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LPDDR和DDR有什么區(qū)別?

工程師鄧生 ? 來源:太平洋電腦網(wǎng) ? 作者:Timber ? 2020-04-07 10:07 ? 次閱讀
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隨著vivo推出iQOO 3和realme推出realme X50 Pro這兩款都有著非常強(qiáng)悍的性能5G手機(jī)上市,人們開始關(guān)注性能優(yōu)異的LPDDR5內(nèi)存等一系列硬核配置。平常關(guān)注手機(jī)圈的玩家或多或少都知道LPDDR4X,而大部分人也都或多或少聽過DDR2、DDR3、DDR4這些電腦上面用的內(nèi)存。

可是DDR內(nèi)存、LPDDR4X、LPDDR5這些內(nèi)存究竟有什么區(qū)別呢?今天,我們來聊一聊什么是LPDDR5,LPDDR5和目前電腦上面用的DDR4有什么區(qū)別?到底能為我們帶來什么價(jià)值和體驗(yàn)?

什么是LPDDR5?

LPDDR全程Lwo Power Double Data Rate,簡稱“低功耗內(nèi)存”,是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)面向低功耗內(nèi)存所指定的通信標(biāo)準(zhǔn),以低功耗和小體積著稱,專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。而LPDDR5就是最新的標(biāo)準(zhǔn)。

美國固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)吧LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)命名為JESD209-5。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/S的速度運(yùn)行,式LPDDR4速度的兩倍,比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

簡單點(diǎn)來說,就是LPDDR5有三大優(yōu)勢,分別是多車道Bank Group架構(gòu),速率跨越式升級(jí)最多可達(dá)50%性能優(yōu)勢提升和超低功耗。

相比之下,LPDDR4X只支持Single Bank Group,而LPDDR5支持多Bank Group模式,這里可以理解為數(shù)據(jù)可以多通道傳輸,從而進(jìn)一步提升了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。也正是因?yàn)锽ank Group模式,從LPDDR4X的4226MT/S的傳輸速率提升至了5500MT/S,傳輸帶寬從34GB/S提升至了44GB/S。

同時(shí)LPDDR5內(nèi)部有三組電壓,VDD1/VDD2/VDDQ,其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L,相比LPDDR4X,LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V,VDDQ由0.6V降至0.5V,另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能,可在低速工作時(shí)切換至更低的0.9V和0.3V電壓,因此,LPDDR5的功耗會(huì)更低。正是因?yàn)檫@樣,所以功耗相比前一代產(chǎn)品,功耗下降了2成以上。

LPDDR和DDR有什么區(qū)別?

DDR全稱Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,嚴(yán)格的來講,DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。雖然美國固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)2018年宣布正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn),但實(shí)際上最終的規(guī)范要到2020年才能完成,其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍,速率3200MT/s起,最高可達(dá)6400MT/s,電壓則從1.2V降至1.1V,功耗減少30%。

同時(shí)因?yàn)楣暮腕w積的優(yōu)勢,LPDDR內(nèi)存一般會(huì)用在手機(jī)上和部分輕薄筆記本上,例如蘋果的MacBook Air,采用的就是LPDDR3的內(nèi)存,而一般的DDR內(nèi)存一般會(huì)用在臺(tái)式機(jī)和一般的筆記本上面。

LPDDR和DDR之間的關(guān)系非常密切,簡單來說,LPDDR就是在DDR的基礎(chǔ)上面演化而來的,LPDDR2實(shí)在DDR2的基礎(chǔ)上演化而來的,LPDDR3則實(shí)在DDR3的基礎(chǔ)上面演化而來的,以此類推。但是從第四代開始,兩者之間有了差別或者說走上了不同的發(fā)展,主要因?yàn)镈DR內(nèi)存主要是通過提高核心頻率從而提升性能,而LPDDR則是通過提高Prefetch預(yù)讀取位數(shù)而提高使用體驗(yàn)。同時(shí)在商用方面,LPDDR4首次先于DDR4登陸消費(fèi)者市場。

以目前使用量最高的DDR4和LPDDR4來舉例,LPDDR4是通過兩個(gè)16位通道組成的32位總線,而DDR4卻具備原生64位通道,LPDDR4的Prefetch預(yù)讀取位位16位,而DDR4為8位,所以在實(shí)際運(yùn)算的過程中,DDR4的性能利用率會(huì)更高,丹LPDDR卻可以用耕地的功耗來獲得更高的理論性能。

所以,也不存在LPDDR5的技術(shù)比DDR5更先進(jìn),性能跟高這一說法,并且如果論性能的話,DDR的性能始終是高于同代的LPDDR內(nèi)存的性能的。

LPDDR5究竟能帶來什么?

按照說法,LPDDR5相比較于LPDDR4X,綜合場景續(xù)航提升大約10%,玩游戲省電大約20%,微信視頻和語音大約提升10%。相比較于LPDDR4X,搭載了LPDDR5內(nèi)存的手機(jī),在啟動(dòng)游戲或者加載應(yīng)用的時(shí)候,速度會(huì)比之前快很多,更重要的是,手機(jī)的電量消耗會(huì)比使用LPDDR4X內(nèi)存手機(jī)消耗更慢些。此外,內(nèi)存越大,手機(jī)在重載和多應(yīng)用環(huán)境下的優(yōu)勢就更加明顯。

驍龍865+LPDDR5+UFS3.0這樣的配置一定會(huì)成為今年旗艦機(jī)型的標(biāo)配,不過也有部分機(jī)型可能會(huì)繼續(xù)蔡邕LPDDR4X,具體搭載這兩種不同內(nèi)存的手機(jī),在實(shí)際使用過程中會(huì)帶來什么樣的差距,還需要經(jīng)過后續(xù)的實(shí)際測試來驗(yàn)證。

總結(jié)

總而言之,桌面級(jí)的DDR內(nèi)存在技術(shù)升級(jí)方面要慢于移動(dòng)端,LPDDR內(nèi)存由于在便攜設(shè)備的功耗占比比較高,況且同時(shí)還擔(dān)負(fù)著顯存這一身份的重任,技術(shù)的迭代對(duì)于手機(jī)性能和功耗有著巨大的影響,所以相比較于DDR內(nèi)存,LPDDR內(nèi)存更容易被用戶感知。

因?yàn)楹褪謾C(jī)相比,電腦對(duì)功耗的要求沒有那么高,也沒有那么敏感,所以很多輕薄筆記本還在使用LPDDR3的內(nèi)存,即使最新的英特爾處理器也只支持LPDDR4X內(nèi)存,DDR5的正是規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)今年才會(huì)完成制定,即使標(biāo)準(zhǔn)制定完成,今年也不會(huì)看到很多搭載DDR5內(nèi)存的電腦。而LPDDR5則是今年絕大部分旗艦機(jī)型的標(biāo)配,相比DDR5,LPDDR5會(huì)在很多手機(jī)上面看到。

而在性能方面,LPDDR和DDR各有千秋,比如LPDDR5目前在數(shù)據(jù)傳輸速率上,理論性能的確領(lǐng)先DDR4一個(gè)身位,但這并不代表LPDDR5一定比DDR4更強(qiáng)。

電子產(chǎn)品的進(jìn)步總結(jié)下來一定是體積更小,性能更強(qiáng),功耗更低。當(dāng)然內(nèi)存也不例外,無論是LPDDR內(nèi)存還是DDR內(nèi)存,或許有一天能通過極低的功耗,實(shí)現(xiàn)更高的性能。
責(zé)任編輯:wv

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