接下來小編給大家一起分享下這款“多模式交錯(cuò)電源”的設(shè)計(jì)過程吧!
先回顧下本次大賽內(nèi)容:
參賽要求
1. Vin=12V, Vout=2.5V,lout=2A;整版使用電容合計(jì)容量,不得大于 60uF;
2. PCB 設(shè)計(jì)僅限于2-4層 (不接受6層及以上 PCB 設(shè)計(jì));
3. 測試中,不允許切換工作模式。
評(píng)選規(guī)則
作品實(shí)物圖
專家點(diǎn)評(píng)
設(shè)計(jì)思路清晰,滿載效率高。
作品設(shè)計(jì)過程
1
方案介紹
設(shè)計(jì)一款較好符合比賽要求的電源,需對(duì)電源的各方參數(shù)做出整合和推敲。 低紋波、小負(fù)載波動(dòng)、高效率、低靜態(tài)功耗均可用 ADI 芯片實(shí)現(xiàn),但無法用同一個(gè)芯片達(dá)到所有指標(biāo)的極致。其中最難的是效率的提升,這個(gè)局限于芯片和物理法則,不作為首要考慮的重點(diǎn)。 其次是動(dòng)態(tài)響應(yīng),這要求電路快速動(dòng)作,這顯然與輕載和空載性能要求相反,具體可參考 LT8643 和 LT8645 的區(qū)別。將他們?nèi)诤显谝黄鹬\求兩個(gè)芯片性能的疊加,成為一個(gè)不錯(cuò)的選擇。 解決方案為雙路交替工作,功率級(jí)分別是 LT8643S 和 LT8645S,其中集成 MOS 開關(guān)的 LT8643S 可以在高頻下實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)的 CCM 模式,這款芯片還支持可配置的外部補(bǔ)償,而LT8645S 可實(shí)現(xiàn)低空載電流和滿載的高效率,運(yùn)行在較低的開關(guān)頻率。 LT8645S 工作在 Burst 模式下,實(shí)現(xiàn)空載和滿載的高效率,LT8643S 以 CCM 工作在 100mA 到 1.5A 的輸出電流段,且輸出設(shè)定電壓比 LT8645S 高一點(diǎn),當(dāng) LT8643S 開啟時(shí),LT8645S 自動(dòng)處于休眠狀態(tài)。 以上功能的實(shí)現(xiàn)需要低功耗輸出電流采樣電路,ADI 具有使能端 LTC2067 可以完美的用亞毫歐電阻對(duì) 0.1A 到 2A 的輸出電流進(jìn)行采樣。 為了提高靜態(tài)和輕載性能,讀取 LT8645S 的狀態(tài)信息作為電流測量控制邏輯電路的啟動(dòng)信號(hào),這可以利用 LTC2067 的使能端和電感副繞組實(shí)現(xiàn)。控制框圖如下圖1.1.
圖1.1 控制框圖
本方案看似有3個(gè)狀態(tài),實(shí)際上只有兩個(gè),主工作狀態(tài)是 LT8645,它的工作空白區(qū)間是 0.1-1.5A,在空白區(qū)間內(nèi)是 LT8643 以超高的開關(guān)頻率和超快的環(huán)路,抑制紋波,壓低動(dòng)態(tài),而這整個(gè)模式切換只需要一個(gè)電流采樣和窗口比較器控制 LT8643 的使能就可以實(shí)現(xiàn)。 這是我思前想后最簡單的控制邏輯了,這個(gè)方案還有個(gè)優(yōu)點(diǎn),負(fù)責(zé)效率的電感和開關(guān)頻率是獨(dú)立與高速部分,便于優(yōu)化最終的效率,負(fù)責(zé)高速的部分可以選取更合適的電感,以謀求最好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
2
原理圖設(shè)計(jì)
圖2.1 原理圖
(原帖可下載源文件)
左上角部分為工具模塊 LT8643,除了基本配置,外加一個(gè)控制使能的窗口電路,模式腳可以浮空,接上只是為了了解這個(gè)芯片的更多細(xì)節(jié)。 左下方為這個(gè)電路的基本結(jié)構(gòu),這個(gè)模塊除了 LT8645 的基本配置和喚醒部分,最重要的就是那個(gè)阻容分壓結(jié)構(gòu)。這個(gè)區(qū)域放大圖如下圖2.2所示。
圖2.2 阻容反饋及喚醒基準(zhǔn)
為了高的效率,LT8645 需要工作在大電感和低開關(guān)頻率條件下,在之前的實(shí)驗(yàn)板上 LT8645 出現(xiàn)了運(yùn)行不穩(wěn)定的現(xiàn)象,可這個(gè)芯片沒有外部補(bǔ)償,只能通過其它方式使環(huán)路穩(wěn)定,阻容分壓結(jié)構(gòu)就不錯(cuò),可以在高低頻之間產(chǎn)生一個(gè)零極點(diǎn)對(duì),降低高頻段的反饋系數(shù)和環(huán)路增益達(dá)到補(bǔ)償?shù)哪康?,下圖2.3是在 4.5uh-370khz 小的 1A-2A 動(dòng)態(tài)響應(yīng)??梢姯h(huán)路的穩(wěn)定性還是很不錯(cuò)的。
圖2.3動(dòng)態(tài)響應(yīng)
左下方為銅箔電流采樣技術(shù),電流檢測芯片為 LTC2067,失調(diào)電壓在 1uv 左右,銅箔采樣電阻為 0.7 歐左右,采樣電流的精度校準(zhǔn)使用下部電流源的負(fù)載電阻。這個(gè)模塊也是這個(gè)電路在調(diào)試時(shí)遭遇 “玄學(xué)” 最多的地方,下圖2.4是該區(qū)域的放大圖。
圖2.4 電流采樣電路與喚醒
圖2.4中左側(cè)構(gòu)成了最普通的電流檢測結(jié)構(gòu),最初的問題是 LTC2067 的供電是以地為參考的,并且通過 rc 結(jié)構(gòu)從輸出電壓上取電,這種結(jié)構(gòu)可以保證這個(gè)芯片的使能端被外部輕載檢測觸發(fā)啟動(dòng)。
正是這個(gè)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了嚴(yán)重的問題,左側(cè)2、3號(hào)腳要承受大量高頻共模,這將導(dǎo)致兩個(gè)嚴(yán)重的問題,首先是小電流的采樣完全是錯(cuò)誤的,容易在沒有負(fù)載的情況下容易被干擾 (示波器電流探頭測量 PWM 時(shí)) 觸發(fā) LT8643 的啟動(dòng),另外一個(gè)問題是電流檢測的非線性,這個(gè)原理不明,應(yīng)該和放大器內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)。
上述問題可以通過在這兩個(gè)引腳和采樣銅箔間插入 rc 濾波器來緩解,事實(shí)證明這種措施十分有效,電流采樣電路對(duì)動(dòng)態(tài)采樣結(jié)果如下圖2.5,實(shí)際在 10mA-2A 誤差不超過 5%。
圖2.5 電流采樣
此處二號(hào) “玄學(xué)” 是電流采樣輸出腳的迷之漏電流,經(jīng)過反復(fù)排查,確定初始漏電流由斬波放大器引腳輸入引發(fā)的電荷泵效應(yīng)將高電壓引腳的的電荷泵送到低電位的引腳。
發(fā)生這種神奇現(xiàn)象的根本原因是我用斬波運(yùn)放 OPA2333 作為比較器,因?yàn)槭诸^可以工作在低電壓的低功耗運(yùn)放或比較器不多。
這個(gè)問題通過更換普通低壓運(yùn)放后,喚醒后的漏電流問題基本解決,其實(shí)不完全解決,LT2067 也是斬波運(yùn)放,另一半也是連接電流采樣作為比較器使用,用來使能 LT8643 和自鎖使能端,可能由于引腳壓差太小或內(nèi)部特殊結(jié)構(gòu),沒有形成可觀漏電流。
之后是漏電流二號(hào)出場,這次漏電的原因是外部運(yùn)放的強(qiáng)行使能導(dǎo)致電流流過芯片通過 ESD 結(jié)構(gòu)從運(yùn)放輸入腳漏向電流采樣端口。這個(gè)現(xiàn)象發(fā)生在實(shí)驗(yàn)板上,是外部運(yùn)放使用低側(cè) MOS 開關(guān)跟隨 LT8643 一起被喚醒,在未喚醒前運(yùn)放的地引腳浮空,被內(nèi)部漏電拉到高電平,這個(gè)地又和輸入腳有個(gè)二極管,自然就會(huì)從這個(gè)腳向外漏電流。解決方案使用一個(gè) NMOS 和一個(gè) PMOS 同步驅(qū)動(dòng),將芯片和地同時(shí)斷開。
上面的操作引出了漏電流三號(hào),漏電流三號(hào)表現(xiàn)非常詭異,在示波器可以看到控制邏輯回路在穩(wěn)定震蕩。
在沒有任何輸出電流的情況下,電流采樣輸出出現(xiàn)間距極大的小尖峰,這個(gè)小尖峰啟動(dòng)自鎖結(jié)構(gòu),所有芯片正常供電,電流恢復(fù)到正常狀態(tài),因?yàn)闆]有電流輸出,自鎖信號(hào)被電流測量信號(hào)復(fù)位。然后外部運(yùn)放切離電源,戲劇性的一幕出現(xiàn)了,外部運(yùn)放下 MOS 比上 MOS 斷開速度更快,差了一個(gè)低速反相器時(shí)間,這個(gè)瞬態(tài)和上一種漏電流現(xiàn)象一樣,漏出一個(gè)電流尖峰 (極窄,不用單次觸發(fā)觀察不到) 到電流采樣輸出,喚醒自鎖,就這樣往復(fù)循環(huán)。
上述電流采樣和控制邏輯出問題的根本原因是我對(duì)斬波運(yùn)放認(rèn)識(shí)不夠深刻,還試圖強(qiáng)行給芯片加使能。
3
PCB 為雙層,正反面如下圖3.1、3.2,實(shí)物圖,如圖3.3。
圖3.1 PCB正面
圖3.2 PCB反面
圖3.3 實(shí)物圖
實(shí)物測試
圖4.1 測試電路
5項(xiàng)指標(biāo)測試: ?靜態(tài)電流空載電流為2.3ua左右 ?輕載輸入電壓和電流為11.870v、33.7ua,輸出電壓2.503v,負(fù)載為20k,效率計(jì)算為78.4%。 ?紋波紋波出現(xiàn)時(shí),電路切換到 LT8643 的 CCM 模式,開關(guān)頻率2.6MHZ,紋波基本不可觀測,接近低頻噪聲的幅度,總的幅度不超過3mv。 ?動(dòng)態(tài)測試這塊板子的動(dòng)態(tài)性能十分優(yōu)秀,最大峰值 10mv 左右,上下峰峰值加起來也只有 15mv 左右,如下圖4.2、4.3、4.4。
圖4.2 動(dòng)態(tài)響應(yīng),綠線電流波形
圖4.3 動(dòng)態(tài)響應(yīng)上沖
圖4.4 動(dòng)態(tài)下沖
?2A效率為了優(yōu)化 LT8645 的效率,選取了6個(gè)不同的頻率點(diǎn)測量效率取其最優(yōu)解。 分別取 374KHZ、388KHZ、405KHZ、418KHZ、442KHZ、483KHZ,其中在 405KHZ 處達(dá)到最高效率94.6%。其它各點(diǎn)效率如下:94%、94.4%、94.4%、93.9%、93.7%。
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芯片
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ADI
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電容
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原文標(biāo)題:三等獎(jiǎng) | 基于 LT8643S 和 LT8645S 的多模式交錯(cuò)電源
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