臺(tái)積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強(qiáng)的處理器，紛紛導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)，相關(guān)設(shè)備所費(fèi)不貲，3家大廠資本支出直線攀升，ASML等設(shè)備廠則成為受益者。

華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限，需要EUV微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比，采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮，但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高，臺(tái)積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá)200億美元。

關(guān)鍵在于EUV光刻器具價(jià)格高昂。ASML公布，第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進(jìn)帳7.43億歐元，等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過(guò)1億歐元。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測(cè)試設(shè)備成本。

臺(tái)積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程，10月表示強(qiáng)效版7納米制程導(dǎo)入EUV技術(shù)，今年第2季開始量產(chǎn)，良率已相當(dāng)接近7納米制程；6納米制程預(yù)計(jì)明年第1季試產(chǎn)，并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時(shí)，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢(shì)。

臺(tái)積電10月宣布今年資本支出達(dá)140億至150億美元，高于原先設(shè)定目標(biāo)近40%。英特爾（Intel）隨后宣布加碼3%，今年資本支出目標(biāo)達(dá)160億美元，創(chuàng)公司成立以來(lái)新高，比兩年前高出36%。三星（Samsung）上周宣布，今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年，但業(yè)界分析師預(yù)期，三星今年大幅減少投資存儲(chǔ)器生產(chǎn)，以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術(shù)帶動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額新高；半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊（KLA-Tencor）上周公布，會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收年增率達(dá)29%，并表示EUV投資是業(yè)績(jī)成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>

今年以來(lái)，ASML與科磊股價(jià)漲幅分別達(dá)76%、94%。報(bào)導(dǎo)指出，明年EUV需求預(yù)料更加旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。
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