開(kāi)展首日，來(lái)自華虹宏力研發(fā)部門(mén)的邢軍軍科長(zhǎng)便已在“第二屆(上海)電源半導(dǎo)體技術(shù)論壇”以“深耕卓越功率技術(shù)，智造綠色‘芯’未來(lái)”為題火熱開(kāi)講，讓我們一起走進(jìn)現(xiàn)場(chǎng)吧！

IC China2017現(xiàn)場(chǎng)新聞速遞：

華虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工廠，在生產(chǎn)功率器件方面擁有15年的良好往績(jī)，可提供全電壓解決方案，更是業(yè)內(nèi)首個(gè)擁有深溝槽超級(jí)結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場(chǎng)截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺(tái)的200mm代工廠。目前，華虹宏力在加速研發(fā)適用于高端工業(yè)及新能源汽車(chē)的IGBT技術(shù)。

IGBT技術(shù)隨著綠色能源、工業(yè)4.0及新能源汽車(chē)等市場(chǎng)的發(fā)展，需求日益旺盛，引起了業(yè)界廣泛關(guān)注。華虹宏力擁有國(guó)內(nèi)最全、最先進(jìn)的全套IGBT背面制程代工技術(shù)，可生產(chǎn)技術(shù)性能與國(guó)際領(lǐng)先者的產(chǎn)品相比肩的場(chǎng)截止型IGBT。邢軍軍科長(zhǎng)表示：“通過(guò)設(shè)備升級(jí)、改造，華虹宏力成功配置了一整套IGBT超薄片（可生產(chǎn)至60微米薄片）背面工藝/測(cè)試生產(chǎn)線，成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。配合獨(dú)特的激光退火工藝用于背面注入雜質(zhì)激活，大大提高背面注入雜質(zhì)的激活率?！贝送?，華虹宏力的IGBT采用了FS/SPT/LPT（軟穿通）縱向結(jié)構(gòu)器件及溝槽柵柵結(jié)構(gòu)，有效降低了損耗和降低生產(chǎn)成本。

超級(jí)結(jié)產(chǎn)品作為一種新型的功率型MOSFET結(jié)構(gòu)，擁有極低的傳導(dǎo)損耗和極快的開(kāi)關(guān)速度，在工業(yè)電源、逆變器、快速充電器、電動(dòng)車(chē)充電樁等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域有著諸多應(yīng)用。華虹宏力獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的DT-SJ工藝享有加工周期短，費(fèi)用低，光罩層數(shù)少（一般8~9層photo layer）等顯著優(yōu)勢(shì)?！敖衲昴瓿酰A虹宏力又推出了第三代 Super Junction平臺(tái)?！毙宪娷娍崎L(zhǎng)介紹道，“該平臺(tái)每單元區(qū)域?qū)娮瑁?a href="http://www.www27dydycom.cn/tags/rs/" target="_blank">Rsp）為1.2ohm.m㎡，技術(shù)參數(shù)達(dá)到了業(yè)界一流水平?！比A虹宏力還將深耕超級(jí)結(jié)技術(shù)，持續(xù)往高耐壓（~1000V）/大電流（~40A）驅(qū)動(dòng)方向發(fā)展，延續(xù)其“全球功率器件領(lǐng)導(dǎo)者”的戰(zhàn)略布局。