華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部李健在第八屆年度中國電子ICT媒體論壇暨2019產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上以《電動汽車“芯”機遇》為題為現(xiàn)場嘉賓分享電動汽車給功率半導(dǎo)體帶來的發(fā)展機遇，并重點介紹了華虹宏力在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝技術(shù)。

李健開場就表示，今天在這里和大家共同探討一下電動汽車孕育的新機遇。當(dāng)機遇來的時候，我們必須要有核心的技術(shù)，才能夠抓住機遇，開創(chuàng)我們的未來。

芯機遇，電動汽車助力功率半導(dǎo)體再迎春天

李健表示，電動汽車是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展新機遇，是半導(dǎo)體發(fā)展下一個十年的引領(lǐng)載體。他說，從2017年開始，智能手機已顯出疲態(tài)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急需新的市場應(yīng)用拉動上揚，而能夠擔(dān)任多技術(shù)融合載體重任的當(dāng)屬智能汽車。

李健分析說，首先汽車“電子化”是大勢所趨，從汽車成本結(jié)構(gòu)來看，未來芯片成本有望占汽車總成本的50%以上，這將給半導(dǎo)體帶來巨大的市場需求。

其次，雖然汽車是個傳統(tǒng)的制造業(yè)，但是個能讓人熱血沸騰的制造業(yè)，因為汽車產(chǎn)業(yè)承載了人類的夢想。當(dāng)傳統(tǒng)的汽車制造業(yè)遇到當(dāng)今的半導(dǎo)體，就像千里馬插上翅膀，會變成下一個引領(lǐng)浪潮的“才子”。李健表示，自動駕駛處理器、ADAS芯片為電動汽車帶來冷靜的頭腦；同時，IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體器件為電動汽車帶來更強壯的肌肉，讓千里馬跑得更快。

汽車電動化是全球趨勢。有數(shù)據(jù)表明，2020年，全球新能源車的銷售目標(biāo)為700萬臺，而中國內(nèi)地為200萬臺。有別于傳統(tǒng)汽車，新能源車配有電機、電池、車載充電機、電機逆變控制器和電動車空調(diào)壓縮機PTC加熱器等，這都需要大量的功率器件芯片。除了車輛本身“電動化”之外，還給后裝零部件市場和配套用電設(shè)施帶來新需求，比如直流快速充電樁。

圖片來源：嘉賓演講PPT

電動汽車中功率芯片的用途非常廣泛，如啟停系統(tǒng)、DC/DC變壓器（高壓轉(zhuǎn)12V）、DC/AC主逆變器+DC/DC升壓、發(fā)電機、車載充電機等，都要用到功率器件。

李健以IGBT為例，對電動汽車中功率器件的規(guī)模進(jìn)行了介紹，他說一臺電動車總共需要48顆IGBT芯片，其中前后雙電機共需要36顆，車載充電機需要4顆，電動空調(diào)8顆。同時后裝維修零配件市場按1：1配套。如果2020年國內(nèi)電動汽車銷量達(dá)到200萬臺，國內(nèi)市場大約需要每月10萬片8英寸車規(guī)級IGBT晶圓產(chǎn)能（按每片晶圓容納120顆IGBT芯片折算）。基于國內(nèi)電動車市場占全球市場的1/3，2020年全球汽車市場可能需要超過每月30萬片8英寸IGBT晶圓產(chǎn)能！

李健表示，除了電動汽車市場，IGBT在其它應(yīng)用市場中也廣受歡迎，業(yè)內(nèi)有看法認(rèn)為還需要新建十座IGBT晶圓廠。

芯技術(shù)，華虹宏力聚焦功率器件特色工藝

華虹宏力從2002年開始自主創(chuàng)“芯”路，是全球第一家提供功率器件代工服務(wù)的8英寸純晶圓代工廠。2002年到2010年，陸續(xù)完成先進(jìn)的溝槽型中低壓MOSFET/SGT/TBO等功率器件技術(shù)開發(fā)；2010年，高壓600V~700V溝槽型、平面型MOSFET工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段；2011年第一代深溝槽超級結(jié)工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段，同年1200V溝槽型NPT IGBT工藝也完成研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段；2013年，第2代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場，同時600V~1200V溝槽型場截止型IGBT（FDB工藝）也成功量產(chǎn)。

作為華虹宏力的核心業(yè)務(wù)之一，公司在功率器件方面主要聚焦在以下4個方面：

圖片來源：嘉賓演講PPT

一是溝槽型MOS/SGT，適合小于300V電壓的應(yīng)用，如汽車輔助系統(tǒng)應(yīng)用12V/24V/48V等。硅基MOSFET是功率器件工藝的基礎(chǔ)，后續(xù)工藝都是基于這個工藝平臺不斷升級、完善，華虹宏力致力于優(yōu)化pitch size，提升元胞密度，降低導(dǎo)通電阻。華虹宏力的MOSFET產(chǎn)品已通過車規(guī)認(rèn)證，并配合客戶完成相對核心關(guān)鍵部件如汽車油泵、轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)等的應(yīng)用。目前華虹宏力8英寸MOSFET晶圓出貨已超過700萬片。

二是超級結(jié)MOSFET工藝（DT-SJ），涵蓋300V到800V，應(yīng)用于汽車動力電池電壓轉(zhuǎn)12V低電壓及直流充電樁功率模塊。超級結(jié)MOSFET最顯著特征為P柱結(jié)構(gòu)，華虹宏力采用擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的深溝槽型P柱，可大幅降低導(dǎo)通電阻，同時，在生產(chǎn)制造過程中可大幅縮短加工周期、降低生產(chǎn)成本。超級結(jié)MOSFET適用于500V~900V電壓段，它的電阻更小，效率更高，散熱相對低，所以在要求嚴(yán)苛的開關(guān)電源里有大量的應(yīng)用。

超級結(jié)MOSFET是華虹宏力功率半導(dǎo)體工藝平臺的中流砥柱。2011年，第一代超級結(jié)MOSFET工藝開始量產(chǎn)；2013年，通過技術(shù)創(chuàng)新，優(yōu)化pitch size，降低結(jié)電阻，推出第二代超級結(jié)MOSFET工藝；2015年，進(jìn)一步優(yōu)化，推出2.5代超級結(jié)MOSFET工藝；2017年，第三代超級結(jié)MOSFET工藝試生產(chǎn)。

李健表示，相比前代的平面型柵極，華虹宏力第三代超級結(jié)MOSFET在結(jié)構(gòu)上有了創(chuàng)新，采用垂直溝槽柵（Vertical trench）結(jié)構(gòu)，有效降低結(jié)電阻，進(jìn)一步優(yōu)化pitch size，可提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

用單位面積導(dǎo)通電阻來衡量的話，華虹宏力超級結(jié)MOSFET工藝每一代新技術(shù)都優(yōu)化25%以上，持續(xù)為客戶創(chuàng)造更多價值。

李健強調(diào)，垂直溝槽柵超級結(jié)MOSFET是華虹宏力自主開發(fā)、擁有完全知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)“芯”技術(shù)。

三是IGBT，作為電動汽車的核心，主要是在600V~3300V甚至6500V高壓上的應(yīng)用，如汽車主逆變、車載充電機等。

李健表示，硅基IGBT作為電動汽車的核“芯”，非?？简灳A制造的能力和經(jīng)驗。從器件結(jié)構(gòu)來看，IGBT芯片正面類似普通的MOSFET，難點在于實現(xiàn)背面結(jié)構(gòu)。

華虹宏力是國內(nèi)為數(shù)不多可用8英寸晶圓產(chǎn)線為客戶代工的廠商之一，公司擁有背面薄片、背面高能離子注入、背面激光退火以及背面金屬化等一整套完整的FS IGBT的背面加工處理能力，使得客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國際IDM產(chǎn)品。

IGBT晶圓的背面加工需要很多特殊的工藝制程。以最簡單的薄片工藝來說，一般正常的8英寸晶圓厚700多微米，減薄后需要達(dá)到60微米甚至更薄，就像紙一樣，不采用特殊設(shè)備，晶圓就會翹曲而無法進(jìn)行后續(xù)加工。

華虹宏力IGBT早期以1200V LPT、1700V NPT/FS為主；目前集中在場截止型（FS）工藝上，以600伏和1200伏電壓段為主；3300V~6500V高壓段工藝的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)完成，正在進(jìn)行產(chǎn)品驗證。

四是GaN/SiC新材料，未來五到十年，SiC類功率器件會成為汽車市場的主力，主要用于主逆變器和大功率直流快充的充電樁上。

李健介紹說，寬禁帶材料（GaN/SiC）優(yōu)勢非常明顯，未來10到15年，寬禁帶材料的市場空間非常巨大，但目前可靠性還有待進(jìn)一步觀察。

李健對GaN和SiC進(jìn)行了一個簡單的對比。從市場應(yīng)用需求來講，SiC的市場應(yīng)用和硅基IGBT完全重合，應(yīng)用場景明確，GaN則瞄準(zhǔn)新興領(lǐng)域，如無線充電和無人駕駛LiDAR，應(yīng)用場景存在一定的變數(shù)。從技術(shù)成熟度來講，SiC二級管技術(shù)已成熟，MOS管也已小批量供貨。而SiC基GaN雖然相對成熟，但成本高；Si基GaN則仍不成熟。從性價比來講，SiC比較明確，未來大量量產(chǎn)后有望快速拉低成本。而GaN的則有待觀察，如果新型應(yīng)用不能如期上量，成本下降會比較緩慢。不過Si基GaN最大的優(yōu)勢在于可以和傳統(tǒng)CMOS產(chǎn)線兼容，而SiC則做不到這點。

芯未來，施行“8+12”戰(zhàn)略布局

盡管半導(dǎo)體市場風(fēng)云際會，公司整體戰(zhàn)略是開辟“超越摩爾”新路，深耕“特色+優(yōu)勢”工藝，實行“8+12”的戰(zhàn)略布局。

圖片來源：嘉賓演講PPT

8英寸的戰(zhàn)略定位是“廣積糧”，重點是“積”。華虹宏力有近20年的特色工藝技術(shù)積累，是業(yè)內(nèi)首個擁有深溝槽超級結(jié)(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺的8英寸代工廠，公司現(xiàn)已推出第三代DT-SJ工藝平臺。在IGBT方面讓客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國際IDM產(chǎn)品。

公司積累了眾多戰(zhàn)略客戶多年合作的情誼；連續(xù)33個季度盈利的赫赫成績，也為華虹宏力積累了大量的資本。

正因為有這些積累，華虹宏力可以開始布局12英寸先進(jìn)工藝。

12英寸的戰(zhàn)略定位是“高筑墻”，重點是“高”。華虹宏力將通過建設(shè)12英寸生產(chǎn)線，延伸8英寸特色工藝優(yōu)勢，拓寬護(hù)城河，提高技術(shù)壁壘，拉開與身后競爭者的差距。

在擴充產(chǎn)能的同時，技術(shù)節(jié)點也推進(jìn)到90/55納米，以便給客戶提供更先進(jìn)的工藝支持，攜手再上新臺階。

李健總結(jié)到，只有積累了雄厚的底蘊，才能夠在更高的舞臺上走得更穩(wěn)。