一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

提高老電腦的性能的三種方案

姚小熊27 ? 來源:電工之家 ? 作者:電工之家 ? 2020-03-29 16:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

提高老電腦的性能,有增加內存、增加固態(tài)硬盤、更換高性能CPU等方法。下面說一下不同的改進方案。

1、最低投入方案——增加內存

根據(jù)圖中方案配置,初步判斷應該是2010年或之后的臺式機,在當時這個配置較高,性能還比較超前。那時候主流操作系統(tǒng)是WindowsXP,對于這個操作系統(tǒng),這樣的硬件配置,運行非常流暢。后來操作系統(tǒng)升級為Windows7,無論是WindowsXP還是圖中Windows7X86系統(tǒng)都只能利用4G內存中的3.25G。電腦啟動后,操作系統(tǒng)和應用軟件都要在內存中運行,一般來說內存越大,運行越流暢。而要利用4G以上內存,需要更換X64位操作系統(tǒng),因此提高性能方案之一,就是增加內存,更換64位操作系統(tǒng),這種方案投入最低。

2、方案之二——增加固態(tài)硬盤

電腦操作系統(tǒng)啟動時要從硬盤中讀取大量文件,尋道讀取數(shù)據(jù),需要較長時間;而固態(tài)硬盤沒有尋道時間,更不需要磁頭啟停,讀取速度大大提高。把操作系統(tǒng)安裝在固態(tài)硬盤上,電腦系統(tǒng)啟動時間會大大縮短。因此提高老電腦性能,加快運行速度方案之二就是增加固態(tài)硬盤,并把操作系統(tǒng)和需要頻繁讀取的軟件安裝在固態(tài)硬盤上,這樣可以加快啟動速度,加快軟件運行速度,減少等待時間。這種方案比增加內存投入稍高。

3、方案之三——增加內存和固態(tài)硬盤

當然也可以綜合上面兩種方案,既增加內存,又增加固態(tài)硬盤,當然投入也更高。增加內存和固態(tài)硬盤,可以大幅提高性能,但投入也相對更高。建議根據(jù)自己的預算和需求量力而行,畢竟是老電腦,投入太高意義不大。

綜上所述,提高老電腦性能方法,最常見的,也普遍被人們采用的就是增加內存,增加固態(tài)硬盤。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電腦
    +關注

    關注

    16

    文章

    1778

    瀏覽量

    70202
  • 固態(tài)硬盤

    關注

    12

    文章

    1515

    瀏覽量

    58561
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    介紹三種常見的MySQL高可用方案

    在生產環(huán)境中,為了確保數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)的連續(xù)可用性、降低故障恢復時間以及實現(xiàn)業(yè)務的無縫切換,高可用(High Availability, HA)方案至關重要。本文將詳細介紹三種常見的 MySQL 高可用
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:16 ?349次閱讀

    信號隔離器三種供電方式的區(qū)別

    信號隔離器是一重要的信號隔離裝置,其供電方式主要有獨立供電、回路供電和輸出回路供電三種。以下是這三種供電方式的詳細區(qū)別: 一、獨立供電 1. 定義:獨立供電是指信號隔離器需要單獨配備DC24V或
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:23 ?373次閱讀
    信號隔離器<b class='flag-5'>三種</b>供電方式的區(qū)別

    redis三種集群方案詳解

    在Redis中提供的集群方案總共有三種(一般一個redis節(jié)點不超過10G內存)。
    的頭像 發(fā)表于 03-31 10:46 ?689次閱讀
    redis<b class='flag-5'>三種</b>集群<b class='flag-5'>方案</b>詳解

    GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

    如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應用。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 18:05 ?1043次閱讀

    示波器的三種觸發(fā)模式

    示波器的觸發(fā)方式不僅影響波形捕捉的時機,還決定了顯示的波形是否穩(wěn)定。 常見的觸發(fā)模式有三種: 單次觸發(fā) (Single)、 正常觸發(fā) (Normal)和 自動觸發(fā) (Auto)。下面將對這三種觸發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 11:04 ?7370次閱讀
    示波器的<b class='flag-5'>三種</b>觸發(fā)模式

    三種封裝形式下的400G光模塊概述

    本文主要就三種封裝形式(QSFP-DD、OSFP、QSFP112)的400G光模塊做了簡單的梳理,從為什么會有400G光模塊問世?400G光模塊在三種封裝形式下的各個具體型號(以短距離為主,最遠2km),三種封裝形式的對比。歡迎
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:35 ?1230次閱讀
    <b class='flag-5'>三種</b>封裝形式下的400G光模塊概述

    什么是PID調節(jié)器的三種模式

    (Proportional)、積分(Integral)和微分(Derivative)。這三種控制動作可以單獨使用,也可以組合使用,形成三種基本的控制模式:比例控制(P)、積分控制(I)和微分控制(D)。 1. 比例控制(P) 比例控制是PID調節(jié)器中最基本的控制模式。在比
    的頭像 發(fā)表于 11-06 10:38 ?1718次閱讀

    I2S有左對齊,右對齊跟標準的I2S三種格式,那么這三種格式各有什么優(yōu)點呢?

    大家好,關于I2S格式,有兩個疑問請教一下 我們知道I2S有左對齊,右對齊跟標準的I2S三種格式,那么這三種格式各有什么優(yōu)點呢? 而且對于標準的I2S格式,32FS傳輸16bit的數(shù)據(jù),48fs傳輸24bit的數(shù)據(jù),最低位會移動到右聲道,是否意味著該數(shù)據(jù)被丟棄了?還是有
    發(fā)表于 10-21 08:23

    基本放大電路有哪三種

    基本放大電路是電子電路中至關重要的組成部分,它能夠將輸入信號放大到所需的電平,以便后續(xù)電路進行處理。在電子工程中,基本放大電路主要有三種形式,分別是共發(fā)射極放大電路(簡稱共射放大電路)、共基極放大
    的頭像 發(fā)表于 10-15 11:07 ?3692次閱讀

    Windows管理內存的三種主要方式

    Windows操作系統(tǒng)提供了多種方式來管理內存,以確保系統(tǒng)資源的有效利用和性能的優(yōu)化。以下是關于Windows管理內存的三種主要方式的詳細闡述,包括堆內存管理、虛擬內存管理以及共享內存管理,每種方式都將從概念、原理、運作機制和應用等方面進行介紹。
    的頭像 發(fā)表于 10-12 17:09 ?2353次閱讀

    mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

    的工作狀態(tài)及工作條件對于理解和設計相關電路至關重要。以下是MOSFET的三種主要工作狀態(tài)及其工作條件的介紹。 一、MOSFET的三種工作狀態(tài) MOSFET根據(jù)其柵源電壓(VGS)和漏源電壓(VDS
    的頭像 發(fā)表于 10-06 16:51 ?6025次閱讀

    單片機的三種總線結構

    單片機的三種總線結構包括地址總線(Address Bus, AB)、數(shù)據(jù)總線(Data Bus, DB)和控制總線(Control Bus, CB)。這三種總線在單片機內部及與外部設備之間的數(shù)據(jù)傳輸
    的頭像 發(fā)表于 09-10 11:32 ?7105次閱讀

    干貨!恒流電路常用的三種設計方案

    作為硬件研發(fā)工程師相信對恒流電路不會陌生,本文介紹下三種恒流電路的原理圖。 極管恒流電路 極管恒流電路 極管的恒流電路,主要是利用Q2
    發(fā)表于 09-09 10:40

    風華貼片電容的三種常規(guī)材料

    風華貼片電容的三種常規(guī)材料主要包括 NPO(COG)、X7R(X5R)和Y5V ,它們的主要區(qū)別在于填充介質的不同,這導致了電容器在容量、介質損耗、容量穩(wěn)定性等方面的差異。以下是關于這三種材料的詳細
    的頭像 發(fā)表于 08-29 15:50 ?1001次閱讀

    三種功率器件的應用區(qū)別

    GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)是三種不同的功率半導體器件,各自在不同的應用領域發(fā)揮著重要作用。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 16:53 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>三種</b>功率器件的應用區(qū)別