19日,在東京舉行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”會上。三星電子存儲器部門產(chǎn)品規(guī)劃團隊高級董事總經(jīng)理Jinman就所展示的解決方案進行了演講。

Jinman解釋說，該公司的堆疊NAND閃存“ V-NAND”實現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達到500層或更多層的堆棧進行研究。

之后，他介紹了該公司針對云，消費者和自動駕駛的解決方案。

在云中，引入具有PCI Express Gen4（PCIe Gen4）連接的SSD作為寬帶，并且需要高度穩(wěn)定的存儲解決方案。U.2外形尺寸“ PM1733”實現(xiàn)了連續(xù)讀取6,400MB / s的高速傳輸，并引入了30.72TB的大容量模型。雙端口設(shè)計吸引了它，即使兩個控制器之一被損壞，它也將繼續(xù)運行。

低延遲SSD產(chǎn)品“ Z-SSD”吸引了需要低訪問延遲存儲的場景，例如云服務(wù)。通過基于SLC的柵極寬度優(yōu)化和更快的電壓上升/下降等，基于TLC的標準SSD的讀取延遲為1 / 5.5。

針對高速NAND閃存進行了優(yōu)化的NVMe SSD是市場的主要驅(qū)動力，但我們?nèi)栽诶^續(xù)開發(fā)具有諸如HDD替換需求和熱插拔支持等優(yōu)勢的SAS SSD產(chǎn)品。

除了由公司領(lǐng)導(dǎo)的NF1之外，還推出了各種外形尺寸的產(chǎn)品，包括由其他公司領(lǐng)導(dǎo)的標準，并且在引入PCIe Gen4產(chǎn)品之后不久，帶寬就增加了一倍。該公司還宣布開發(fā)加速的PCIe Gen5 SSD。

未來的固態(tài)硬盤，例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”，它們可以通過內(nèi)置的FPGA代替CPU進行的處理，而“ EthernetSSD”可以通過以太網(wǎng)促進存儲擴展，以及那些傳統(tǒng)產(chǎn)品的擴展。

在消費者存儲中，引入了用于智能手機的UFS 3。與iOS設(shè)備閃存相比，Android和UFS的結(jié)合吸引了人們在編寫時沒有性能下降的問題，并且穩(wěn)定，快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS，但三星還發(fā)布了可移動UFS卡，它不僅比競爭對手的microSD卡快，而且還具有硬件錯誤和數(shù)據(jù)丟失檢測，錯誤恢復(fù)以及假定通過諸如自動重發(fā)的功能來提高穩(wěn)定性。

它已經(jīng)在韓國發(fā)布，并將于2020年在美國推出。參展商表示，該公司的某些筆記本電腦配備了UFS卡插槽。

此外，他介紹了固態(tài)硬盤已在面向消費者的游戲領(lǐng)域中部署，并解釋說到2020年，NVMe固態(tài)硬盤不僅將安裝在PC上，還將安裝在消費者游戲機上。對于大存儲游戲內(nèi)容的播放更加流暢，而且SSD是必不可少的。

隨著移動設(shè)備的增加，我們還致力于開發(fā)更節(jié)省空間的SSD，并且我們已經(jīng)將尺寸為M.2 22x30的NVMe SSD商業(yè)化。并朝著1TB的容量前進，硬幣大小且重量小于1g。