據(jù)麥姆斯咨詢報道，日本真空技術(shù)株式會社（ULVAC）近期宣布成功推出高量產(chǎn)（HVM）的鋯鈦酸鉛（PZT）壓電薄膜濺射技術(shù)，該技術(shù)可有效解決阻礙MEMS器件發(fā)展的技術(shù)問題，這對MEMS器件在自動駕駛和下一代可穿戴終端（如智能眼鏡）的應(yīng)用至關(guān)重要。該公司已經(jīng)開始銷售采用該新技術(shù)的生產(chǎn)系統(tǒng)。

預(yù)計(jì)5G和人工智能（AI）等技術(shù)的發(fā)展將加速智能社會的進(jìn)程。在智能社會中，各類產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化發(fā)展將提升產(chǎn)業(yè)效率，并為人們生活帶來更多便利。隨著自動駕駛、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）、安全以及智能手機(jī)等應(yīng)用中多功能水平的提高，需要執(zhí)行器根據(jù)從各種傳感器接收到的信號來激活設(shè)備。市場對執(zhí)行器的需求預(yù)期將激增，不過在其開發(fā)過程中的一些關(guān)鍵問題亟待解決，包括對小型化、降低生產(chǎn)成本、更低功耗和更高性能的需求。

PZT壓電薄膜是構(gòu)成MEMS傳感器和執(zhí)行器的關(guān)鍵技術(shù)，但其制備工藝在過去很難實(shí)現(xiàn)，傳統(tǒng)上主要采用低溫的涂覆方法（溶膠-凝膠法）。然而，在2015年，ULVAC成功開發(fā)出世界上最先進(jìn)的低溫PZT壓電薄膜濺射工藝，并為下一代MEMS技術(shù)持續(xù)研發(fā)該技術(shù)。

為了進(jìn)一步推進(jìn)這項(xiàng)專有技術(shù)，ULVAC通過優(yōu)化系統(tǒng)運(yùn)行來降低運(yùn)行成本，并極大地提高了技術(shù)的可靠性，這對設(shè)備的商業(yè)化至關(guān)重要。最終該技術(shù)成為了一種突破性的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，現(xiàn)已成功納入ULVAC已經(jīng)開始銷售的生產(chǎn)系統(tǒng)。

該技術(shù)允許MEMS器件與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝集成，并帶來積極的效果，比如小型化、更低的生產(chǎn)成本、更低的功耗和更高的性能。這將為未來MEMS傳感器和執(zhí)行器在空間信息傳感和3D成像顯示（包括智能眼鏡）中的更多應(yīng)用鋪平道路。該技術(shù)還將促進(jìn)MEMS器件在3D指紋識別等應(yīng)用中的使用。

ULVAC將繼續(xù)引領(lǐng)MEMS器件技術(shù)的創(chuàng)新，這些技術(shù)可用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，包括蝕刻、濺射、灰化和濺射靶材。通過所有這些貢獻(xiàn)，ULVAC將不斷推動智能社會的創(chuàng)建。

技術(shù)概述

使用PZT壓電薄膜的MEMS器件在硅襯底上形成以下五層：黏附層、下電極層、緩沖層、壓電（PZT）層和上電極層。所有的這些薄膜層都可以在ULVAC的單晶圓濺射系統(tǒng)中形成，而不會將硅襯底暴露在大氣中。這種型號為SME-200的多腔濺射系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)連續(xù)工藝流程，每層薄膜可在各自的工藝腔內(nèi)獨(dú)立優(yōu)化，從而實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和更高的產(chǎn)量。該系統(tǒng)還旨在為8英寸硅襯底提供均勻穩(wěn)定的工藝，8英寸是目前MEMS器件批量生產(chǎn)最大的襯底尺寸。該設(shè)備可安裝加載互鎖（load-lock）真空腔和最多七個工藝腔，包括直流（DC）和射頻（RF）磁控濺射腔，以及用于加速晶化的快速熱退火（RTA）腔。

8腔體結(jié)構(gòu)的俯視圖（7個工藝腔和1個load-lock腔）

ULVAC的PZT濺射系統(tǒng)采用專門設(shè)計(jì)的PZT濺射腔，可解決PZT獨(dú)有的問題，通過加熱晶圓，在其表面生長晶體以形成PZT薄膜。為此，ULVAC采用不超過500攝氏度的新型低溫PZT薄膜工藝，以及應(yīng)用緩沖層的專有工藝技術(shù)，同時實(shí)現(xiàn)卓越的壓電性能（1）和高可靠性（2）。此外，通過優(yōu)化維護(hù)周期，運(yùn)行成本已降至2015年的75%，從而在大規(guī)模生產(chǎn)條件下實(shí)現(xiàn)了世界上最高性能的PZT薄膜。

技術(shù)特點(diǎn)

1. 使用單晶圓濺射系統(tǒng)，可以在同一系統(tǒng)內(nèi)逐層生長薄膜。

2. 使用低溫專利技術(shù)，可在500攝氏度下實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)高性能的PZT薄膜。

3. 采用新工藝可實(shí)現(xiàn)器件的高可靠性。

4. 運(yùn)行成本降低至2015年的75%。

（1）壓電性能：壓電常數(shù)（e31）越高，施加在器件上每單位電壓產(chǎn)生的移動量就越大，從而可以使器件更小型化并降低功耗。（壓電常數(shù)e31：-15.5 C/m2 @ PZT薄膜厚度：2.0 um）

（2）高可靠性：在器件高耐久性的指標(biāo)中，介電擊穿電壓約為200 V，且介電擊穿（TDDB）壽命測試時間為200萬小時。

PZT薄膜的介電擊穿電壓（上）和TDDB（下）新工藝和2015年的對比