三星半導(dǎo)體工廠停電 DRAM和NAND生產(chǎn)或延誤
2020年1月1日消息，三星半導(dǎo)體工廠停電，導(dǎo)致部分存儲器半導(dǎo)體生產(chǎn)線停止工作。
據(jù)三星電子1日報(bào)道，周二下午1:30，電源線在華城變電站爆裂，在京畿道華城的三星華城半導(dǎo)體工廠停電約1分鐘。
由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，三星電子的11、12和13三條生產(chǎn)線被關(guān)閉了大約一分鐘。第11條產(chǎn)線制造存儲器，但是目前正在切換以生產(chǎn)圖像傳感器。第12條產(chǎn)線生產(chǎn)2D NAND閃存，而第13條產(chǎn)線生產(chǎn)20nm以上的DRAM。
預(yù)計(jì)損失將小于三星平澤半導(dǎo)體工廠在2018年的損失。在平澤半導(dǎo)體工廠停電期間，三星電子因處置晶圓和原始NAND閃存產(chǎn)品而受到500億韓元（約合3億人民幣）的損失。
三星電子尚未就停電問題做出正式回應(yīng)，但預(yù)計(jì)最多可能需要三天時(shí)間才能完全恢復(fù)。此外，由于為停電做準(zhǔn)備的應(yīng)急發(fā)電機(jī)將立即啟動，因此損害預(yù)計(jì)將少于平澤停電事故。
同時(shí)，自2000年以來，三星半導(dǎo)體工廠的停電事故已達(dá)到7次。
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