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英特爾發(fā)布未來(lái)十年制造工藝擴(kuò)展路線(xiàn)圖,2029年推1.4納米工藝

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:網(wǎng)易科技 ? 作者:小小 ? 2019-12-11 14:37 ? 次閱讀
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12月11日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在今年的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上,芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來(lái)十年制造工藝擴(kuò)展路線(xiàn)圖,包括2029年推出1.4納米制造工藝。

2029年1.4納米工藝

英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏,從2019年的10納米工藝開(kāi)始,到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV(極紫外光刻),然后在2023年采用5納米,2025年3納米,2027年2納米,最終到2029年的1.4納米。這是英特爾首次提到1.4納米工藝,相當(dāng)于12個(gè)硅原子所占的位置,因此也證實(shí)了英特爾的發(fā)展方向。

或許值得注意的是,在今年的IEDM大會(huì)上,有些演講涉及的工藝尺寸為0.3納米的技術(shù),使用的是所謂的“2D自組裝”材料。盡管不是第一次聽(tīng)說(shuō)這樣的工藝,但在硅芯片制造領(lǐng)域,卻是首次有人如此提及。顯然,英特爾(及其合作伙伴)需要克服的問(wèn)題很多。

技術(shù)迭代和反向移植

在兩代工藝節(jié)點(diǎn)之間,英特爾將會(huì)引入+和++工藝迭代版本,以便從每個(gè)節(jié)點(diǎn)中提取盡可能多的優(yōu)化性能。唯一的例外是10納米工藝,它已經(jīng)處于10+版本階段,所以我們將在2020年和2021年分別看到10++和10+++版本。英特爾相信,他們可以每年都做到這一點(diǎn),但也要有重疊的團(tuán)隊(duì),以確保一個(gè)完整的工藝節(jié)點(diǎn)可以與另一個(gè)重疊。

英特爾路線(xiàn)圖的有趣之處還在于,它提到了“反向移植”(back porting)。這是在芯片設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮到的一種工藝節(jié)點(diǎn)能力。盡管英特爾表示,他們正在將芯片設(shè)計(jì)從工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)中分離出來(lái),但在某些時(shí)候,為了開(kāi)始在硅中布局,工藝節(jié)點(diǎn)過(guò)程是鎖定的,特別是當(dāng)它進(jìn)入掩碼創(chuàng)建時(shí),因此在具體實(shí)施上并不容易。

不過(guò),路線(xiàn)圖中顯示,英特爾將允許存在這樣一種工作流程,即任何第一代7納米設(shè)計(jì)可以反向移植到10++版本上,任何第一代5納米設(shè)計(jì)可以反向移植到7++版本上,然后是3納米反向移植到5++,2納米反向移植到3++上,依此類(lèi)推。有人可能會(huì)說(shuō),這個(gè)路線(xiàn)圖對(duì)日期的限定可能不是那么嚴(yán)格,我們已經(jīng)看到英特爾的10納米技術(shù)需要很長(zhǎng)時(shí)間才成熟起來(lái),因此,期望公司在兩年的時(shí)間里,在主要的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上以一年速度進(jìn)行更新的節(jié)奏前進(jìn),似乎顯得過(guò)于樂(lè)觀。

請(qǐng)注意,當(dāng)涉及到英特爾時(shí),這并不是第一次提到“反向移植”硬件設(shè)計(jì)。由于英特爾10納米工藝技術(shù)目前處于延遲階段,有廣泛的傳聞稱(chēng),英特爾未來(lái)的某些CPU微體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),最終可能會(huì)使用非常成功的14納米工藝。

研發(fā)努力

通常情況下,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā),需要有不同的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)每個(gè)節(jié)點(diǎn)的工作。這副路線(xiàn)圖說(shuō)明,英特爾目前正在開(kāi)發(fā)其10++優(yōu)化以及7納米系列工藝。其想法是,從設(shè)計(jì)角度來(lái)看,+版每一代更新都可以輕松實(shí)現(xiàn),因?yàn)檫@個(gè)數(shù)字代表了完整的節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)。

有趣的是,我們看到英特爾的7納米工藝基于10++版本開(kāi)發(fā),而英特爾認(rèn)為未來(lái)的5納米工藝也會(huì)基于7納米工藝的設(shè)計(jì),3納米基于5納米設(shè)計(jì)。毫無(wú)疑問(wèn),每次+/++迭代的某些優(yōu)化將在需要時(shí)被移植到未來(lái)的設(shè)計(jì)中。

在這副路線(xiàn)圖中,我們看到英特爾的5納米工藝目前還處于定義階段。在這次IEDM會(huì)議上,有很多關(guān)于5納米工藝的討論,所以其中有些改進(jìn)(如制造、材料、一致性等)最終將被應(yīng)用于英特爾的5納米工藝中,這取決于他們與哪些設(shè)計(jì)公司合作(歷史上是應(yīng)用材料公司)。

除了5納米工藝開(kāi)發(fā),我們還可以看看英特爾的3納米、2納米以及1.4納米工藝藍(lán)圖,該公司目前正處于“尋路”模式中。展望未來(lái),英特爾正在考慮新材料、新晶體管設(shè)計(jì)等。同樣值得指出的是,基于新的路線(xiàn)圖,英特爾顯然仍然相信摩爾定律。

責(zé)任編輯:gt

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