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半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的主觀因素和客觀因素

汽車玩家 ? 來(lái)源:集微網(wǎng) ? 作者:Oliver ? 2019-12-08 10:10 ? 次閱讀
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晶圓代工的工藝節(jié)點(diǎn)有許多,做選擇的主觀因素是基于IC設(shè)計(jì)公司對(duì)于工藝和市場(chǎng)的判斷,而客觀因素,則是龍頭代工企業(yè)的產(chǎn)能問題。

目前市面上的高端手機(jī)處理器中,除了三星的Exynos芯片之外,幾乎全都采用臺(tái)積電的7nm或其衍生工藝制成,這直接讓臺(tái)積電市值飆升到了2849.23億美元,一舉超過(guò)三星成為了亞洲最有價(jià)值的公司。

臺(tái)積電第三季度財(cái)報(bào)顯示,7nm營(yíng)收占比高達(dá)27%,臺(tái)積電今年新增的2%產(chǎn)能也全投在了這一節(jié)點(diǎn),預(yù)計(jì)7nm年產(chǎn)能規(guī)模高達(dá)100萬(wàn)片。盡管如此,臺(tái)積電還是低估了今年的晶圓代工市場(chǎng),第四季度7nm產(chǎn)能接單全滿,明年上半年也供不應(yīng)求,甚至連16nm、12nm以及10nm也開始陷入產(chǎn)能不足的境地。

越來(lái)越細(xì)分的工藝節(jié)點(diǎn)

隨著半導(dǎo)體工藝不斷演進(jìn),摩爾定律已經(jīng)很難去完美的遵循。于是乎,各種過(guò)渡工藝成為了代工廠的法寶。在臺(tái)積電的原始7nm(N7)和5nm(N5)之間,就有N7P、N7+和6nm(N6)三種選擇,而N5也有一個(gè)增強(qiáng)版本N5P,如此細(xì)分的工藝節(jié)點(diǎn),究竟在性能上有多大的區(qū)分呢?

根據(jù)集微網(wǎng)此前報(bào)道,N7P 與 N7 的設(shè)計(jì)規(guī)則相同,晶體管密度沒有增加,但新工藝優(yōu)化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在相同功率下將性能提升7%、或在同頻下降低10%的功耗。

N7+引進(jìn)了ASML的EUV設(shè)備,并使用了5層的EUV光罩層。相較于N7工藝,N7+可以將晶體管密度提升了20%,同等功耗水平下能夠提供10%的性能增幅,或者同性能節(jié)省15%的功耗。

N6雖然比N5低一個(gè)版本,但該節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)比N5還要晚。N6是N7的EUV等效工藝,其使用的EUV光罩層比N7+要多,而且兼容于N7,從而能讓大部分N7客戶更容易升級(jí)到這一節(jié)點(diǎn)。相比于N7,N6晶體管密度提升45%,可帶來(lái)15%的性能提升或20%的功耗下降。

N5是臺(tái)積電明年的重頭戲,目前已知僅有華為和蘋果將會(huì)倒入這一最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)將全面使用EUV工藝(14-15層),相較于N7節(jié)點(diǎn), N5的晶體管密度大增80%,并帶來(lái)同功耗15%的性能提升或者同性能30%的節(jié)能。

N5P工藝作為N5的進(jìn)階版,在基礎(chǔ)上采取了FEOL 和 MOL 優(yōu)化。相比于N5,N5P能讓芯片在相同功率下提升7%的性能,或在同頻下降低15%的功耗。

均以N7為基準(zhǔn),通過(guò)上表不難看出,臺(tái)積電這些細(xì)分節(jié)點(diǎn)每一代之間的區(qū)別并不大。所以,作為手機(jī)CPU廠商來(lái)說(shuō),最先進(jìn)的工藝不一定是最好的選擇。市場(chǎng)消息透露,N7+流片費(fèi)用為2.1億人民幣,而N5全光罩流片費(fèi)用更高達(dá)3億人民幣,在這些細(xì)分工藝之間的升級(jí)同樣意味著高昂的成本,芯片廠商需要充分考慮個(gè)中商業(yè)因素。

芯片廠商的主觀抉擇

華為麒麟990系列的工藝選擇很好理解,5G版本集成的5G基帶會(huì)占用很多的晶體管,因此選擇了目前最優(yōu)的N7+工藝,而4G版本在GPU和NPU大幅優(yōu)化過(guò)后,N7足矣。

而關(guān)于高通剛剛發(fā)布的驍龍865,外界存在諸多疑問,例如“為何不用EUV工藝?”、“為什么不找三星代工?”。集微網(wǎng)記者從第四屆高通驍龍技術(shù)峰會(huì)上獲悉,高通選擇臺(tái)積電的N7P來(lái)代工驍龍865,一方面更符合商業(yè)利益,另一方面能讓供應(yīng)鏈更多樣化,因?yàn)橥瑫r(shí)推出的驍龍765/765G是由三星7nm代工。

值得一提的是,驍龍865的“5G伴侶”驍龍X55基帶同樣是采用了臺(tái)積電的N7P工藝,由于X55大概率將會(huì)被下一代5G iPhone采用,業(yè)內(nèi)人士@手機(jī)晶片達(dá)人 透露,原本高通也打算在三星代工驍龍X55,但蘋果方面表示僅會(huì)使用臺(tái)積電生產(chǎn)的驍龍X55。

最后,關(guān)于不支持5G的蘋果A13和聯(lián)發(fā)科的業(yè)界第一顆5G SoC “天璣1000”。前者因?yàn)椴恢С?G,退而求其次選擇N7P工藝,合情合理。那么集成了5G基帶的“天璣1000”為何只使用了臺(tái)積電N7工藝呢?

據(jù)了解, “天璣1000”采用了主頻高達(dá)2.6GHz的4個(gè)ARM Cortex-A77大核,而A77架構(gòu)的性能相比上一代的A76架構(gòu)提升了20%。GPU也采用了最新的ARM Mali-G77 MC9,相比上一代的Mali-G77提升了40%。

有了A77和G77這樣的左膀右臂,聯(lián)發(fā)科或許認(rèn)為N7足矣。更重要的是,N7與N6兼容,聯(lián)發(fā)科作為第一個(gè)試水5G SoC的芯片廠商,一旦采用N7的天璣1000帶來(lái)了不錯(cuò)的營(yíng)收,那么在衍生版本中平滑的升級(jí)到N6將會(huì)幫助聯(lián)發(fā)科進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)。

客觀因素導(dǎo)致群雄逐“產(chǎn)”

各大手機(jī)廠商對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)的選擇,還受到一個(gè)重要的客觀因素影響,那就是臺(tái)積電的產(chǎn)能問題。據(jù)了解,臺(tái)積電今年N7+的產(chǎn)能十分稀缺,很難滿足大客戶的批量生產(chǎn),所以只有麒麟990系列的5G版本采用了該工藝。

所以,對(duì)于臺(tái)積電而言,加購(gòu)EUV機(jī)臺(tái)刻不容緩。因?yàn)镹7之后的每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都需要用到EUV設(shè)備,而EUV設(shè)備的年產(chǎn)量十分有限,2018年總產(chǎn)量?jī)H有22臺(tái),今年雖然增加了產(chǎn)能,但預(yù)計(jì)也只有30臺(tái)左右。

其次,7nm和5nm的擴(kuò)產(chǎn)必須雙管齊下。此前,臺(tái)積電大幅上調(diào)了今年的資本開支,從原定110億美元增加到了140-150億美元,增幅超過(guò)40%,其中有25億美元用于5nm工藝擴(kuò)產(chǎn),剩余用于先進(jìn)工藝研發(fā)和其他工藝產(chǎn)能擴(kuò)充。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,5nm工藝首先在南科Fab 18工廠一期量產(chǎn),明年Q3機(jī)電室產(chǎn)能達(dá)到5.5萬(wàn)片晶圓/月,F(xiàn)ab 18工廠的二期工程也規(guī)劃了5.5萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能。

相比于5nm,臺(tái)積電7nm產(chǎn)能緊張的形勢(shì)更為嚴(yán)峻。因?yàn)?nm目前已知僅有華為海思和蘋果這兩大客戶,而在7nm方面,明年臺(tái)積電不僅有聯(lián)發(fā)科、高通這兩個(gè)手機(jī)處理器大單,還有來(lái)自電腦CPU和GPU方面的AMD、挖礦機(jī)芯片方面的比特大陸搶奪產(chǎn)能,雖然蘋果和華為旗艦芯片轉(zhuǎn)向5nm能夠空置出許多7nm產(chǎn)能,但還需要考慮到各類中低端5G手機(jī)也將逐漸會(huì)跟進(jìn)到7nm節(jié)點(diǎn)。

可預(yù)期的時(shí)間內(nèi),市場(chǎng)需求將始終超過(guò)臺(tái)積電的產(chǎn)能水平。

2020年將迎來(lái)5G手機(jī)的第一波爆發(fā),手機(jī)芯片巨頭群雄逐鹿的好戲一觸即發(fā),而這“鹿”的其中一面,則將會(huì)是臺(tái)積電的產(chǎn)能。

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