圖1中的電路是流行的TL431可編程并聯(lián)穩(wěn)壓器的高功率模擬。當P溝道FET的漏極接地時，這種雙端電路非常方便，因為它不需要與接地散熱器隔離。

圖1基于TL431的并聯(lián)穩(wěn)壓器或限幅器

然而，沒有TL431的鏡像模擬器，所以當你有一個正極接地時，你需要在漏極和接地散熱器之間進行隔離，降低冷卻性能。

圖2中提出的設(shè)計理念允許使用更低的 - 在接地散熱器上使用N溝道MOSFET。它還可以承受比圖1更低的輸入電壓值。

圖2基于TL431的并聯(lián)穩(wěn)壓器或使用N溝道MOSFET的限幅器

該電路可用作高功耗的可調(diào)鉗位，具有精確的電平控制和非常敏銳的回應。如果需要，鎮(zhèn)流電阻R b 可以用保險絲代替。 響應時間不如Transil/Transzorb類型的部件快，但對于大多數(shù)應用來說，幾微秒就足夠了。

該電路也可用作高電流分流器監(jiān)管機構(gòu)雖然有穩(wěn)定性警告。電路穩(wěn)定，負載電容低于約1nF或高于約200μF。

電路可以輕松擴展：只需選擇具有合適漏極電流的FET。已使用75A HUF75652G3和85A IRF1010N。

如果出現(xiàn)以下情況，則可省略齊納二極管D2：

V G（max）> E O ×R5/（R4 + R5）

使用與TL431相同的表達式計算鉗位電壓：

E O = V REF （1 + R1/R2）（V REF = 2.5V）

絕對最大額定值也與TL431相同，當然除了當前。最小輸入電壓比單獨的TL431高約0.8V。