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關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

弘模半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:djl ? 2019-09-08 11:25 ? 次閱讀
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2017 在杭州電子科技大學(xué)舉辦的MOS-AK 器件模型國(guó)際會(huì)議,我們很欣喜得看到了國(guó)內(nèi)對(duì)基礎(chǔ)研究有很多投入的公司,它就是鴻之微科技(HZWTECH), 在這次會(huì)議上帶來(lái)了對(duì)新材料,新器件和對(duì)器件性能表征有挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)和仿真解決方案。

仿真是設(shè)計(jì)人員和半導(dǎo)體廠之間的橋梁,演講以當(dāng)前傳統(tǒng)仿真碰到的問(wèn)題入手,隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮小,越來(lái)越多的物理現(xiàn)象需要更多的參數(shù)來(lái)解釋。 從工藝仿真,器件搭建到最終的器件仿真,整個(gè)工程是龐大而耗時(shí)。更嚴(yán)重的問(wèn)題是對(duì)于某些物理現(xiàn)象和新材料,傳統(tǒng)仿真無(wú)從著手。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

在這種背景下,更基于底層的原子TCAD仿真,相比于傳統(tǒng)的工具,讓人感到返樸歸真的感覺(jué)--簡(jiǎn)單,最基礎(chǔ)的才是好。在量子仿真中,使用了電子傳輸?shù)娜孔用枋觯牧咸匦缘念A(yù)測(cè)和非平衡格林函數(shù)的可測(cè)試性設(shè)計(jì),同時(shí)也可以獲得緊湊模型和必要的參數(shù),為新器件設(shè)計(jì)提供預(yù)測(cè)幫助。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

這種基于原子的仿真,應(yīng)用非常廣泛,對(duì)于前沿的新材料,新器件開(kāi)發(fā)有著很好的指導(dǎo)意義。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

從上面的應(yīng)用來(lái)看,原子仿真的優(yōu)勢(shì)是明顯的,對(duì)于材料,器件特性有非常深入和準(zhǔn)確的描述,特別針對(duì)于目前熱門(mén)的TFT,MTJ ,FDSOI和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)MOSFET器件研究是很好的切入點(diǎn)。作為一個(gè)完整的仿真工具,和傳統(tǒng)TCAD一樣,需要抽出器件參數(shù),用于將來(lái)的仿真。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

報(bào)告對(duì)Atomistic-TCAD工具作了總結(jié),對(duì)將來(lái)的應(yīng)用也是充滿期待。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

從大會(huì)的反饋來(lái)看,很多對(duì)新器件,新材料研究的單位是非常有興趣的,同時(shí)對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的前沿預(yù)測(cè)有非常好的借鑒,也能使中國(guó)半導(dǎo)體能在基礎(chǔ)研究上和歐美等先進(jìn)國(guó)家縮小差距。

上述材料由HZWTECH提供,作為本次的贊助商和演講單位,確實(shí)給國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了一股清新的味道。希望明年2018能看到國(guó)內(nèi)有更多扎根于基礎(chǔ)研究的企業(yè)來(lái)到國(guó)際模型會(huì)議演講。

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