全球首個,西數(shù)發(fā)布UFS3.1閃存芯片
幾周前JEDEC宣布了UFS3.1標準，針對高性能、低功耗移動應用提供一系列增強特性。昨日西數(shù)搶先發(fā)布全球首個UFS3.1閃存芯片iNAND EU521，瞄準5G智能手機，提供128GB和256GB兩種容量。
根據(jù)西數(shù)的調(diào)研結果，UFS3.0以上規(guī)格才能實現(xiàn)5G時代所需數(shù)據(jù)吞吐量。UFS3.1標準在UFS3.0標準之上增加了寫入加速（SLC Cache）、深度睡眠（增強節(jié)能）和性能限制通知（讓CPU了解UFS閃存當前是否處于過熱狀態(tài)）三種新特性。
在UFS閃存芯片中使用模擬SLC緩存提升寫入效能的方法已經(jīng)得到廣泛應用，UFS3.1實現(xiàn)了寫入加速的標準化。iNAND EU512使用了西數(shù)與鎧俠合作研發(fā)
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