近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。

今年，基于長江存儲64層3DNAND的SSD陸續(xù)上市，基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條也開始量產(chǎn)，有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，事實上紫光也已于今年3月在各電商平臺上架了采用自主存儲顆粒的內(nèi)存條，存儲顆粒由旗下紫光國芯提供。

圖：基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條

光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400內(nèi)存條的量產(chǎn)上市，對于國產(chǎn)DRAM芯片的發(fā)展具有重要的推動意義，可以預見，未來將會有越來越多采用國產(chǎn)DRAM芯片的內(nèi)存條逐步量產(chǎn)。與此同時，長鑫、紫光等國內(nèi)DRAM廠商還在不斷推進新技術和工廠建設。

長鑫、紫光等DRAM廠商持續(xù)推進技術發(fā)展和產(chǎn)能建設

雖然國內(nèi)DRAM廠商近年來進展顯著，然而與國際巨頭相比還是存在極大差距，國內(nèi)DRAM廠商還將繼續(xù)在技術、產(chǎn)能等各個方面進行不斷投入。

合肥長鑫

長鑫存儲目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)，是規(guī)模最大、技術最先進的中國大陸DRAM設計制造一體化企業(yè)。

2019年9月20日，合肥長鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前公司官網(wǎng)已對外供應DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。就如上文所言，目前基于長鑫DDR4芯片的國產(chǎn)內(nèi)存條已經(jīng)量產(chǎn)。

接下來，合肥長鑫將推進LPDDR5，工藝升級到17nm以下。

安徽省日前發(fā)布文件表示，要求推進低功耗高速率LPDDR5DRAM產(chǎn)品開發(fā)。合肥長鑫將作為重點企業(yè)來研發(fā)LPDDR5的內(nèi)存產(chǎn)品，LPDDR5是目前用在手機、平板電腦等移動設備上的最先進的內(nèi)存芯片，目前僅有鎂光和三星能夠生產(chǎn)。

官方為其指定的計劃時間是2-3年，但實際上長鑫早已開始研發(fā)下一代DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5內(nèi)存等工藝技術，預計實際完成時間會比指定時間更短。

產(chǎn)能方面，長鑫內(nèi)存項目共有三期，第一期投資約為72億美元，預計產(chǎn)能為12.5萬片晶圓/月，約占全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的10%。不過有消息稱，當前產(chǎn)能只有2萬片晶圓/月，預計今年底擴展到4萬片晶圓/月，達到全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的3%。

紫光集團

如上文所述，紫光于3月在各電商平臺上架基于自主DRAM芯片的內(nèi)存條，紫光國微曾表示，DRAM存儲器芯片為公司下屬子公司西安紫光國芯的產(chǎn)品，其DDR4及移動用的LPDDR4目前均已經(jīng)量產(chǎn)銷售。

西安紫光國芯前身為西安華芯半導體有限公司，是在原奇夢達科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎上發(fā)展起來的。

2009年，浪潮集團收購原德國奇夢達科技（西安）有限公司，進行改制重建并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年，紫光集團旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

不過紫光國微沒有內(nèi)存生產(chǎn)能力，產(chǎn)能無法保證，業(yè)界人士認為，這也是紫光在重慶建設DRAM工廠的價值所在。

2019年6月份紫光集團宣布組建DRAM存事業(yè)部，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO，正式進軍內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)。

2019年8月，紫光集團和重慶市政府簽署合作協(xié)議，于重慶設置DRAM總部研發(fā)中心和12英寸DRAM芯片廠等，原先預期去年底動工，2021年量產(chǎn)。

然而隨著疫情爆發(fā)，投資計劃因此延后。紫光集團2020年6月表示，計劃今年底前啟動DRAM重慶廠的建設工程，預計2022年實現(xiàn)量產(chǎn)。

紫光集團的重慶工廠主要生產(chǎn)用于智能手機及其他設備的DRAM芯片。消息人士表示，紫光計劃10年內(nèi)投資人民幣8000億元于DRAM業(yè)務。

東芯半導體

除了長鑫和紫光，東芯半導體也在推進DRAM技術研發(fā)，東芯半導體的DRAM產(chǎn)品，包括DDR3和LowPowerDRAM。東芯半導體副總經(jīng)理陳磊對電子發(fā)燒友表示，目前公司也開始下一代低功耗DRAM的產(chǎn)品研發(fā)，相信我們的LPD4x的產(chǎn)品將會面世。

東芯半導體作為Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量NAND、NOR內(nèi)存芯片的設計、生產(chǎn)和銷售，是目前國內(nèi)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設計公司。

三星、美光等國際巨頭不斷推進DRAM新產(chǎn)品、新工藝發(fā)展

目前在全球DRAM市場上，三星、SK海力士、美光三大廠商占據(jù)95%以上份額。根據(jù)集邦咨詢預測，2020年，MobileDRAM在智能手機中有15%左右的成，這三家大廠2020年DRAM的出貨也將增長。

三星

三星率先將芯片制造中最先進的EUV工藝用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。

2020年3月25日，三星宣布已經(jīng)出貨100萬第一代10nmEUV級（D1x）DDR4DRAM模組，并完成全球客戶評估，這將為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領域開啟新大門。

三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻倍。

三星量產(chǎn)的第一代EUVDDR5DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點是平澤市的V2線。根據(jù)三星此前的預判，EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。

在高性能方面，三星推出第三代高帶寬存儲器HBM2EFlashbolt，該產(chǎn)品通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊8層1y16GB的DRAM裸片，通過TSV進行精準排列和互聯(lián)，實現(xiàn)容量為前代產(chǎn)品的2倍，性能和電源效率得到顯著提高，主要用于高性能計算機系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)分析和最新圖形系統(tǒng)。

美光

2019年8月，美光大規(guī)模量產(chǎn)1Znm16GBDDR4DRAM，與上一代相比，性能提高85%，內(nèi)存密度提高一倍，下一代技術分別為1α、1β和1γnm，更加逼近10nm的物理極限。

美光基于1Znm的LPDDR4是移動業(yè)務產(chǎn)品中增速最快的，2020年將提高1Znm產(chǎn)品占比，美光位于臺灣DRAM的廠區(qū)預計2021年可投產(chǎn)。

目前美光LPDDR58GBDRAM已經(jīng)開始供貨小米10。電子發(fā)燒友此前報道過，現(xiàn)在美光已經(jīng)在主要手機制造商獲得了8GB和12GBLPDDR5的合格認證，美光12GBLPDDR5應用在摩托羅拉最新Edge+旗艦手機中。

2020年上半年，美光還將通過基于UFS的多芯片封裝(uMCP5)，把LPDDR5內(nèi)存應用于中高端智能手機。

不過2020年智能手機還是以LPDDR4為主流，占比達到78%，LPDDR5的份額在逐步成長中，今年LPDDR5占比將增加至11.9%。

在高性能DRAM方面，美光在最新財報說明會中宣布第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨，主要用于高性能顯卡、服務器處理器等高端處理器。

SK海力士

2019年3月，SK海力士最先進的產(chǎn)品為第三代10nm級（1Z）DRAM，1ZDRAM產(chǎn)品比上一代1Y生產(chǎn)效率提高27%。

目前SK海力士正在新工廠內(nèi)建置EUV，預計下半年完工，并評估導入EUV量產(chǎn)1a納米級DRAM時間。在CES2020上，SK海力士推出64GBDDR5RDIMM內(nèi)存模組。

在高性能DRAM方面，2019年8月，SK海力士宣布成功研發(fā)HBM2E芯片，通過TSV技術可以實現(xiàn)8個16GB芯片的垂直堆疊，形成密度為16GB的單封裝芯片。HBM2E支持帶寬達到每秒460GB，比HBM2芯片帶寬提高50%，容量提高100%。

三星和SK海力士是目前高帶寬存儲器的主要玩家。

總結

根據(jù)評測，基于長鑫顆粒的弈系列ProDDR43000Mhz8GB內(nèi)存性能表現(xiàn)良好，完全可以滿足普通消費者的需求，而且在價格上更具優(yōu)勢。雖然目前DRAM在技術、產(chǎn)能上還有國際巨頭存在一定差距，可以預見，未來隨著國產(chǎn)內(nèi)存將會越來越多的獲得市場認可，國產(chǎn)DRAM芯片的技術也將會在市場實踐的基礎上，獲得更快速度的提升。