一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新光刻技術(shù)將會對納米芯片的發(fā)展產(chǎn)生重大影響

獨(dú)愛72H ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2020-04-15 15:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來源:網(wǎng)絡(luò)整理)

該行業(yè)正在不斷刷新納米芯片的記錄,這無疑將為我們帶來更多的未來計(jì)算可能性。為此,來自世界各地的研究人員正在不斷努力。最近,一個(gè)國際研究小組在其報(bào)告中表示,它在納米芯片的制造方面取得了突破性進(jìn)展,或者它將對納米芯片的生產(chǎn)以及全球所有納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)生重大影響。

據(jù)報(bào)道,該研究團(tuán)隊(duì)由紐約大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物分子工程教授Riedo領(lǐng)導(dǎo)。他們表明,使用加熱到100攝氏度以上的探針進(jìn)行光刻比二維半導(dǎo)體要好(例如,制造金屬二硫化鉬(MoS2)的方法更便宜,并且有望成為替代方法)。到今天的電子束光刻。

該團(tuán)隊(duì)將這種新的制造方法稱為熱掃描探針光刻(t-SPL),它比當(dāng)今的電子束光刻(EBL)更具優(yōu)勢:首先,熱光刻技術(shù)取得了重大進(jìn)展。一維晶體管的質(zhì)量抵消了肖特基勢壘,并阻礙了金屬和二維襯底的結(jié)點(diǎn)處的電子流動。與EBL不同,熱光刻技術(shù)使芯片設(shè)計(jì)人員可以輕松地對半導(dǎo)體尺寸進(jìn)行成像,然后在需要時(shí)對電極進(jìn)行構(gòu)圖。此外,熱掃描探針光刻(t-SPL)制造系統(tǒng)有望從一開始就節(jié)省成本。最后,通過使用平行熱探針,熱制造方法可以輕松地?cái)U(kuò)展到大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

Elisa Riedo教授和博士生Liu Xiangyu他們使用熱掃描探針光刻技術(shù)和SwissLitho的NanoFrazor設(shè)備在紐約大學(xué)Tandon工程學(xué)院的PicoForce實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)高質(zhì)量的2D芯片。

Riedo博士希望t-SPL最終能夠從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到工廠進(jìn)行批量生產(chǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這一愿景,研究人員仍然需要繼續(xù)努力,以快速推進(jìn)材料科學(xué)和芯片設(shè)計(jì)。有一天,這些t-SPL工具的分辨率將小于10納米,并且將在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下使用120伏電源運(yùn)行。

實(shí)際上,Riedo在熱測試方面的經(jīng)驗(yàn)可以追溯到十年以上,首先是在IBM Research-Zurich,然后是紐約城市大學(xué)研究生中心(CUNY)的高級科學(xué)研究中心(ASRC)。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 納米芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    51

    瀏覽量

    14647
  • 光刻技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    151

    瀏覽量

    16204
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    的基礎(chǔ),直接決定了這些技術(shù)發(fā)展水平。 二、顯影在光刻工藝中的位置與作用 位置:顯影是光刻工藝中的一個(gè)重要步驟,在曝光之后進(jìn)行。 作用:其作用是將曝光
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?442次閱讀

    納米技術(shù)發(fā)展歷程和制造方法

    納米技術(shù)是一個(gè)高度跨學(xué)科的領(lǐng)域,涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路(IC)作為已經(jīng)達(dá)到納米級別的重要技術(shù),對社會生活產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:43 ?1808次閱讀
    <b class='flag-5'>納米技術(shù)</b>的<b class='flag-5'>發(fā)展</b>歷程和制造方法

    EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

    ? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻
    的頭像 發(fā)表于 02-18 09:31 ?1027次閱讀
    EUV<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>面臨新挑戰(zhàn)者

    名單公布!【書籍評測活動NO.57】芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)

    設(shè)計(jì),需要考慮各種因素,如芯片的性能、功耗、散熱等。 ? 精密制造工藝: 從硅片的加工到光刻技術(shù),每一步都要求極高的精度,這要求在納米級的尺寸上精確地蝕刻電路圖案。 ? 材料科學(xué): 硅
    發(fā)表于 02-17 15:43

    納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

    光刻技術(shù)芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)
    的頭像 發(fā)表于 02-13 10:03 ?2030次閱讀
    <b class='flag-5'>納米</b>壓印<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:開創(chuàng)下一代<b class='flag-5'>光刻</b>的新篇章

    光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 02-06 09:38 ?503次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)用<b class='flag-5'>納米</b>位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    芯片制造:光刻工藝原理與流程

    光刻芯片制造過程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹,包括原理和具體步驟。?? 光刻
    的頭像 發(fā)表于 01-28 16:36 ?1406次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>制造:<b class='flag-5'>光刻</b>工藝原理與流程

    納米管在EUV光刻效率中的作用

    數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個(gè) 21 世紀(jì),這種令人難以置信的縮小趨勢(從 90 納米到 7 納米及更小
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:06 ?557次閱讀
    碳<b class='flag-5'>納米</b>管在EUV<b class='flag-5'>光刻</b>效率中的作用

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻(EUV)競爭

    來源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?581次閱讀

    用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹

    ? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造:光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個(gè)多世紀(jì),
    的頭像 發(fā)表于 11-24 11:04 ?2477次閱讀
    用來提高<b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)分辨率的浸潤式<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

    最新CMOS技術(shù)發(fā)展趨勢

    技術(shù)(EUV) 隨著制程技術(shù)發(fā)展,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)接近物理極限。極紫外光刻
    的頭像 發(fā)表于 11-14 10:01 ?1974次閱讀

    一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場前景展望

    光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著
    的頭像 發(fā)表于 11-11 10:08 ?1915次閱讀
    一文解讀<b class='flag-5'>光刻</b>膠的原理、應(yīng)用及市場前景展望

    電子束光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)對納米結(jié)構(gòu)特征的精細(xì)控制

    電子束光刻技術(shù)使得對構(gòu)成多種納米技術(shù)基礎(chǔ)的納米結(jié)構(gòu)特征實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制成為可能。納米結(jié)構(gòu)制造與測量的研究人員致力于提升
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:23 ?955次閱讀
    電子束<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>實(shí)現(xiàn)對<b class='flag-5'>納米</b>結(jié)構(gòu)特征的精細(xì)控制

    光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解

    分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形,通過模擬計(jì)算確定最佳光照條件,以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window),這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:11 ?1533次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>工藝中分辨率增強(qiáng)<b class='flag-5'>技術(shù)</b>詳解

    新思科技發(fā)布1.6納米背面布線技術(shù),助力萬億晶體管芯片發(fā)展

    近日,新思科技(Synopsys)宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功推出了1.6納米背面電源布線項(xiàng)目。這一技術(shù)將成為未來萬億晶體管芯片制造過程中
    的頭像 發(fā)表于 09-30 16:11 ?636次閱讀