作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是，中芯國際的FinFET生產線比其他代工廠的生產線要小得多。

中芯國際的前代制造技術為28納米，因此14納米工藝切實提高了晶體管密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產更復雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競爭對手。

目前，中芯國際在其300毫米晶圓廠之一中使用其14納米工藝技術提高了產量，因此初始批量并不高。同時，中芯國際的計劃包括建立一條新的300毫米14納米生產線和更薄的工藝技術，每月產能為35,000個晶片。該工廠的建設已于今年年初完成，該公司目前正在安裝生產設備。

除了FinFET的平臺，中芯國際創(chuàng)新的納米制作成工藝發(fā)展正在有條不紊地進行。此外，該公司正在開發(fā)更先進的工藝，包括那些將需要在未來十年使用的極紫外光刻（EUVL）設備的工藝。實際上，該公司甚至已經從ASML購買了EUV設備，但到目前為止尚未安裝。

作為一家相對較小的生產商，中芯國際在技術開發(fā)方面正在逐步縮小自身與大型競爭對手之間的差距。同時，由于每個新流程的研發(fā)成本都較高，因此公司需要增加產量以使開發(fā)在財務上可行。因此，中芯國際（及其他代工廠）及時購買先進的生產設備并增加其制造量對于長期成功至關重要。

中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松博士在聯(lián)合聲明中說：

“在過去的兩年中，我們不僅縮小了先進技術的差距，而且擴大了全面的成熟節(jié)點技術平臺。我們相信，隨著5G應用的浪潮，我們將進入一個新的發(fā)展階段。

FinFET技術的發(fā)展繼續(xù)向前發(fā)展：第一代FinFET已成功開始批量生產，并將在第四季度開始貢獻收入。同時，第二代FinFET的發(fā)展穩(wěn)定，客戶參與度也很平穩(wěn)。我們相信，中芯國際將受益于即將到來的5G產品遷移帶來的廣泛商機，我們將退出這一過渡期并重新進入增長。”