三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DI
發(fā)表于 07-19 09:18
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三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DI
發(fā)表于 07-19 09:15
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三菱電機集團近日宣布,將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體,專為軌道交通車輛等大型工
發(fā)表于 04-10 11:34
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SiC芯片可以高溫工作,與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進,本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)
發(fā)表于 02-12 11:26
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三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
發(fā)表于 01-22 10:58
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在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
發(fā)表于 01-08 13:48
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在現(xiàn)代工業(yè)自動化領(lǐng)域,三菱電機以其高質(zhì)量和可靠性而聞名。三菱PLC伺服控制系統(tǒng)是實現(xiàn)精確運動控制和高效生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一。 一、三菱PLC伺服控制系統(tǒng)概述
發(fā)表于 12-26 17:32
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三菱電機集團近日宣布,將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。
發(fā)表于 12-25 15:59
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三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
發(fā)表于 12-18 17:35
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三菱電機近日宣布了一項重大投資計劃,將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠預(yù)計于2026年10月正式投入運營,旨在提升三菱
發(fā)表于 12-02 10:27
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三菱電機集團近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該計劃最初于2023年3月14日宣布,預(yù)計于2026年10月開始運營。
發(fā)表于 11-20 17:57
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三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片,用于半導(dǎo)體模塊的組裝。這些先進的Si功率
發(fā)表于 11-14 15:03
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三菱電機(Mitsubishi Electric)是一家知名的日本企業(yè),其生產(chǎn)的PLC(可編程邏輯控制器)廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化領(lǐng)域。然而,在使用過程中,PLC可能會出現(xiàn)異常停止的情況。 一、三菱
發(fā)表于 07-25 10:13
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三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,
發(fā)表于 07-24 10:24
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三菱電機從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的
發(fā)表于 07-24 10:17
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