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鎧俠研發(fā)新儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu),采用浮柵電荷存儲(chǔ)層實(shí)現(xiàn)高集成化

牽手一起夢(mèng) ? 來源: IT之家 ? 作者:孤城 ? 2019-12-24 16:35 ? 次閱讀
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近日,鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實(shí)現(xiàn)高集成化。

據(jù)介紹,新的單元的設(shè)計(jì)中采用浮柵電荷存儲(chǔ)層(Floating Gate)代替電荷陷阱型電荷存儲(chǔ)層(Charge Trap),尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。鎧俠已率先在此單元設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時(shí),鎧俠也證明這種新的單元結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于進(jìn)一步提高容量的超多值存儲(chǔ)單元中。鎧俠于12月11日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表了上述成果。

鎧俠表示,諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過增加單元的堆棧層數(shù)以實(shí)現(xiàn)大容量。但是,隨著單元的堆棧層數(shù)超過100層,高縱寬比的加工越來越困難。為了解決這一問題,鎧俠在新的單元結(jié)構(gòu)中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸,并且可以通過較少的單元堆疊層數(shù)實(shí)現(xiàn)更高的位密度。

據(jù)悉,東芝存儲(chǔ)個(gè)人零售產(chǎn)品將從2020年4月以鎧俠新形象問世,東芝存儲(chǔ)企業(yè)級(jí)產(chǎn)品現(xiàn)已從2019年10月更名為鎧俠正式運(yùn)營(yíng)。

責(zé)任編輯:gt

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