MDT獨特的TMR技術(shù)所造就的新型Z軸TMR傳感器可作為霍爾效應傳感器的替代品，并擁有優(yōu)異性能和超低功耗

多維科技(MDT) 開發(fā)的新型Z 軸 TMR 傳感器對穿過傳感器表面的磁場垂直分量進行測量，在感應方向上與霍爾效應傳感器相兼容。它們?yōu)槎噍S電子羅盤 (eCompass)、電流傳感器和通用線性磁場傳感提供了新的選項，并擁有高靈敏度、低噪聲、超低功耗和卓越的溫度穩(wěn)定性等 TMR 傳感器的優(yōu)點。這些優(yōu)點是霍爾效應傳感器所不具備的。

多維科技董事長兼首席執(zhí)行官薛松生博士表示：“MDT 對 Z 軸 TMR 傳感器的發(fā)明是磁傳感器技術(shù)進步中的一項重大突破。我們克服了 Z 軸 TMR 傳感器開發(fā)過程中必然會遇到的艱難的工藝和設計挑戰(zhàn)，同時保留了我們現(xiàn)有的平面感應 TMR 傳感器的優(yōu)異性能。我們的客戶將可以沿用為霍爾效應方案設計的機械結(jié)構(gòu)或磁鐵，同時采用 MDT 的 Z 軸 TMR 傳感器并享受諸多霍爾效應傳感器無法提供的 TMR 技術(shù)的優(yōu)點。Z 軸 TMR 傳感器可整合進多軸電子羅盤、以及包括電流傳感器的定制設計，或作為通用線性磁場傳感的獨立器件。我們期望 Z 軸 TMR 傳感器可以將 MDT 的 TMR 技術(shù)優(yōu)勢，包括更好的性能、更低的功耗和更高的可用性，帶到更廣闊的磁場傳感細分市場，而這些市場目前被霍爾效應傳感器占據(jù)了主導地位?！?/p>

MDT旗下Z軸TMR傳感器的獨特性能優(yōu)勢（霍爾效應傳感器所不具備的）：

-可定制超過 1mV/V/Oe 的高靈敏度

-電阻值可以在很寬的范圍內(nèi)輕易調(diào)整到高達數(shù)兆歐姆，可滿足從高速度到超低功耗的各種應用要求

-低噪聲譜密度和寬頻帶

-在零下40至零上125攝氏度之間展現(xiàn)出卓越的溫度穩(wěn)定性