雖然沒有電子設(shè)備是100％可靠的，但作為設(shè)計師，我們確實努力實現(xiàn)這一目標。但某些技術(shù)，如DRAM＆amp; NAND Flash，有特殊問題。讓我們來談?wù)劀y試策略。

NAND閃存與機械存儲設(shè)備一樣，默認情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面，DRAM被認為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯誤檢測（并且可能是校正）電路，但消費者和商業(yè)機器很少這樣做。我將專注于DRAM。

雖然大多數(shù)精細幾何電子設(shè)備都受到輻射引起的SEU（單事件干擾）的影響，但DRAM的另一個缺點是，它本質(zhì)上是一種模擬技術(shù)。數(shù)十億微型電容器必須保持充電狀態(tài)，或至少在下次刷新之前保持充電狀態(tài)。如果其中一個蓋子有點漏或比它應(yīng)該更小，則可能導致操作不可靠。令人抓狂的是，失敗機制可能是間歇性的，也可能與數(shù)據(jù)有關(guān)。

隨著內(nèi)存時間變得越來越快，我們應(yīng)該像在千兆位串行通道上那樣運行眼睛測試。例如，這是一個1.33Gb/s的DDR3眼睛：

（來源：Micron Technology）

什么我們應(yīng)該運行測試數(shù)據(jù)，無論是軟件生成還是硬件生成，以便鍛煉眼睛？偽隨機是一個良好的開端。

我對內(nèi)存測試的興趣可以追溯到我的第一臺計算機。在遭受512字節(jié)內(nèi)存一年后，我添加了一塊32kB DRAM板！無論是由于糟糕的電路板設(shè)計，還是真正令人質(zhì)疑的DRAM芯片質(zhì)量，內(nèi)存錯誤都是經(jīng)常發(fā)生的，有時甚至是微妙的。簡單的模式可以檢測出最糟糕的錯誤，但直到我實施了偽隨機測試才發(fā)現(xiàn)最罕見的錯誤。

這些錯誤是由于眼睛壞了嗎？可能不是。更有可能的是，它們來自模式靈敏度，其中DRAM芯片上的數(shù)據(jù)位以某種方式與芯片的設(shè)計者相互作用。雖然給出了PCB設(shè)計的狀態(tài)。 1980年，電力完整性也可能是根本原因。

作為支持DRAM的機器的最終用戶，我們?nèi)匀豢梢酝ㄟ^純軟件方式執(zhí)行全面的內(nèi)存測試，例如優(yōu)秀的Memtest86程序，其中包括許多測試中的偽隨機程序。根據(jù)我的經(jīng)驗，底線是偽隨機是追蹤使用其他方法無法顯示的片狀錯誤的最佳方法。

作為內(nèi)存子系統(tǒng)的設(shè)計者，我們可以去超越這種方法并得到探索。使用偽隨機模式不僅可以為我們的示波器創(chuàng)建一個合適的眼圖，它可能會發(fā)現(xiàn)任何模式敏感度問題（盡管這更像是一個單元測試，而你只是在開發(fā)中進行眼睛測試）。