三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)
據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
三星已經(jīng)出貨了100萬(wàn)個(gè)使用EUV工藝制造的10nm級(jí)DDR4 DRAM模塊，并得到了客戶(hù)的評(píng)估。三星表示，評(píng)估工作完成后，將為明年大規(guī)模生產(chǎn)新的DRAM鋪平道路。
三星在平澤工廠(chǎng)的EUV專(zhuān)用V2生產(chǎn)線(xiàn)將于下半年開(kāi)始生產(chǎn)DRAM模塊。該生產(chǎn)線(xiàn)預(yù)計(jì)將生產(chǎn)4代10nm級(jí)DDR5和LPDDR5。
這是平澤工廠(chǎng)除7nm邏輯芯片外又一使用EUV技術(shù)生產(chǎn)的芯片，三星稱(chēng)，EUV技術(shù)將使其單個(gè)12英寸晶圓的生產(chǎn)效率提升一倍。
三星、英特爾和臺(tái)積電等全球半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)都將擴(kuò)大EUV技術(shù)在芯片生產(chǎn)中的應(yīng)用。三星此前曾表示，計(jì)劃利用EUV技術(shù)生產(chǎn)3nm芯片。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2349瀏覽量
185649 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182359 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
609瀏覽量
87248
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
回收三星S21指紋排線(xiàn) 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線(xiàn)，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線(xiàn)，收購(gòu)三星指紋排線(xiàn)，全國(guó)高價(jià)回收
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn)，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道
據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)
三星和LG考慮轉(zhuǎn)移家電生產(chǎn)至美國(guó)
據(jù)知情人士透露，三星正計(jì)劃調(diào)整其家電生產(chǎn)布局，考慮將部分烘干機(jī)生產(chǎn)從墨西哥克雷塔羅工廠(chǎng)轉(zhuǎn)移至位于美國(guó)南卡羅來(lái)納州紐伯里的家電工廠(chǎng)。目前，三星在克雷塔羅主要負(fù)責(zé)冰箱、洗衣機(jī)和烘干機(jī)的
三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期
。然而，盡管三星在去年底已經(jīng)成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達(dá)到預(yù)期要求，導(dǎo)致原定的量產(chǎn)計(jì)劃受阻。 此次良率里程碑的延期，反映出
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)
三星平澤P4一期產(chǎn)線(xiàn)調(diào)整：將同時(shí)生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線(xiàn)第一期的產(chǎn)能分配，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整。
三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量
三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
三星確認(rèn)平澤P4工廠(chǎng)1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠(chǎng)投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線(xiàn)將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要
三星電子實(shí)現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)
三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級(jí)低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲(chǔ)器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時(shí)提供12GB及16GB的存儲(chǔ)容量選項(xiàng)。
三星與LG Display攜手推動(dòng)串聯(lián)micro-OLED技術(shù)
近日，據(jù)行業(yè)媒體報(bào)道，三星電子與LG Display兩大顯示技術(shù)巨頭已成功將串聯(lián)OLED（疊層OLED/串聯(lián)式OLED）技術(shù)應(yīng)用于micro
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論