǎn)DRAM。盡管如此，日本半導(dǎo)體的技術(shù)實力和產(chǎn)品性能與美國依然有巨大差距。同期的美國存儲器已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路(VLSI)，而日本還停留在上一代技術(shù)大規(guī)模集成電路(LSI)。

1976年，由日本政府的通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司作為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實驗室(EIL)、日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，投資了720億日元，攻堅超大規(guī)模集成電路DRAM的技術(shù)難關(guān)。為期四年的VLSI攻關(guān)項目成績斐然，來自不同公司的團隊一方面互通有無，一方面互相競爭，共取得專利1210項，商業(yè)機密347件。

VLSI攻關(guān)項目的成功直接幫助日本在DRAM的成本和可靠性上反超美國，70年代末美國DRAM的良率在50%左右，而日本能做到當(dāng)時驚人的80%，構(gòu)成了壓倒性的總體成本優(yōu)勢。于是日本存儲企業(yè)趁勝追擊挑起價格戰(zhàn)，DRAM芯片從1981年的50美元降到1982年的5美元一片，美國廠商招架不住節(jié)節(jié)敗退。也就是在這個時期，日本存儲產(chǎn)業(yè)完成了對美國的反超。在鼎盛的80年代末90年代初，日本DRAM占到了全球DRAM市場份額的65%以上，最終將英特爾逼退DRAM市場。

日本存儲器產(chǎn)業(yè)崛起留給我們最寶貴的經(jīng)驗，就是揭示了存儲產(chǎn)業(yè)的技術(shù)密集和資本密集的特點，并且論證了官產(chǎn)學(xué)共同發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的可行性和重要性。

過了1960年代的存儲器田園時代以后，存儲器市場迅速增長，技術(shù)壁壘快速增高。在此后的競爭中，對技術(shù)、資金、市場三大要素的要求都極其嚴(yán)苛。單靠一個企業(yè)的力量已經(jīng)難以追趕，因此后發(fā)追趕者勢必要通過企業(yè)和政府的通力合作才能成功。

韓國存儲的崛起:研發(fā)+扶持打贏持久戰(zhàn)

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)早期的發(fā)展憑借的是低廉的勞動力成本和土地成本，吸引外商投資建廠。這一時期韓國快速積累了大量資本，同時形成了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的雛形。但缺少技術(shù)、勞動密集的低端發(fā)展模式在70年代走到了盡頭。

為了推動產(chǎn)業(yè)升級，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進計劃”，并于1975年公布了扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，強調(diào)實現(xiàn)電子配件及半導(dǎo)體生產(chǎn)的本土化。

有日本的成功經(jīng)驗在前，韓國深知必須掌握核心科技才能在存儲之路上笑走得長遠(yuǎn)。在1982年到1987年的“半導(dǎo)體工業(yè)振興計劃”期間，韓國效仿日本的VLSI攻堅項目，由韓國電子電子通信研究所牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代三大集團以及韓國六所大學(xué)，一起對DRAM進行技術(shù)攻關(guān)。該項目持續(xù)三年，研發(fā)費用達1.1億美元，韓國政府便承擔(dān)了57%。

除了技術(shù)追趕之外，韓國存儲霸權(quán)的確立還離不開歷史機遇和殘酷的商業(yè)搏殺。韓國存儲產(chǎn)業(yè)抓到的最大歷史機遇就是1987年的美日半導(dǎo)體爭端。這場爭端最終以日本退讓，承諾通過減少DRAM產(chǎn)量來提高芯片價格。但此時適逢計算機普及浪潮，DRAM減產(chǎn)造成全球256KDRAM缺口巨大，韓國存儲企業(yè)抓住機會，順勢填補市場空白。

在商戰(zhàn)方面，韓國的決心和實力可謂是破釜沉舟，不達目的不罷休，不顧長期巨虧，咬定存儲產(chǎn)業(yè)死死不放。比如，三星于1984年推出64KDRAM時，正趕上全球半導(dǎo)體業(yè)低潮，內(nèi)存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當(dāng)時的生產(chǎn)成本是每片1.3美元，這意味著每賣出一片內(nèi)存三星便虧1美元。

而三星在后來的90年代，依然連續(xù)9年巨虧，在亞洲金融危機時負(fù)債率一度高達300%。在此期間，韓國政府和國內(nèi)財團的資金力量都力挺三星，光是韓國政府就以優(yōu)惠利率先后提供了超過60億美元的政策性貸款。

市場和產(chǎn)能供給皆在中國，國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)崛起大勢所趨。在供給端，中國大陸已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體資本支出規(guī)模最大、增速最快的地區(qū)。未來幾年大陸晶圓資本支出千億量級，同時內(nèi)資占比顯著提升，尤其是以合肥長鑫等為代表的存儲器廠將陸續(xù)投產(chǎn)。在需求端，中國的半導(dǎo)體消費已占到全球60%以上，國產(chǎn)智能機、PC、服務(wù)器市場份額不斷提高，未來有望快速吸收國產(chǎn)存儲器產(chǎn)能，形成良性閉環(huán)。