功率半導(dǎo)體器件在移動通信、消費(fèi)電子、開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、LED驅(qū)動、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵核心器件。如果說中央處理器（CPU）是計算機(jī)的心臟，那么功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟。我國發(fā)布《中國制造2025》勾勒出未來十年工業(yè)轉(zhuǎn)型升級的發(fā)展方向，功率半導(dǎo)體在其中發(fā)揮的作用不可替代。

日前，全球領(lǐng)先的8英寸純晶圓代工廠華虹宏力宣布，公司的功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。同時，在第五屆中國電子信息博覽會（CITE2017）上，華虹宏力的“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”獲得“2017CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用金獎”，顯示出華虹宏力在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢。

功率器?件平?臺累計出貨500萬片

中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》，“十二五”以來，我國電力電子器件市場在全球市場中所占份額越來越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。我國市場的增長速度明顯高于全球水平，年增長率近20%。

然而，中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實力卻與急速擴(kuò)張的需求不符，主要供應(yīng)商集中在美國、日本和歐洲。我國寬禁帶電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平落后于國際先進(jìn)水平。在這種環(huán)境下，華虹宏力作為全球首家、同時亦是最大的功率器件8英寸晶圓代工廠卻顯示出較強(qiáng)的技術(shù)實力與制造能力。

根據(jù)華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士的介紹，2002年，華虹宏力就開始關(guān)注功率器件的代工制造，是全球第一家把功率器件納入到8英寸平臺上的代工企業(yè)，形成了更佳的產(chǎn)品品質(zhì)和更低的成本，至今仍保持著全球最大的8英寸功率器件代工廠這個記錄。

華虹宏力執(zhí)行副總裁 孔蔚然博士

華虹宏力很早就把推動功率器件平臺建設(shè)作為差異化晶圓代工策略的重要一環(huán)加以推進(jìn)?！半S著12英寸廠的崛起，8英寸廠必須走差異化競爭的道路，建立特色工藝才能使8英寸的技術(shù)平臺和技術(shù)節(jié)點有更大的發(fā)展空間。華虹宏力很早就布局了以BCD為代表的高壓模擬電路、以IGBT為代表的功率器件等特色工藝技術(shù)的研發(fā)和制造?！笨孜等徊┦勘硎?。

現(xiàn)在，華虹宏力可為客戶提供獨(dú)特的、富有競爭力的深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工藝和場截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝，得益于市場對超級結(jié)MOSFET和IGBT的強(qiáng)勁需求，華虹宏力DT-SJ與FS IGBT累計出貨量分別超過了20萬片和3萬片晶圓，并保持快速增長趨勢。

第三代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場?

華虹宏力在功率器件代工制造領(lǐng)域的成功得益于技術(shù)上的創(chuàng)新。2017年初，華虹宏力宣布完成第三代DT-SJ工藝平臺的第一階段研發(fā)，取得了初步成果，并計劃在2017年上半年逐步推向市場。

孔蔚然博士表示，公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了獨(dú)特的、富有競爭力的DT-SJ工藝平臺，令華虹宏力成為業(yè)界首家提供超級結(jié)工藝平臺的晶圓代工公司。經(jīng)過多年的深耕發(fā)展，公司在DT-SJ技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，相繼推出了第一代、第二代工藝平臺，并緊跟業(yè)界超級結(jié)產(chǎn)品的發(fā)展，持續(xù)進(jìn)行平臺的創(chuàng)新升級。華虹宏力最新研發(fā)的第三代DT-SJ技術(shù)平臺不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點，而且還開發(fā)出了溝槽柵的新型結(jié)構(gòu)，可為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

600V-1200V場截止型IGBT工藝制造平臺是華虹宏力另一項重點技術(shù)?！癐GBT的生產(chǎn)在由6英寸晶圓升級到8英寸晶圓后，由于晶圓尺寸變大，晶圓翹曲情況變得更加嚴(yán)重。華虹宏力在開發(fā)IGBT產(chǎn)品時采用了獨(dú)特的應(yīng)力控制技術(shù)，使得8英寸晶圓的翹曲情況得到大大改善，為IGBT產(chǎn)品順利量產(chǎn)鋪平了道路。華虹宏力為客戶提?供的先進(jìn)的少子壽命控制技術(shù)，可以通過精確控制來降低少子壽命，降低關(guān)斷時間，提高IGBT?器件的開關(guān)性能?！笨孜等徊┦拷榻B。

以“中國制造2025”為契機(jī)，多元布局高成長領(lǐng)域

華虹宏力2016年銷售收入創(chuàng)歷史新高達(dá)7.214億美元，同比增加11.0%；凈利潤達(dá)1.288億美元，同比增加14.5%。主要受益于DT-SJ、IGBT及MOSFET需求強(qiáng)勁，分立器件的銷售收入達(dá)1.972億美元，同比增長34.3%。公司保持了連續(xù)24個季度盈利，這正是得益于華虹宏力在包括功率半導(dǎo)體在內(nèi)的多個特色工藝領(lǐng)域的布局。

2016年，華虹宏力突破創(chuàng)新，在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、射頻、模擬及混合信號、電源管理IC等多領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)力度，取得了科技成果和專利授權(quán)的雙豐收。與客戶共同研發(fā)生產(chǎn)的銀行卡安全芯片先后斬獲國際EMVCo芯片安全認(rèn)證、CC EAL5+認(rèn)證與萬事達(dá)CQM認(rèn)證。華虹宏力成為唯一躋身全國企業(yè)發(fā)明專利授權(quán)量TOP10的集成電路企業(yè)。

2017年，國家加快了推進(jìn)“中國制造2025”和“互聯(lián)網(wǎng)+”政策的實施步伐，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入黃金發(fā)展期。設(shè)計企業(yè)的數(shù)量、規(guī)模、銷售額均飛速增長。這些新趨勢和新機(jī)遇都將有利于半導(dǎo)體制造企業(yè)的發(fā)展。對此，華虹宏力表示，公司將在保持既有業(yè)務(wù)強(qiáng)勁增長的基礎(chǔ)上，著眼于全球化的市場布局，以高技術(shù)、高成長、高利潤作為企業(yè)發(fā)展定位，探尋并積極實踐規(guī)?；?、多元化的成長路徑。