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FinFET是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管

lhl545545 ? 來(lái)源:IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2020-06-16 14:34 ? 次閱讀
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近日,IEEE Life Fellow(IEEE終身會(huì)士)Chenming Hu教授榮獲今年的 IEEE 榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?,以表彰他?a target="_blank">半導(dǎo)體模型開發(fā)和應(yīng)用方面做出的杰出貢獻(xiàn),特別是發(fā)明了使摩爾定律得以延續(xù)數(shù)十年的 3D 結(jié)構(gòu)器件(FinFETs)。

IEEE獎(jiǎng)勵(lì)委員會(huì)(AB)管理的職責(zé)是管理由IEEE頒發(fā)的最高獎(jiǎng)?wù)拢?jiǎng)勵(lì),認(rèn)可的活動(dòng)。通過獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃,IEEE表彰其會(huì)員在IEEE領(lǐng)域內(nèi)所做的推動(dòng)社會(huì)福利的貢獻(xiàn)。通過這種方法,提高組織,會(huì)員和行業(yè)的形象和威信。近一個(gè)世紀(jì)以來(lái),IEEE獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃影響的技術(shù),社會(huì)和工程的發(fā)展。提名一名同事也成為IEEE最負(fù)盛名的榮譽(yù)之一。IEEE獎(jiǎng)牌,獎(jiǎng)項(xiàng)及榮譽(yù)由一些世界領(lǐng)先的企業(yè),基金會(huì)和個(gè)人贊助,以支持IEEE感興趣的領(lǐng)域。

IEEE獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃分為三種類型:IEEE Medals(獎(jiǎng)?wù)拢?Technical Field Awards(技術(shù)領(lǐng)域獎(jiǎng)勵(lì)), Recognitions (認(rèn)可)。其中,IEEE獎(jiǎng)?wù)率亲罡邔哟危鳬EEE Medal of Honor(榮譽(yù)勛章)又是獎(jiǎng)?wù)轮械淖罡邩s譽(yù),IEEE獎(jiǎng)?wù)掳匾鴱V泛的IEEE領(lǐng)域。

Chenming Hu在晶體管模型和新型晶體管結(jié)構(gòu)方面的開創(chuàng)性成就,使半導(dǎo)體器件的規(guī)模不斷擴(kuò)大,從而能夠生產(chǎn)更小、更強(qiáng)大、成本更高的半導(dǎo)體器件。

FinFET 是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管,F(xiàn)inFET 命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng),F(xiàn)inFET 閘長(zhǎng)已可小于 25 納米,未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至 9 納米,約是人類頭發(fā)寬度的 1 萬(wàn)分之 1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。

Chenming Hu是IEEE的終身會(huì)士,2014年美國(guó)國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)芦@得者,是美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)系的TSMC杰出退休教授。
責(zé)任編輯:pj

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