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中國首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展

半導體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:長江存儲 ? 2019-09-02 16:27 ? 次閱讀
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2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存,該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。

長江存儲64層3D NAND閃存晶圓

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元,這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構,Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

作為集成器件制造商(IDM -Integrated Device Manufacturer),長江存儲致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務,并計劃推出集成64層3DNAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心,以及企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。

長江存儲一貫重視核心技術的自主研發(fā)和創(chuàng)新,Xtacking?技術的研發(fā)成功和64層3DNAND閃存的批量生產(chǎn)標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng)新之路。

今后,長江存儲仍將持續(xù)投入研發(fā)資源,以通過技術和產(chǎn)品的迭代,使每一代產(chǎn)品都具備強勁的市場競爭力,更好地滿足全球客戶的需求。

長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示:“通過將Xtacking?架構引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到,“隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來,閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3DNAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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