英飛凌最新推出——OptiMOS線性FET，作為市場上首次將現(xiàn)代溝槽MOSFET的低RDS(on)與平面MOSFET的寬安全工作區(qū)(SOA)相結(jié)合的技術(shù)，創(chuàng)新解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。

OptiMOS線性FET可在增強(qiáng)模式MOSFET的飽和區(qū)工作，是熱插拔應(yīng)用電熔絲和電池保護(hù)應(yīng)用的理想解決方案，此類應(yīng)用要求低導(dǎo)通損耗，并且必須在不降低器件性能或不損壞器件的前提下處理高啟動電流能力。因此，OptiMOS線性FET最適合電信和電池管理系統(tǒng)（BMS）中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護(hù)應(yīng)用。

PART

01

主要特性

低RDS(on)和寬安全工作區(qū)(SOA)的結(jié)合；

01

RDS(on)比較

在RDS(on)性能上面， OptiMOS線性FET100 V 比起最佳替代產(chǎn)品的要降低高達(dá)58%。此外，在48V到56V的電壓下（通信系統(tǒng)中的典型輸出電壓范圍）測量可以得到更寬的SOA。

02

安全工作區(qū)(SOA)比較

OptiMOS 5 100 V，1.7 mΩ的功率MOSFET的安全工作區(qū)為0.5 A，在相同RDS(on)上的OptiMOS線性FET版本提供11.5 A的更寬的SOA（安全工作區(qū)）(@ 54 V, 10 ms)。

較高的最大脈沖電流；

較高的連續(xù)脈沖電流；

PART02

主要優(yōu)勢

穩(wěn)健的線性模式操作

低導(dǎo)通損耗

更高的沖擊

PART

03

產(chǎn)品系列與封裝

英飛凌OptiMOS線性場FET包含三個電壓等級：100V、150V和200V。

它們都可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝，這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝兼容簡易替換元件。

D2PAK封裝

D2PAK 7pin封裝