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如何設(shè)計(jì)一個(gè)獲取“Up There”反饋的電路

PCB線路板打樣 ? 來(lái)源:LONG ? 2019-08-07 15:09 ? 次閱讀
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凌力爾特公司的Over-the-Top運(yùn)算放大器具有輸入級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),允許它們?cè)谡?a target="_blank">電源軌上方運(yùn)行閉環(huán)。當(dāng)電壓分開(kāi)時(shí)以及關(guān)閉或完全斷電時(shí),輸入仍保持高阻抗。它們?cè)诜€(wěn)健系統(tǒng)中是必不可少的,在不穩(wěn)定的電源排序中需要可靠性。 LT6015,LT6016和LT6017將運(yùn)算放大器的工作輸入電壓能力擴(kuò)展至76V,并在所有共模輸入電壓和溫度范圍內(nèi)通過(guò)350μV(最大值)的微調(diào)偏移電壓提高精度。

輸入拓?fù)?- 工作原理

圖1所示為Over-The-Top輸入級(jí)。在低共模時(shí),PNP Q1和Q2形成常規(guī)由I1提供的帶尾電流的精密差分對(duì)。

如何設(shè)計(jì)一個(gè)獲取“Up There”反饋的電路

圖1LT6015上的頂部輸入級(jí)可將共模電壓降至76V,與正電源電壓無(wú)關(guān)。

差分對(duì)將其集電極電流轉(zhuǎn)發(fā)到折疊的共源共柵對(duì)Q7,Q8,然后驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)。當(dāng)共模電壓上升到上部電源軌的1V以?xún)?nèi)時(shí),Q9開(kāi)始從差分對(duì)中竊取尾電流并使其通過(guò)Q11,Q12的Widlar,然后將二極管連接對(duì)Q3,Q4依次向上偏置。偏置精密公共堿基對(duì)Q5,Q6。 Q5和Q6的集電極并聯(lián)成與之前相同的折疊式共源共柵。因此,Q1,Q2差分對(duì)和Q5,Q6公共基極對(duì)基本上并聯(lián),每對(duì)處理特定的輸入共模范圍。這種方法的真正強(qiáng)大之處在于Q12(以及所涉及的所有其他結(jié)點(diǎn))可以處理高達(dá)76V的電壓。這意味著即使遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于V +,Q5,Q6輸入級(jí)也是有效且精確的,只要反饋也可以在那里運(yùn)行,運(yùn)算放大器仍保持閉環(huán)狀態(tài)。請(qǐng)注意,Q5和Q6不提供電流增益,因此LT6015最差情況下15nA的偏移電流在Over-The-Top模式下升至500nA。

圖2的電路是一個(gè)簡(jiǎn)單的4電阻差動(dòng)放大器。在V IN 處施加的差分輸入電壓出現(xiàn)在輸出端,增加了100倍,而V CM 的影響相對(duì)較小,尤其是在撥入CMRR調(diào)整時(shí)。運(yùn)放輸入可以采用高于-5V電源76V的共模電壓。

如何設(shè)計(jì)一個(gè)獲取“Up There”反饋的電路

圖2增益為100差分放大器。 LT6015的頂部輸入級(jí)可以處理高于V-的76V共模輸入電壓,與正電源電壓無(wú)關(guān)。

V CM + V IN 由于+輸入端的電阻分壓器衰減,施加到輸入電阻的電壓可能略高。由于偏移電流導(dǎo)致的高輸入電壓極端情況下的最壞情況輸入誤差為500μV,典型值在-5V和+ 5V之間具有更好的精度。

高端電流檢測(cè)

圖3的電路是一個(gè)精密高端電流檢測(cè)放大器,可在寬輸入共模范圍內(nèi)工作,并在電源消失時(shí)達(dá)到高阻抗。運(yùn)算放大器的輸入保持高電平,反饋電平通過(guò)FET“向上”移位。

如何設(shè)計(jì)一個(gè)獲取“Up There”反饋的電路

圖3即使在單5V電源上,高端電流檢測(cè)放大器也可工作在76V。 FET提供反饋。滿(mǎn)量程輸出受V BAT 和V SUPPLY 限制。 330Ω輸出電阻是預(yù)防措施 - 見(jiàn)文本。對(duì)于穩(wěn)健操作,如果V SUPPLY 變低或完全移除,則所有輸入變?yōu)楦咦杩?,因此V BAT 未加載。

因?yàn)镕ET工作于V BAT ,所以當(dāng)輸出接近V BAT - V R1 - V DS <時(shí)/子>。 R1和R3設(shè)置增益精度。有人可能會(huì)認(rèn)為R2可以是5%容差電阻,但它是為了準(zhǔn)確地抑制由輸入偏置電流產(chǎn)生的直流誤差而添加的,這在Over-The-Top模式下非常高,所以1%不是浪費(fèi)。對(duì)于吉姆·威廉姆斯來(lái)說(shuō),R4就是一個(gè)人,他從不想看到?jīng)]有電阻的MOSFET柵極。 R5是一個(gè)帶有警示故障的限流電阻。如果此電路在較高的V BAT 和V SUPPLY 下工作,并且正在驅(qū)動(dòng)下電源或較低的電源,則下游電路具有保護(hù)二極管它的軌道,然后不可預(yù)測(cè)的系統(tǒng)毛刺可能會(huì)驅(qū)動(dòng)FET柵極高電平,將整個(gè)V BAT 電壓放在R3上。 R5保持任何下游保護(hù)二極管或短路一定距離,并且應(yīng)根據(jù)值和功率進(jìn)行調(diào)整,假設(shè)FET可以接通硬度。這是在設(shè)計(jì)高壓系統(tǒng)穩(wěn)健性時(shí)所需的電路考慮的一個(gè)例子。

如何設(shè)計(jì)一個(gè)獲取“Up There”反饋的電路

圖4擴(kuò)展范圍高端電流V SOURCE 的讀出放大器低至0.2V。

為了擴(kuò)展高端電流檢測(cè)放大器的適用性以降低輸入電壓,可以使用雙LT6016,如圖所示圖4.在第一級(jí)中獲得較少的增益可使MOSFET源極電壓保持較低,從而允許較低的輸入共模電壓限制降至0.2V。電路增益在第二個(gè)放大器級(jí)恢復(fù)。

結(jié)論

Over-the-Top LT6015系列放大器提供工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用傳統(tǒng)的低壓穩(wěn)壓電源軌進(jìn)行高壓監(jiān)測(cè)的精密解決方案。這些放大器內(nèi)置了許多極端工作條件的保護(hù)機(jī)制,以確保穩(wěn)健的設(shè)計(jì)。

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