長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones這次再度發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。

從成本看，22nm FD-SOI的成本將和28nm HKMG成本相近，而工藝如果繼續(xù)演進(jìn)，例如到12nm節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI的成本將顯著低于FinFET，12nm FD-SOI的成本比16nm FinFET低22.4%，比10nm FinFET低23.4%，比7nm FinFET低27%！這是因?yàn)?2nm FD-SOI的掩膜數(shù)量要少一些，抵消了其襯底成本高過(guò)FinFET的部分。

不過(guò)他認(rèn)為FD-SOI工藝只會(huì)發(fā)展到12nm，最大可能是到10nm節(jié)點(diǎn)，“因?yàn)樵偻掳l(fā)展沒(méi)有必要，而且會(huì)遇到很大挑戰(zhàn)?！痹谒宜较陆涣鲿r(shí)他這樣解釋，“但這不會(huì)影響FD-SOI的信心，因?yàn)镕D-SOI客戶看中的是集成度，低功耗和低成本，對(duì)于12nm以下高級(jí)工藝，有FinFET?！庇纱丝?，未來(lái)工藝技術(shù)發(fā)展會(huì)出現(xiàn)重大的分化，F(xiàn)inFET引領(lǐng)更高級(jí)工藝發(fā)展，而FD-SOI則發(fā)揮在低功耗、射頻集成的優(yōu)勢(shì)。這與GF的判讀一致，GF也認(rèn)為12nm以上工藝市場(chǎng)今年依然有560億美元空間，到2020年還會(huì)增長(zhǎng)到650億美元！

Jones預(yù)估隨著視頻圖像走熱，圖像傳感器市場(chǎng)會(huì)有很大發(fā)展，而ISP將是拉動(dòng)FD-SOI增長(zhǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)，這里的ISP是靠近圖像傳感器需要進(jìn)行各種模數(shù)處理，圖像處理的器件，因?yàn)镕D-SOI比16nmFinFET和28nm體硅工藝擁有更好的ADC模擬特性、更低噪聲、更低功耗以及低成本，預(yù)計(jì)2027年，ISP出貨量將達(dá)196億顆。

不過(guò)對(duì)于這個(gè)觀點(diǎn)也有業(yè)者表示，只要FD-SOI把目前28nm體硅工藝的單搶來(lái)就是非常大的增長(zhǎng)了，也許這樣會(huì)更容易些？因?yàn)镴ones預(yù)估體硅工藝只會(huì)走到22nm節(jié)點(diǎn)，28nm體硅工藝今年有望獲得329億美元收入，如果FD-SOI能順利從這個(gè)節(jié)點(diǎn)搶單，則會(huì)坐收幾百億美元收入，個(gè)人覺(jué)得很靠譜，所以建議GF和三星就去搶28nm體硅單就好！