影馳推出星曜內(nèi)存，具有8GB和16GB兩個規(guī)格
12月19日，影馳發(fā)布了發(fā)布星曜內(nèi)存，采用了鉆石切割RGB導(dǎo)光罩，鋁合金散熱器，擁有8GB和16GB兩個規(guī)格。
據(jù)介紹，影馳星耀內(nèi)存采用了明的導(dǎo)光罩，鉆石切割的設(shè)計，官方稱如一塊潔凈無暇的水晶石，還搭載了磨砂質(zhì)感的鋁合金散熱器。用料方面，這款內(nèi)存采用了超頻DRAM IC，8層A2版PCB，搭載了8顆高亮LED燈。內(nèi)存提供了3000/3200/3600MHz三種頻率，以下是詳細(xì)參數(shù)：
售價方面，3000MHz+8G售價299元，3200MHz+8G售價319元，3600MHz+8G售價359元，3600MHz+16G售價599元，將于近期上線電商平臺，未來還將推出32GB版本。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
led
+關(guān)注
關(guān)注
242文章
23847瀏覽量
674188 -
頻率
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
1561瀏覽量
60379 -
散熱器
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
1087瀏覽量
38622
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
拋棄8GB內(nèi)存，端側(cè)AI大模型加速內(nèi)存升級
的運行以及相關(guān)應(yīng)用的激增都比較吃內(nèi)存和閃存。就在最近，連蘋果也開始淘汰8GB版本，逐步走向12GB、16GB內(nèi)存。智能終端對存儲容量的需求有
迅為iTOP-3588S開發(fā)板核心板引腳240PIN全部引出8GB內(nèi)存32GBEMMC存儲
，8GB內(nèi)存，32GBEMMC。
四核心架構(gòu)GPU內(nèi)置GPU可以完全兼容0penGLES1.1、2.0和3.2。
內(nèi)置NPU
RK3588S內(nèi)置NPU，支持INT4/INT8/INT16
發(fā)表于 06-23 11:19
華強北TF卡回收 內(nèi)存卡回收
、威剛TF卡，索尼TF卡、創(chuàng)見TF卡.......長期大量回收內(nèi)存SD卡，回收全新內(nèi)存卡，收購原裝內(nèi)存卡，回收DDR，收購DDR。
本公司長期回收高存儲容量，最常用的容量：8GB、
發(fā)表于 05-21 17:48
QuarkPi-CA2 RK3588S卡片電腦：6.0Tops NPU+8K視頻編解碼+接口豐富，高性能嵌入式開發(fā)！
/8GB/16GB）與eMMC存儲（32GB/64GB/128GB），支持TF卡擴展，滿足不同存儲需求；集成千兆以太網(wǎng)和M.2 WIFI接口
發(fā)表于 04-11 16:03
LPDDR4 16Gb 技術(shù)文檔詳解：SK hynix H9HCNNNBKUMLXR 規(guī)格書
本文詳細(xì)介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb（x16，2 Channel，1 CS）內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術(shù)規(guī)格書。該文檔提供了芯片的詳細(xì)參數(shù)、功能描述
發(fā)表于 03-03 14:07
DDR4或年內(nèi)停產(chǎn)，三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb
發(fā)表于 02-21 00:10
?1942次閱讀
威剛工控發(fā)布DDR5 6400高性能內(nèi)存
產(chǎn)品均內(nèi)置了先進(jìn)的時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚倥c穩(wěn)定。同時，為了滿足不同用戶的需求，威剛提供了8GB、16GB與32GB三種存儲容量選項，用戶可以根據(jù)自己的實際需求進(jìn)行選擇。 在
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存與DDR5內(nèi)存模組
%。同時，LPDDR5X在功耗控制上也表現(xiàn)出色，實現(xiàn)了25%的功耗降低。此外，該產(chǎn)品提供了8GB、12GB、16GB(ES階段)等多種容量選擇，為旗艦智能手機等終端設(shè)備帶來了卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢。 在PC存儲領(lǐng)域，佰維存儲同樣不
Banana Pi 攜手 ArmSoM 推出人工智能加速 RK3576 CM5 計算模塊
16GB 的大內(nèi)存。它支持 4k 視頻編碼和解碼，具有豐富的接口，并支持各種操作系統(tǒng)。”
[]()
ArmSoM 和 Banana Pi 正在推出 Raspberry Pi CM4
發(fā)表于 12-11 18:38
英偉達(dá)推出GB200 NVL4平臺：整合了兩個GB200芯片
11月19日消息，人工智能（AI）芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）正式推出了兩個全新的AI解決方案硬件平臺，一個是BlackwellGB200NVL4，一個是HopperH200NVL。
上新！米爾-新唐MA35D1核心板512M DDR新配置發(fā)布！
新，容量選擇更豐富現(xiàn)為滿足開發(fā)者更強大的性能和存儲需求，助力更復(fù)雜的應(yīng)用開發(fā)，米爾MA35D1核心板和開發(fā)板新增不同內(nèi)存配置，芯片內(nèi)置512MB DDR，8GB eMMC。核心板型號
產(chǎn)品型號主芯片內(nèi)存
發(fā)表于 11-08 18:01
安卓旗艦手機告別8GB,轉(zhuǎn)向更高規(guī)格的內(nèi)存配置
10月28日資訊，隨著人工智能大模型的普及應(yīng)用，安卓智能手機制造商正積極調(diào)整其旗艦機型的內(nèi)存配置策略。近期推出的多款安卓旗艦已悄然舍棄8GB內(nèi)存版本，轉(zhuǎn)而標(biāo)配更高容量的
三星推出業(yè)界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)
迅為LPDDR5版本瑞芯微RK3588核心板8GB內(nèi)存32GB存儲升級版本
，主頻高達(dá)2.4GHZ，8GB內(nèi)存，32GB EMMC。
四核心架構(gòu)GPU--集成Mali G610 MP4四核GPU、支持OpenGLES 1.1、2.0、3.2OpenCL2.2和Vulkan1.2
發(fā)表于 10-22 10:58
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12
工商網(wǎng)監(jiān)
評論