7月23日消息，韓國第二大芯片制造商SK海力士發(fā)布財報稱，第二季度凈利潤增長逾一倍，從上年同期的5370.3億韓元增至1.264萬億韓元（約合10.6億美元），超過市場預(yù)期，得益于存儲芯片需求和價格的穩(wěn)健。

營收增長33%，至8.607萬億韓元。營業(yè)利潤增長逾兩倍，至1.947萬億韓元。SK海力士表示，疫情期間數(shù)據(jù)服務(wù)器中使用的內(nèi)存芯片的強勁需求抵消了移動設(shè)備芯片需求的疲軟。

除了第二季度業(yè)績增長之外，SK海力士近期連續(xù)發(fā)布新消息，不斷引起業(yè)界關(guān)注。7月3日，公司宣布開始量產(chǎn)其新的DRAM，該芯片于去年8月宣布開發(fā)，到目前為止近10個月，SKHynix的HBM2E基于每引腳3.6GBps(每秒千兆位)的速度性能，每秒支持460GB(千兆字節(jié))以上的速度，具有1,024個I/O(輸入/輸出)。它是業(yè)界最快的DRAM解決方案，能夠每秒傳輸124個FHD(全高清)電影(每個3.7GB)。

SK海力士表示，有望將其應(yīng)用于Exascale超級計算機(一種高性能計算系統(tǒng)，每秒可以執(zhí)行五百億次計算)，它將引領(lǐng)下一代基礎(chǔ)和應(yīng)用科學(xué)的研究，例如氣候變化，生物軍醫(yī)和太空探索。

SK海力士執(zhí)行副總裁兼首席營銷官(JMO)JonghoonOh說：“SK海力士一直走在技術(shù)創(chuàng)新的最前沿，為人類文明做出了貢獻，取得了包括世界上第一個HBM產(chǎn)品開發(fā)在內(nèi)的成就。”“隨著HBM2E的大規(guī)模量產(chǎn)，我們將繼續(xù)加強我們在高端存儲器市場的影響力，并領(lǐng)導(dǎo)第四次工業(yè)革命?！?/p>

7月21日消息，SK海力士正計劃在M16工廠引入EUV光刻機。在進入20nm節(jié)點之后，內(nèi)存工業(yè)也面臨著CPU工藝一樣的制造難題，微縮越來越困難，制造工藝復(fù)雜，導(dǎo)致內(nèi)存成本居高不下。如今7nm以下的處理器用上了EUV光刻機，內(nèi)存很快也要跟進了，SK海力士計劃在韓國M16工廠引入EUV工藝。

與目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。

內(nèi)存用上EUV工藝之后，內(nèi)存顆粒的制造成本理論上是會下降的，這也為內(nèi)存降價奠定基礎(chǔ)，不過EUV初期來說就很難了，因為EUV光刻機售價將近10億元人民幣，新建EUV產(chǎn)線的成本是非常高的，需要時間消化。

據(jù)韓國媒體報道，SK海力士已經(jīng)成立了專門的研究小組攻克EUV工藝，從去年就開始投資EUV中可能用到的TF材料，相關(guān)研究由副總裁鄭泰佑負(fù)責(zé)，他是蝕刻技術(shù)的專家，曾參與SK海力士首個10nmDRAM“Arius”的開發(fā)項目以及下一代NAND閃存的研發(fā)。

SK海力士也在推進建設(shè)EUVDRAM內(nèi)存生產(chǎn)線的建設(shè)，預(yù)計在韓國利川市的M16工廠中開始引入。

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