我們?cè)谶x擇晶體振蕩器時(shí),或者在看廠商所提供給你的規(guī)格書(shū)上面都有一個(gè)輸出模式(Output Type/Specification),經(jīng)??吹降腃MOS、TTL、HCMOS等,這些代表的是什么意思呢,我們?cè)谫?gòu)買(mǎi)時(shí),又應(yīng)該如何正確選擇呢?下面由SJK晶科鑫帶領(lǐng)大家去了解一下晶體振蕩器的輸出模式的究竟。
首先,我們先跟大家說(shuō)明一下這些輸出模式的定義:
TTL: Transistor-Transistor Logic(晶體管-晶體管邏輯電路) 傳輸延遲時(shí)間快、功耗高, 電流控制器件
CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS邏輯電路)傳輸延遲時(shí)間慢、功耗低, 電壓控制器件
LVPECL: Low Voltage Positive Emitter-Couple Logic(低壓正發(fā)射極耦合邏輯)
LVDS: Low-Voltage Differential Signaling(低電壓差分信號(hào))
HCSL: High?speed Current Steering Logic(電流型差分信號(hào))
了解了這些定義后,目前大部分來(lái)說(shuō),TTL由于功耗過(guò)高,基本都是不選用了,我們?cè)谶@里不再對(duì)TTL進(jìn)行過(guò)多的分析;好,我們看完了定義,我們來(lái)通過(guò)實(shí)際測(cè)試來(lái)看看他們輸出波形的區(qū)別:
CMOS:
LVPECL@2.5V:
LVPECL@3.3V:
LVDS:
HCSL:
通過(guò)上述各輸出模式的波形的輸出,我們也可以從中看出當(dāng)中的區(qū)別,下面我們來(lái)講述一下各電路的測(cè)試電路:
CMOS輸出測(cè)試電路:
LVPECL輸出@2.5V測(cè)試電路:
LVPECL輸出@3.3V測(cè)試電路:
LVDS輸出@2.5V測(cè)試電路:
LVDS輸出@3.3V測(cè)試電路:
HCSL輸出測(cè)試電路:
通過(guò)以上分析,相信大家對(duì)各輸出模式的區(qū)別有了一定的了解,當(dāng)然,如果還有更多的信息想要了解,可與我公司進(jìn)行聯(lián)系,相信我司的工程師會(huì)全力為貴公司提出更好的方案,更好的使用建議,這次,就到此告一段落.
-
振蕩器
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
4009瀏覽量
140851 -
晶體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
1391瀏覽量
36343
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
晶體振蕩器如何失效?
什么是壓控晶體振蕩器
低功耗石英晶體振蕩器的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)壓控晶體振蕩器
緊湊小巧的可編程晶體振蕩器
石英晶體振蕩器的振幅條件及其在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
石英晶體振蕩器的頻率范圍
壓控晶體振蕩器和石英晶體振蕩器的區(qū)別
壓控晶體振蕩器的構(gòu)成和工作原理
弛豫振蕩器和晶體振蕩器的區(qū)別
從晶體振蕩器產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)

獨(dú)立BAW振蕩器相對(duì)于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢(shì)

評(píng)論