一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預計形成產(chǎn)值100億元

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-03-02 11:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2月28日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項目包括“一個中心、三個基地”?!耙粋€中心”即中國電科(山西)三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心、“三個基地”即中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)能源產(chǎn)業(yè)基地。

項目達產(chǎn)后,預計形成產(chǎn)值100億元。通過吸引上游企業(yè),形成產(chǎn)業(yè)聚集效應,打造電子裝備制造、三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應基地,積極推動山西經(jīng)濟的轉(zhuǎn)型升級。

其中,本次投產(chǎn)的中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地將建成國內(nèi)最大的碳化硅(SiC)材料供應基地。中國電科(山西)碳化硅產(chǎn)業(yè)基地一期項目于2019年4月1日開工建設,同年9月26日封頂。

據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息,一期項目建筑面積2.7萬平方米,能容納600臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力,可形成7.5萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能,將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面,實現(xiàn)完全自主可供。項目投產(chǎn)后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產(chǎn)企業(yè),可實現(xiàn)年產(chǎn)值10億元。
責任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3061

    瀏覽量

    50424
  • 中國電科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    26

    瀏覽量

    10095
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導體崛起

    從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為
    的頭像 發(fā)表于 05-21 09:49 ?503次閱讀
    全球<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到<b class='flag-5'>中國</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導體崛起

    博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

    近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進一
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:09 ?681次閱讀

    三安光電與意法半導體重慶8英寸碳化硅項目通線

    三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預計總投資約為230億元人民幣(約32美元)。該合資廠
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1038次閱讀

    長飛先進武漢基地總投資逾200,預計5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線

    ? 春節(jié)過后,位于武漢新城的長飛先進武漢基地正加緊建設。這座總投資超200億元的超大項目在極短時間內(nèi)拔地而起,目前已進入設備安裝調(diào)試階段,預計今年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。 長飛先進武漢基地
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:20 ?438次閱讀

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?1576次閱讀

    碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

    在半導體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導體
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?1190次閱讀

    碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應用范圍廣泛,其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:11 ?1455次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應用

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領(lǐng)域主要應用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導率和良好的化學穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽能電池的基底
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1147次閱讀

    碳化硅在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質(zhì)使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產(chǎn)業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?935次閱讀

    碳化硅的應用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

    碳化硅的應用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導體材料,因其獨特的物理和化學特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主要應用領(lǐng)域: 電子器件 : 功率器件 :
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?5342次閱讀

    碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2021次閱讀

    重慶三安意法8英寸碳化硅襯底廠已投產(chǎn)

    近日,重慶三安意法8英寸碳化硅(SiC)襯底廠正式投產(chǎn),標志著這一高科技項目比預期提前兩個月進入生產(chǎn)階段,為中國電動汽車產(chǎn)業(yè)供應鏈注入了強勁動力。該項目由全球領(lǐng)先的半導體制造商意法半導體
    的頭像 發(fā)表于 09-04 18:07 ?1248次閱讀

    碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

    引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學性質(zhì),被廣泛應用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)境下的電子器件
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:19 ?2301次閱讀