本禮拜，國(guó)內(nèi)兩大晶圓代工廠華虹宏力和中芯國(guó)際先后發(fā)布了其最新一季度的財(cái)報(bào)。受到本身產(chǎn)品布局和現(xiàn)在全球整體行情的影響，兩大晶圓廠都取得了不錯(cuò)的成績(jī)。

華虹宏力方面表示，在剛過(guò)去的第二財(cái)季，公司銷售收入達(dá)到創(chuàng)新高的2.3億美元，同比增長(zhǎng)了16.1%，環(huán)比也增長(zhǎng)了9.4%。毛利率更是接近34%；中芯國(guó)際也在昨日公布了其新一季的財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，他們?cè)诙径鹊匿N售額為8.9億美元，比去年同期提升了18.6%，環(huán)比也增加了7.2%。但中芯國(guó)際本季的毛利率只有24.5%。

從數(shù)據(jù)上看，這兩家公司在和臺(tái)積電和聯(lián)電等代工廠相比，無(wú)論是營(yíng)收還是利潤(rùn)，都還有差距，尤其是在和臺(tái)積電相比時(shí)，差距更是明顯。但是為了充當(dāng)中國(guó)芯的強(qiáng)大后盾，這兩個(gè)企業(yè)正在各自的領(lǐng)域加快布局。

強(qiáng)攻先進(jìn)制程，中芯國(guó)際14nm開始導(dǎo)入客戶

雖然與晶圓代工龍頭臺(tái)積電比，還有幾代的差距，但中芯國(guó)際還是國(guó)內(nèi)先進(jìn)工藝的代表。尤其是在梁孟松在去年入主之后，中芯國(guó)際的人更是有了追逐領(lǐng)頭羊的信心。

在昨日的財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上，中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官，趙海軍博士和梁孟松博士說(shuō)：“中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量，良率達(dá)到業(yè)界水平。我們將繼續(xù)擴(kuò)展和提升我們的成熟和先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)，提供客戶全面有競(jìng)爭(zhēng)力的服務(wù)?！?/p>

14nm的新進(jìn)展，對(duì)于國(guó)內(nèi)晶圓代工產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一針興奮劑。

近年來(lái)，在摩爾定律和移動(dòng)終端、AI、HPC乃至礦機(jī)等應(yīng)用需求的推動(dòng)下，晶圓代工廠的工藝制程技術(shù)從40nm、28nm一路狂奔到7nm，甚至5nm。臺(tái)積電、三星和格芯憑借自身的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在當(dāng)前最先進(jìn)的7nm上，領(lǐng)先于所有其他對(duì)手。全球代工老三聯(lián)電雖然因?yàn)榧夹g(shù)、資金投入和市場(chǎng)等多方面的考慮，已經(jīng)退出了先進(jìn)進(jìn)程的爭(zhēng)奪。但是中芯國(guó)際與他們相比，依然差距明顯。

但一方面因?yàn)橄冗M(jìn)制程方面的利潤(rùn)具有極大的吸引力，另一方面，國(guó)產(chǎn)芯片的崛起對(duì)中芯有更高的要求，因此他們對(duì)這些巨頭亦步亦趨。但受限于本身的技術(shù)水平，追趕起來(lái)異常困難。為此，他們找來(lái)了幫助三星在14nm實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電16nm反超的梁孟松助陣，推進(jìn)了14nm和28nm HKC的發(fā)展，謀求更先進(jìn)的未來(lái)。毫無(wú)疑問的是，這些預(yù)期都取得了如約的進(jìn)展。

除了先進(jìn)工藝之外，中芯在其他制程上也在穩(wěn)步推進(jìn)，擴(kuò)大公司業(yè)務(wù)。

財(cái)報(bào)顯示，如果按應(yīng)用分，中芯國(guó)際本季度營(yíng)收最多的來(lái)源是通訊業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)占比達(dá)到了40.3%，接近去年同期的水平，較之Q1的33.6%有了明顯增長(zhǎng)，而這是受到終端業(yè)務(wù)周期性的影響。緊隨其后的是消費(fèi)業(yè)務(wù)，這季度的占比也達(dá)到37.1%，與去年同期基本持平。相比于第一季度同時(shí)也是上漲。

如果從技術(shù)上劃分，中芯國(guó)際在0.15/0.18微米工藝上的營(yíng)收占比是最高的，緊隨其后的是55/65nm，然后就是55/65納米。而現(xiàn)在市場(chǎng)上最受喜愛的28nm方面，只占了中芯國(guó)際營(yíng)收的8.6%。

對(duì)比臺(tái)積電Q2的營(yíng)收，28納米工藝仍是他們營(yíng)收的主力，占比達(dá)到了23%，10納米晶圓出貨量也占到總晶圓營(yíng)收的13%，16/20納米晶圓占25%?？梢钥吹剑_(tái)積電這些主要營(yíng)收節(jié)點(diǎn)，都是中芯國(guó)際所缺失的，而臺(tái)積電也靠著這些先進(jìn)工藝，獲得了47.8%的毛利率。

對(duì)中芯國(guó)際而言，這條追趕之路絕不會(huì)是坦途，但卻是一條必行之路

聚焦特色工藝，華虹宏力的突破之路

華虹宏力與中芯國(guó)際又不是不同的一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。

據(jù)國(guó)君證券的統(tǒng)計(jì)顯示，華虹宏力在過(guò)去的一個(gè)季度獲得的2.3億美金中，有八千萬(wàn)是來(lái)自嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，這主要是由于MCU和智能卡芯片的需求增加所驅(qū)動(dòng)的；分立器件方面，華虹則在本季度收獲了7600萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)了45%，這主要由于通用MOSFET、超級(jí)結(jié)和IGBT產(chǎn)品的需求增加所驅(qū)動(dòng)的；在模擬與電源管理方面，華虹本季的營(yíng)收為3750萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)4.4%，這同樣是產(chǎn)品需求引致的；至于邏輯及射頻方面，本季營(yíng)收只有2160萬(wàn)美元，同比降低2.4%，主要由于射頻產(chǎn)品的需求減少。

從以上數(shù)據(jù)可以看到，邏輯類產(chǎn)品只占了他們營(yíng)收的很少一部分，現(xiàn)在獲得大利潤(rùn)的產(chǎn)品雖然有市場(chǎng)作用的結(jié)果。但歸根到底，這與華虹走特色工藝的堅(jiān)持密不可分。

如前所述，公司在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻SOI等技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，并經(jīng)歷維護(hù)其在市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位。數(shù)據(jù)顯示，他們?cè)?017年金融IC卡出貨量同比增長(zhǎng)超過(guò)200%，創(chuàng)歷史新高；至于純金融IC卡、社?？ā⒕用窠】悼ǖ葞Ы鹑谥Ц豆δ艿闹悄芸ㄐ酒?a target="_blank">微控制器（MCU）芯片方面，華虹表現(xiàn)也不錯(cuò)。

公司的提早布局，才能在這些市場(chǎng)的需求起來(lái)的時(shí)候，為公司取得這樣的成績(jī)。而華虹也正在進(jìn)一步強(qiáng)化自己在這方向的影響力，在面對(duì)產(chǎn)能緊缺的狀態(tài)，擴(kuò)充無(wú)錫的產(chǎn)品線，

今年四月，他們與合作伙伴一起斥巨資建立的華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目（華虹7廠）一期工程正式開工。

資料顯示，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級(jí)90～65納米、月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。計(jì)劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動(dòng)力機(jī)電設(shè)備安裝、通線并逐步實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)50億元。

最近，各種元器件價(jià)格的暴漲，利好了華虹。展望未來(lái)，各種產(chǎn)品的需求也會(huì)日益增加，勢(shì)必會(huì)給華虹所專注的特色工藝業(yè)務(wù)帶來(lái)更好的回報(bào)。

即使兩者在技術(shù)和方向上，有各自的專注和追求，但無(wú)論是中芯國(guó)際還是華虹宏力，都是為打造國(guó)產(chǎn)芯片的堅(jiān)實(shí)支柱作準(zhǔn)備，從這方面看，又都是殊途同歸的。