云存儲(chǔ)服務(wù)商Backblaze發(fā)布了2019年第二季度硬盤可靠性報(bào)告。

結(jié)果顯示，在總共108461塊統(tǒng)計(jì)硬盤中，476塊“陣亡”，其中94%（446塊）來自希捷，且數(shù)型號(hào)ST12000NM0007的12TB款式故障量最多，達(dá)到247塊。

當(dāng)然，希捷中招率高也不能全歸咎給質(zhì)量，畢竟在全部13款型號(hào)的硬盤中，希捷就有6款，且12TB的服役時(shí)間也最長。

相較之下，東芝硬盤的可靠性還是令人印象審核，報(bào)告期內(nèi)14TB的MG07ACA14TA和4TB的MD04ABA400V都是零故障。

另外，BB還分享了時(shí)間跨度6年的總報(bào)表，其中HGST的12TB硬盤年化故障率最低，僅0.37%；希捷的4TB則再次墊底，故障率為2.72%。

同時(shí)，在日前開幕的2019 FMS國際閃存會(huì)議上，群聯(lián)公司宣布再推出兩款新一代PCIe 4.0主控——PS5019-E19T、PS5018-E18，與現(xiàn)有的PS5016-E16主控一起擴(kuò)大PCIe 4.0硬盤陣營，同時(shí)降低了PCIe 4.0硬盤的成本，并進(jìn)一步將性能推向7GB/s的極限。

在臺(tái)北電腦展上，AMD公司宣布推出7nm銳龍3000系列處理器及X570芯片組，新一代AM4平臺(tái)不僅提高了性能，還帶來了PCIe 4.0支持，這是首款支持PCIe 4.0規(guī)范的桌面平臺(tái)，這一次AMD領(lǐng)先Intel了。

PCIe 4.0總線的速率達(dá)到了16GT/s，總帶寬可以達(dá)到32GB/s，這個(gè)高的性能不僅顯卡受益，SSD硬盤性能也可以突破目前PCIe 3.0 x4通道最高4GB/s的限制了。

為此，AMD與群聯(lián)公司合作首發(fā)了第一款PCIe 4.0主控——PS5016-E16，支持PCIe 4.0 x4通道，主要面向高端SSD硬盤市場。

現(xiàn)在推出的兩款新一代PCIe 4.0主控中，PS5019-E19T其實(shí)定位更低，性能也有所下降，而PS5018-E18則是新一代PCIe 4.0旗艦級(jí)主控，工藝、性能大升級(jí)。

群聯(lián)PS5016-E16主控是目前在用的第一款PCIe 4.0主控了，28nm制程，支持NVMe 1.3標(biāo)準(zhǔn)，支持PCIe 4.0 x4通道，8通道32 CE架構(gòu)，支持DDR4緩存，讀取速度可達(dá)5000MB/s，寫入速度可達(dá)4400MB/s，隨機(jī)讀取750K IOPS，隨機(jī)寫入750K IOPS，功耗2.6W，最高支持8TB容量。

PS5019-E19T主控雖然命名上更高，但實(shí)際上定位要比PS5016-E16低（迷一般的群聯(lián)主控命名方式），也是28nm工藝，支持NVMe 1.3標(biāo)準(zhǔn)，4通道16 CE結(jié)構(gòu)，無需DRAM緩存，所以E19T主控的SSD成本會(huì)更低，不過代價(jià)是性能也降低了，連續(xù)讀取、寫入性能都是3750MB/s，隨機(jī)讀取、隨機(jī)寫入是440K、500K IOPS，功耗也大幅降低到了1.6W，最高支持2TB容量。

群聯(lián)表示，PS5019-E19T主控會(huì)在今年第四季度出樣，具體上市時(shí)間沒公布。

群聯(lián)的PS5018-E18主控則是PS5016-E16主控的繼任者，算是第二代PCIe 4.0旗艦主控了，制程工藝升級(jí)到12nm，支持PCIe 4.0 x4，8通道32 CE結(jié)構(gòu)，每通道速度從800MT/s提升到了1200MT/s，所以連續(xù)讀取、寫入速度都提升到了7GB/s，幾乎是PCIe 4.0 x4的極限性能了。

另外，PS5018-E18主控的隨機(jī)性能也提升了，隨機(jī)讀取、隨機(jī)寫入性能是1000K、1000K IOPS，百萬級(jí)IOPS性能可以說是達(dá)到企業(yè)級(jí)水平了，代價(jià)是功耗提升到了3.0W，畢竟畢竟使用的CPU內(nèi)核從現(xiàn)在的雙核Cortex-R5變成了三核Cortex-R5。

根據(jù)群聯(lián)所示，PS5018-E18主控會(huì)在明年上半年出樣，主要用于新一代PC、8K高清電競、邊緣計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等高端計(jì)算市場。

西部數(shù)據(jù)今天也發(fā)布了全新的企業(yè)級(jí)SSDUltraStar DC SN640系列，提供2.5寸U.2、M.2 22110、EDSFF E1.L三種不同外形規(guī)格，其中EDSFF(企業(yè)與數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)形態(tài)) E1.L是Intel領(lǐng)導(dǎo)制定的新規(guī)格，形如一把長尺或者一把大刀。

更充裕的空間可以加裝更多閃存，E1.l規(guī)格的SN640容量可選7.68TB、15.36TB、30.72TB，相比之下M.2 22110的只有960GB、1920GB、3840GB，U.2的則是960GB、1920GB、3840GB、7680GB，還可以配置更多冗余空間從而變成800GB、1600GB、3200GB、6400GB。

閃存都是東芝的96層堆疊BiCS4 3D TLC，主控則是西數(shù)自主研發(fā)，支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3，性能基本一致，持續(xù)讀寫最高3.2GB/s、2.14GB/s，隨機(jī)讀寫最高480K IOPS、120K IOPS，混合隨機(jī)讀寫最高240K IOPS，支持AES-256加密、掉電保護(hù)。

功耗不同規(guī)格各不相同，M.2 8.25W，U.2 12W，E1.L 20W。

壽命方面，平均故障間隔時(shí)間均為200萬小時(shí)，質(zhì)保五年，每天全盤寫入標(biāo)準(zhǔn)為0.8次，U.2 800/1600/3200/6400GB則可以做到2次。