一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關于新一代汽車功率場效應管的分析和應用

MWu2_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-25 10:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司在全球率先采用300毫米薄晶圓生產(chǎn)汽車功率場效應管。第一個產(chǎn)品系列 OptiMOS 5 40V針對二氧化碳減排應用進行了優(yōu)化。產(chǎn)品在英飛凌位于奧地利菲拉赫的晶圓廠生產(chǎn)。

英飛凌科技股份公司汽車電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示:“通過采用300毫米薄晶圓工藝生產(chǎn)汽車功率場效應管,英飛凌加強了自身的技術與市場領先優(yōu)勢。英飛凌確保以具有競爭力的價格提供大規(guī)模量產(chǎn)的高性能汽車功率場效應管。我們的汽車行業(yè)客戶將受益于供貨保障,以及英飛凌300毫米薄晶圓工藝生產(chǎn)線的長期生產(chǎn)路線圖。”

英飛凌業(yè)界領先的300毫米薄晶圓工藝,是新一代汽車功率場效應管產(chǎn)品系列實現(xiàn)性能提升的一個重要基礎。薄晶圓工藝可以最大限度降低功耗,并支持緊湊的場效應管設計,以提高系統(tǒng)效率和功率密度。由于晶圓減薄至60微米(0.06毫米),因而采用300毫米薄晶圓工藝的OptiMOS 5功率半導體躋身全球最薄之列。這種薄晶圓的厚度甚至小于一張標準的書寫用紙——厚約110微米(0.11毫米)。

由于晶圓直徑要比標準的200毫米晶圓長50%,所以,每個300毫米晶圓的芯片產(chǎn)量可增加1.5倍。

性能領先的 OptiMOS 5 40V 汽車功率場效應管

英飛凌開始生產(chǎn)OptiMOS 5薄晶圓產(chǎn)品系列,40V型號采用S308封裝(TSDSON-8),其占板空間很小,外形尺寸僅3.3 x 3.3mm。

較之上一代OptiMOS產(chǎn)品,OptiMOS 5 40V產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)減小40%,最可最大限度降低功率損耗。此外,它們的優(yōu)質系數(shù)R DS(on)xQ g降低35%,進一步優(yōu)化了開關性能。因此,OptiMOS 5 40V產(chǎn)品能為各種汽車無刷直流電機BLDC)和H橋驅動應用提供高功率密度和高能效,如電動車窗、車門控制、天窗、燃油泵,另外還有閥門控制和快速開關DC/DC轉換器等等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 轉換器
    +關注

    關注

    27

    文章

    9045

    瀏覽量

    151728
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5159

    瀏覽量

    129754
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    場效應管代換手冊

    場效應管代換手冊
    發(fā)表于 01-08 13:44 ?2次下載

    場效應管驅動電路設計 如何降低場效應管的噪聲

    在設計場效應管驅動電路時,降低場效應管的噪聲是至關重要的。以下是些有效的措施來降低場效應管的噪聲: 、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 :
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:17 ?1307次閱讀

    場效應管在工業(yè)自動化中的應用

    場效應管,特別是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),在工業(yè)自動化中扮演著重要角色。以下是場效應管在工業(yè)自動化中的幾個主要應用: 、電機驅動與控制
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:11 ?1086次閱讀

    場效應管的參數(shù)介紹 如何測試場效應管的功能

    場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是種電壓控制型半導體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應管廣泛應用于放大、開關、電源管理等領域。
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:02 ?2893次閱讀

    場效應管的優(yōu)勢與劣勢 場效應管的負載能力分析

    場效應管的優(yōu)勢 高輸入阻抗 :場效應管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅動電流非常小,這對于低功耗應用非常有利。 低噪聲 :場效應管由于其高輸入阻抗和低導通電阻,通常比雙極型晶體
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:58 ?1442次閱讀

    場效應管常見問題及解決方案

    場效應管常見問題及解決方案 1. 場效應管的基本原理 場效應管種電壓控制型器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流。場效應管
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:57 ?1555次閱讀

    常見場效應管類型 場效應管的工作原理

    場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是種電壓控制型半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管的主要類型有結型
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:52 ?2103次閱讀

    P溝道場效應管的導通條件

    P溝道場效應管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的導通條件是其能夠正常工作的關鍵要素。以下是關于P溝道場效應管導通條件的詳細介紹,旨在全面解析其工作原理和條件要求。
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:12 ?3822次閱讀

    什么是N溝道場效應管和P溝道場效應管

    場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據(jù)導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N溝道場效應管
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:41 ?3549次閱讀

    N溝道場效應管和P溝道場效應管有什么區(qū)別

    N溝道場效應管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應管(P-Channel Field Effect Transistor
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:38 ?4791次閱讀

    簡單認識場效應管和集成運放

    場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET),又稱場效應管,是種利用電場效應來控制半導體材料導電性能的電壓控制型半導體器件。它主要由柵極(G)、源極(S
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:25 ?1286次閱讀

    場效應管的控制電壓的主要參數(shù)

    場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有輸入阻抗高、驅動
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:18 ?2148次閱讀

    場效應管是電壓控制器件嗎

    是的。場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是種電壓控制型半導體器件。它利用電場效應來控制電流的流動,具有輸入阻抗高、功耗低、噪聲小等優(yōu)點,在電子電路中得到
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:16 ?1663次閱讀

    場效應管與IGBT能通用嗎

    在結構、工作原理、應用領域等方面存在明顯差異,因此不能直接通用。 結構差異 場效應管種電壓控制型器件,其結構主要包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。柵極通過個絕緣層
    的頭像 發(fā)表于 07-25 11:07 ?3479次閱讀

    防反接保護用什么型號的場效應管

    防反接保護是電路設計中非常重要的部分,它可以有效防止電路因電源極性接反而損壞。場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是種常用的防反接保護元件,具有低導通電阻、高
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:25 ?1143次閱讀