一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)的介紹和應(yīng)用

0oS6_華虹宏 ? 來(lái)源:djl ? 2019-10-17 14:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”,股份代號(hào):1347.HK)宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。

第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm?2??,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-Area, SOA),保證產(chǎn)品的高可靠性。該工藝平臺(tái)最少光罩層數(shù)為18層。該工藝平臺(tái)提供豐富的可選擇器件,包括高阻、電容、Zener二極管、肖特基二極管等。此外,該平臺(tái)還提供in-house設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、SRAM編譯器、IO和eFuse,從而為電源管理芯片提供完善的設(shè)計(jì)解決方案。目前,在與國(guó)內(nèi)外多家客戶(hù)緊密合作下,公司已完成應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個(gè)領(lǐng)域芯片產(chǎn)品的驗(yàn)證,并成功進(jìn)入量產(chǎn)。

以綠色科技為主導(dǎo),電源管理技術(shù)扮演著舉足輕重的地位。華虹半導(dǎo)體已引入全面的電源管理(PMIC)BCD工藝方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米節(jié)點(diǎn)上積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。未來(lái),華虹半導(dǎo)體將繼續(xù)發(fā)揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術(shù)優(yōu)勢(shì),提供二者的集成方案,為智能化電源產(chǎn)品,打造高端電源管理系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。

?????華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導(dǎo)體一直將電源管理平臺(tái)視作工藝研發(fā)的重點(diǎn)之一,第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)標(biāo)志著我們?cè)赑MIC領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力再度提升。展望未來(lái),我們還將持續(xù)拓展更先進(jìn)的智能電源管理平臺(tái),為客戶(hù)提供差異化技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    441085
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238092
  • 電源管理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    117

    文章

    6437

    瀏覽量

    146136
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    恩智浦推出第二代OrangeBox車(chē)規(guī)級(jí)開(kāi)發(fā)平臺(tái)

    第二代OrangeBox開(kāi)發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?660次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿(mǎn)足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái),提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿(mǎn)足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?510次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿(mǎn)足各種CXL應(yīng)用需求

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?549次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?494次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 <b class='flag-5'>V</b> TO-247-4HC高爬電距離

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)第二代高通3D Sonic傳感器

    目前,已有多款搭載驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)的新機(jī)陸續(xù)發(fā)布,其中不少機(jī)型采用第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖,為用戶(hù)帶來(lái)了更為便捷、高效的解鎖體驗(yàn)。作為高通新一超聲波指紋解鎖解決方案,第二
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:05 ?857次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高通第二代驍龍XR2+平臺(tái)

    在全新的數(shù)字浪潮中,虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和混合現(xiàn)實(shí)(MR)技術(shù)不斷刷新著人們的感官體驗(yàn)。作為這些技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)力,平臺(tái)的性能升級(jí)也變得尤為重要。高通打造的第二代驍龍XR2+平臺(tái),能夠帶來(lái)更加清晰沉浸的MR和VR體驗(yàn),為開(kāi)啟沉浸式未來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:28 ?1082次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

    新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為
    的頭像 發(fā)表于 11-29 01:03 ?486次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? 34mΩ 1200<b class='flag-5'>V</b> SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

    MBR4040CT肖特基極管40A電流40V規(guī)格介紹

    MBR4040CT肖特基極管40A電流40V規(guī)格介紹
    的頭像 發(fā)表于 11-13 16:26 ?902次閱讀
    MBR4040CT肖特基<b class='flag-5'>二</b>極管<b class='flag-5'>40</b>A電流<b class='flag-5'>40V</b>規(guī)格<b class='flag-5'>介紹</b>

    AMD推出第二代Versal Premium系列

    近日,AMD(超威,納斯達(dá)克股票代碼:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,這款自適應(yīng) SoC 平臺(tái)旨在面向各種工作負(fù)載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:27 ?927次閱讀

    SK啟方半導(dǎo)體推出第四0.18微米BCD工藝

    韓國(guó)知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體宣布,其自主研發(fā)的第四0.18微米BCD工藝已正式面世,較上一
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:54 ?1030次閱讀

    新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

    新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:03 ?671次閱讀
    新品 | 采用<b class='flag-5'>第二代</b>1200<b class='flag-5'>V</b> CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

    埃安第二代AION V 520激光雷達(dá)版發(fā)布

    埃安汽車(chē)再度引領(lǐng)智能出行新風(fēng)尚,近日正式推出了第二代AION V 520激光雷達(dá)版,以16.98萬(wàn)元的親民售價(jià)震撼市場(chǎng)。這款車(chē)型不僅搭載了高性能的英偉達(dá)Orin-X高算力平臺(tái),算力高達(dá)254TOPS,更配備了新一
    的頭像 發(fā)表于 09-02 15:48 ?621次閱讀

    高通發(fā)布第二代驍龍4s移動(dòng)平臺(tái),加速5G普及與體驗(yàn)升級(jí)

    高通技術(shù)公司近期震撼發(fā)布了其第二代驍龍4s移動(dòng)平臺(tái),標(biāo)志著5G技術(shù)向更廣泛用戶(hù)群體的深度滲透與可靠性提升邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。此次發(fā)布的平臺(tái),不僅是高通持續(xù)以工程技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)變革的又一力
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:33 ?1092次閱讀

    高通推出第二代驍龍4s移動(dòng)平臺(tái)

    高通技術(shù)公司今日宣布推出第二代驍龍4s移動(dòng)平臺(tái),旨在讓5G更普及、更可靠。這一全新平臺(tái)再次展示了高通致力于用工程技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)進(jìn)步的承諾,引領(lǐng)全球從4G向
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:12 ?1241次閱讀

    NVIDIA DRIVE助力廣汽埃安第二代AION V埃安霸王龍上市

    近日,廣汽埃安舉辦第二代 Aion V——埃安霸王龍上市發(fā)布會(huì),在 NVIDIA 助力下,埃安霸王龍以八大領(lǐng)先產(chǎn)品力塑造“全球新經(jīng)典”。
    的頭像 發(fā)表于 07-27 10:57 ?1148次閱讀