受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期
近日，DigiTimes在一份報告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時間可能已經(jīng)延期至2022年。
三星原計劃2021年初量產(chǎn)3nm，但受疫情影響，三星預(yù)期時間可能已經(jīng)延期至2022年，業(yè)內(nèi)消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因?yàn)镋UV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。
三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而三星最大對手臺積電也因?yàn)橐咔樵?a target="_blank">半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計劃在6月份風(fēng)險試產(chǎn)的3nm FinFET工藝，試產(chǎn)時間將延期到10月份。
相應(yīng)地，臺積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會順延一個季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182354 -
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5755瀏覽量
169834
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星?3nm（SF3）GAA?工藝自?2023?年量產(chǎn)以來，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未獲得大客戶訂單。
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都
三星2025年晶圓代工投資減半
工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2n
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
。然而，盡管三星在去年底已經(jīng)成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達(dá)到預(yù)期要求，導(dǎo)致原定的量產(chǎn)計劃受阻。 此次良率里程碑的延期，反映出
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價，即日起效！
）計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對3nm、5nm
蘋果iPhone 17或沿用3nm技術(shù)，2nm得等到2026年了！
有消息稱iPhone17還是繼續(xù)沿用3nm技術(shù)，而此前熱議的2nm工藝得等到2026年了……
臺積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其中3nm將達(dá)到100%，而5
三星電子：18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18
發(fā)表于 10-23 11:53
?638次閱讀
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同，標(biāo)志著DeepX的5
工商網(wǎng)監(jiān)
評論