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華虹宏力：新推工藝平臺(tái)，應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)低功耗和綠色節(jié)能趨勢(shì)

華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，智能化與低功耗是物聯(lián)網(wǎng)的核心，綠色節(jié)能是電源管理IC的核心。作為嵌入式非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，華虹宏力已在智能卡和物聯(lián)網(wǎng)方面耕耘多年。我們成功推出了0.11微米ULL嵌入式閃存，該平臺(tái)支持RF-CMOS設(shè)計(jì)，是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的最佳選擇。此外，0.18微米數(shù)?；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版（0.18 CE工藝平臺(tái)增強(qiáng)版），采用業(yè)界最具競爭力的光罩層數(shù)，是目前市場上極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)的MCU解決方案。這些解決方案均可為物聯(lián)網(wǎng)的智能化與低功耗提供助力。0.5微米700V BCD平臺(tái)在LED照明驅(qū)動(dòng)的快速上量，證明是適合綠色節(jié)能的工藝平臺(tái)技術(shù)。

OTP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版，兼顧MCU成本和功耗

MCU因?yàn)槌杀竞偷凸脑趥鞲袑雍瓦吘壘W(wǎng)關(guān)設(shè)備中發(fā)揮重要作用。MCU生產(chǎn)廠商需要全方位為提供客戶所需產(chǎn)品，其中具備數(shù)?；旌想娐?，嵌入閃存的MCU受到特別重視。

技術(shù)論壇上，結(jié)合這個(gè)市場需求，華虹宏力介紹了該公司最新推出的低本高效0.18微米數(shù)?；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版。

“它是在0.18微米低本高效OTP工藝平臺(tái)的基礎(chǔ)上研發(fā)升級(jí)而來，最大優(yōu)勢(shì)是通過利用第三方授權(quán)的OTP Cell，并依托自身經(jīng)驗(yàn)豐富的嵌入式存儲(chǔ)器IP設(shè)計(jì)、制造工藝和IP測(cè)試三方面的整合能力，可為客戶提供優(yōu)化的OTP IP，并實(shí)現(xiàn)更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。在MTP解決方案中，客戶通過MTPIP可以方便地在系統(tǒng)上反復(fù)修改設(shè)計(jì)程序，從而提升客戶產(chǎn)品的功能及有效改善生產(chǎn)存貨管理。作為OTP MCU的升級(jí)版，MTP可提供的容量由1Kx8位到8Kx16位，其IP面積極具競爭力，可應(yīng)對(duì)客戶多元化和高性價(jià)比的需求?！?孔蔚然說。

孔蔚然博士表示，通過這些改進(jìn)，該工藝平臺(tái)在成本、性能和功耗等諸多方面可以滿足物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求。

超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)，滿足超低功耗需求

除兼顧成本和功耗的MCU制造解決方案外，更令人感興趣的是華虹宏力的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)。物聯(lián)網(wǎng)市場,對(duì)于先進(jìn)工藝的需求并不是那么高，但對(duì)于低功耗卻有甚高的需求。

“新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)支持低至1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。動(dòng)態(tài)功耗達(dá)25uA/MHz，靜態(tài)功耗達(dá)50nA，可大幅提升電池壽命，延長物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴式設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。該平臺(tái)還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點(diǎn)，門密度達(dá)到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶進(jìn)一步縮小芯片面積?！笨孜等徽f。

該工藝平臺(tái)的最大特點(diǎn)是可在同一工藝中集成射頻、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強(qiáng)的可靠性等顯著優(yōu)勢(shì)，并降低設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試成本。該工藝平臺(tái)擁有豐富多樣的嵌入式存儲(chǔ)器IP，同時(shí)也提供高密度存儲(chǔ)器編輯器和標(biāo)準(zhǔn)單元庫，可為客戶量身定制性價(jià)比優(yōu)越、全面靈活的解決方案，加速客戶產(chǎn)品上市時(shí)間。

基于該工藝平臺(tái)生產(chǎn)的低功耗MCU適用于各種智慧節(jié)能型產(chǎn)品，例如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設(shè)備、智能電網(wǎng)、嵌入式智能互聯(lián)設(shè)備、醫(yī)療電子、照明，以及工業(yè)和汽車電子等方面的應(yīng)用。

超高壓BCD工藝，迎合節(jié)能環(huán)保熱點(diǎn)

隨著客戶對(duì)綠色、節(jié)能和效率需求的日益增加，出色的電源管理IC技術(shù)顯得尤為重要。華虹宏力超高壓700V BCD技術(shù)迎合了節(jié)能環(huán)保熱點(diǎn)，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。

新一代0.5微米700V BCD工藝是基于2013年第一代1微米700V BCD工藝升級(jí)開發(fā)而成，在保持原有1P1M（1層Poly，1層Metal）最少版次12塊的低成本優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS，豐富了超高壓電壓系列選擇，以滿足不同電壓應(yīng)用需求。

“此工藝平臺(tái)其所支持的高壓小電流LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用市場發(fā)展前景十分廣闊。我們將繼續(xù)拓展先進(jìn)的電源管理平臺(tái)，增強(qiáng)應(yīng)用于LED照明的先進(jìn)差異化工藝技術(shù)組合，制造高性能、低成本的LED驅(qū)動(dòng)IC，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案?！?孔蔚然表示。

該工藝平臺(tái)適用于各種LED照明節(jié)能型產(chǎn)品以及電源適配器，后續(xù)在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等方面也會(huì)拓展開發(fā)系列工藝平臺(tái)。

華虹宏力0.11微米嵌入式閃存工藝兼具低成本高可靠性

華虹宏力的0.11微米嵌入式閃存工藝采用24層光罩，極大地降低了晶圓的加工成本和生產(chǎn)時(shí)間；閃存單元面積僅為0.197平方微米，邏輯單元密度達(dá)300K/m2，在一片200mm晶圓上實(shí)現(xiàn)了約3.5萬顆132K容量的SIM卡芯片；擦寫次數(shù)達(dá)300K，具有非常高的可靠性；采用先進(jìn)設(shè)計(jì)，支持單線測(cè)試，大大提高同測(cè)數(shù)。此外，該工藝技術(shù)支持銅線封裝，可大大降低卡片成本，使其成為各種智能卡和MCU IC應(yīng)用領(lǐng)域的低本高效解決方案之一。

編輯點(diǎn)評(píng)：華虹宏力在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域一直保持著業(yè)界領(lǐng)先地位。隨著金融IC卡、移動(dòng)支付和物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，嵌入式閃存技術(shù)工藝擁有越來越大的需求空間。華虹宏力的0.11微米嵌入式閃存工藝作為華虹宏力0.18微米和0.13微米嵌入式閃存技術(shù)的延續(xù)，可提供一個(gè)兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢(shì)于一身的差異化智能卡和MCUIC解決方案。