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5G基站耗電驚人!為何5G基站高功耗?5G基站電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)分析

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 2020-08-05 11:12 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)最近,一篇關(guān)于中國(guó)聯(lián)通在每天21:00到次日9:00關(guān)閉5G基站,以減少能耗,節(jié)約電費(fèi)的新聞,引起了大量的關(guān)注。很多人是在看到這樣的報(bào)道后才知道,原來5G基站是需要耗費(fèi)大量電能的。

最開始大家普遍關(guān)注的是5G帶來的各種好處,比如更高的速率、更寬的帶寬、更低的延時(shí),以及更高的連接密度,而忽略了如此高性能需要付出的代價(jià)。現(xiàn)在,隨著5G建設(shè)的加速,逐漸進(jìn)入實(shí)際商用階段,那么面臨的落地挑戰(zhàn)也開始逐漸浮出水面。5G基站電源就是我們遇到的一個(gè)擋路虎。

因此,不久前,<電子發(fā)燒友網(wǎng)>邀請(qǐng)到在基站電源領(lǐng)域有著豐富經(jīng)驗(yàn)的專家,探討了《5G網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)對(duì)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)》問題。他們分別是來自英飛凌科技(中國(guó))有限公司的電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場(chǎng)部經(jīng)理程文濤和MPS北中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理盧平。

為何5G基站高功耗?


要實(shí)現(xiàn)5G移動(dòng)通信,首先需要部署大量的5G基站,包括宏基站和小基站(也稱分布式基站),基站能耗主要以電為主,隨著電力成本的增加,移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)大,基站機(jī)房電費(fèi)支出也水漲船高,因此才會(huì)出現(xiàn)中國(guó)聯(lián)通需要定時(shí)開關(guān)機(jī)5G基站的情況。
目前5G基站能耗主要集中在基站、傳輸、電源和機(jī)房空調(diào)四部分,而其中基站的電費(fèi)支出占整體網(wǎng)絡(luò)能耗的80%以上。而在基站能耗中,負(fù)責(zé)處理信號(hào)編碼的基帶單元(BBU)的功耗相對(duì)較小,射頻單元(RRU/AAU)的功耗相對(duì)較大。
根據(jù)去年華為發(fā)布的《5G電源白皮書》顯示,從4G演進(jìn)到5G,雖然單位流量的功耗大幅降低了,但是5G總功耗相比4G還是大幅增加的。預(yù)計(jì)在5G時(shí)代,64T64R AAU最大功耗將會(huì)達(dá)到1000~1400W,BBU最大功耗將達(dá)到2000W左右。
在5G時(shí)代,一站多頻將會(huì)是典型配置,預(yù)測(cè)5頻以上站點(diǎn)占比將從2016年3%增加到2023年45%。一站多頻將導(dǎo)致整站最大功耗超過10kW,10頻及10頻以上站點(diǎn)功耗超過20kW,多運(yùn)營(yíng)商共享場(chǎng)景下,功耗還將翻倍。
就目前來說,5G基站相比4G基站功耗提升了3倍以上,加上由于覆蓋范圍的衰減,5G基站的需求量成倍增加,因此,對(duì)于運(yùn)營(yíng)商而言,5G基站的高功耗成為了制約5G建網(wǎng)的首要原因。
隨著5G網(wǎng)絡(luò)走向低/高頻混合組網(wǎng),為滿足網(wǎng)絡(luò)容量增長(zhǎng)的業(yè)務(wù)需求,大量的末梢站點(diǎn)將會(huì)被部署,網(wǎng)絡(luò)站點(diǎn)數(shù)量將會(huì)出現(xiàn)大幅增加,整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的功耗將會(huì)呈倍數(shù)增長(zhǎng)。
圖1:5G基站能耗變化
在英飛凌的程文濤看來,5G時(shí)代除了宏基站,還需要大量的小基站,另外邊緣計(jì)算的服務(wù)器也會(huì)大幅增加,這些對(duì)電源都會(huì)有新的要求。
MPS的盧平解釋說,5G基站能耗的大幅提升原因主要有兩個(gè),一是天線數(shù)量的增加,現(xiàn)在一般需要使用64T64R的矩陣天線,矩陣天線的使用可以實(shí)現(xiàn)波束賦形,支持更多的用戶,覆蓋更大的范圍,實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)距離的通信,同樣也大幅提升了能耗;二是強(qiáng)大算法的支持需要用到高性能的FPGA,及處理器,這些都需要消耗大量的電能。因此現(xiàn)在最重要的任務(wù)就是降功耗。
圖2:5G帶來的好處
5G對(duì)電源設(shè)計(jì)的影響


由于5G基站能耗的增加,電費(fèi)成為了運(yùn)營(yíng)商不可忽視的一個(gè)因素,運(yùn)營(yíng)5G基站的運(yùn)營(yíng)商會(huì)越來越關(guān)注基站的耗電量。因此,如何幫助運(yùn)營(yíng)商節(jié)省電費(fèi)變成了一個(gè)重要的話題。那么要節(jié)省電費(fèi),電源的設(shè)計(jì)就是一個(gè)繞不開的話題。
程文濤認(rèn)為,5G時(shí)代的到來,對(duì)電源設(shè)計(jì)的影響是非常明顯的。他主要談到了三個(gè)方面的影響:
首先是對(duì)新材料、新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及高性能器件的使用將會(huì)更多?!叭绻胍嵘?,節(jié)省電費(fèi),那么使用的元器件就不可能跟3G/4G時(shí)代那樣對(duì)成本要求那么嚴(yán)格,必然需要用到性能好的器件、好的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、好的材料。”程文濤在直播中表示。
其次,是總線電壓將會(huì)提升。由于耗電量增加了,電源設(shè)計(jì)也發(fā)生了一些變化,比如之前都是使用48V電壓的通信總線不得不提升到72V,這樣就會(huì)導(dǎo)致開關(guān)電源DCDC)的輸出端電壓發(fā)生變化。
還有可靠性問題也更受到關(guān)注。由于基站有個(gè)很重要的特點(diǎn)就是投入運(yùn)營(yíng)之后,基本上就是無人值守了,因此不論是設(shè)備供應(yīng)商,還是運(yùn)營(yíng)商對(duì)可維修性、可遠(yuǎn)程監(jiān)控性、以及低故障率的要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他行業(yè)。
其實(shí)基站電源主要是分成三級(jí)的,一般來說基站的供電電源是220V的市電。第一級(jí)是將220V轉(zhuǎn)換到-48V;第二級(jí)一般是使用模塊電源,將-48V電壓轉(zhuǎn)換成給PA供電的48V,或者28V電壓;第三級(jí)是板級(jí)電源,從12V轉(zhuǎn)換到給各個(gè)芯片、模擬電路、數(shù)字電路等所需的電壓。
盧平認(rèn)為,從優(yōu)化電源設(shè)計(jì)來看,三個(gè)不同層次的電源都有優(yōu)化的工作要做。從板級(jí)電源來看的話,主要也有三個(gè)變化:
一是電流在增大。4G時(shí)代,單軌電流不會(huì)超過30A,到了5G時(shí)代,由于用了很多FPGA,x86芯片等,使得板級(jí)電流大幅增大,達(dá)到了50~60A。因此,原來的電源設(shè)計(jì)就不能滿足這些這么大電流的設(shè)計(jì)了。
二是通道數(shù)增加了。由于信號(hào)鏈路變得復(fù)雜和敏感,所以有的單板上,會(huì)有多達(dá)數(shù)十個(gè)通道的電源軌。這使得整個(gè)電源設(shè)計(jì)管理的復(fù)雜度,也比原來高了很多。信號(hào)鏈路變得復(fù)雜,對(duì)噪聲的敏感度也相應(yīng)提升了,5G電源設(shè)計(jì)工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮噪聲設(shè)計(jì)和通道干擾。
三是環(huán)境溫度變得更高了。5G通信的電源與數(shù)據(jù)中心的電源最大的不同是基站電源是戶外的。環(huán)境溫度的變化范圍非常寬,尤其是在高溫的情況下,外圍的環(huán)境溫度可能到60~70℃,內(nèi)部的溫度則可能超過100℃。對(duì)電源設(shè)計(jì)來說,在這么寬的溫度范圍內(nèi),壓力也是非常大的。
如何應(yīng)對(duì)5G基站電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)


對(duì)于宏基站,在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面,英飛凌的程文濤給出了一些建議?!霸谝淮坞娫捶矫妫覀兛吹揭粋€(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度?,F(xiàn)在電源的效率要達(dá)到97%,甚至98%的工作效率?!?/span>
要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo),程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),他舉例說,ACDC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋PFC,逐漸過渡到無橋PFC,甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料,包括現(xiàn)在熱門的碳化硅MOSFET氮化鎵MOSFET;三是高頻化,高頻化可以提高功率密度,減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎,SMD封裝成為了主流。
對(duì)于二次電源部分,新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并不多,更主要的是使用新材料和高頻化器件。
在三次電源,也就是板級(jí)電源方面,MPS的盧平做了進(jìn)一步的解釋。在4G時(shí)代,大電流的設(shè)計(jì)通常來說做得比較簡(jiǎn)單,單通道的DCDC基本就滿足需求了。到5G時(shí)代,電流變大了之后,更多會(huì)采用多相電源的設(shè)計(jì),原因是,多相電源設(shè)計(jì)將控制器和功率級(jí)分開之后,可以比傳統(tǒng)的DCDC更有效率,體積上也更有優(yōu)勢(shì),而且靈活性也會(huì)更強(qiáng)。
盧平指出,多相電源的方向在往數(shù)字化方向發(fā)展,數(shù)字化的電源可以提供很多功能,比如負(fù)載狀態(tài)的監(jiān)測(cè)、電壓電流、故障信息的監(jiān)測(cè)等,“這樣客戶可以基于監(jiān)測(cè)到的信號(hào),做更多的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化,同時(shí)數(shù)字電源可以方便實(shí)現(xiàn)整個(gè)電源的管理,帶來很大的靈活性?!?/span>
板級(jí)電源的高頻化趨勢(shì)也很明顯,“很多時(shí)候,我們會(huì)發(fā)現(xiàn)電感加電容的面積已經(jīng)超過控制器加MOS管的面積,而如果頻率越高,后一級(jí)的被動(dòng)器件就可以做得更小,所以我們?cè)诓粩嗤七M(jìn)高頻技術(shù)的發(fā)展?!北R平進(jìn)一步指出。他認(rèn)為,高頻的限制因素并不在于控制器,而在于MOS管技術(shù),因此MPS推出了平面MOSFET技術(shù),通過使用平面的技術(shù),MOSFET的Q級(jí)可以做得更小。高頻化會(huì)帶來很大的優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在最高頻率可以做到3MHz,這可以極大地減少占板面積。
圖3:MPS的多相電源設(shè)計(jì)
除了多相電源之外,在給模擬供電部分,MPS還通過優(yōu)化的電源模塊技術(shù)來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的DCDC加LDO的供電模式。盧平表示,經(jīng)過他們測(cè)試,優(yōu)化后的模塊電源性能與傳統(tǒng)DCDC加LDO供電模式的性能非常接近。
他拿給賽靈思做的一個(gè)Zynq UltraScale+RFSoC電源參考設(shè)計(jì)舉例說,“我們給它上面一個(gè)12位 2GSPS ADC和14位6.4GSPS DAC供電,我們直接采用的是開關(guān)電源設(shè)計(jì),當(dāng)然它不是直接的DCDC,它是一個(gè)電源模塊,再加一級(jí)濾波,我們的紋波可以做到1mV以內(nèi),測(cè)試結(jié)果顯示,我們的方案可以達(dá)到跟原來LDO給器件供電接近的水平?!?/span>
這主要跟MPS采用的特別技術(shù)密切相關(guān),一般來說影響EMI噪聲的核心因素是環(huán)路面積,尤其是變化電流的環(huán)路面積,對(duì)噪聲影響是很大的,“我們通過引線框架結(jié)合倒裝工藝,可以將從芯片到電感,包括到輸入電容的環(huán)路面積做得最小。除了環(huán)路面積,還有一個(gè)影響因素是雜散阻抗,或者叫寄生阻抗,我們通過采用倒裝工藝和銅柱取代原來的金線或銅線,可以非常有效地降低接線阻抗,也可以降低電壓尖峰,因此,通過這兩個(gè)技術(shù)的結(jié)合,可以將環(huán)路減小,電壓尖峰減小,從而非常有效地改善了EMI特性?!北R平在直播中表示。
除此之外,MPS的電源模塊還采用了對(duì)稱設(shè)計(jì)、頻率占空比的抖動(dòng),以及開關(guān)斜率的控制等優(yōu)化措施。
圖4:小基站的特點(diǎn)
在小基站方面,在5G時(shí)代,射頻部分和天線部分越來越多地會(huì)融合在一起,這種緊湊型的設(shè)計(jì)對(duì)電源也提出了新的要求。比如說需要使用耐壓等級(jí)更高的器件、貼片器件用得越來越多;新材料器件使用更加普遍,包括采用新材料的主動(dòng)器件的被動(dòng)器件。
結(jié)語


總的來說,在5G時(shí)代,如何降低功耗是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都需要思考的問題。高效率、高功率密度、以及高頻化將會(huì)是接下來業(yè)界持續(xù)關(guān)注的話題。在程文濤看來,在效率方面,對(duì)通信電源來說,當(dāng)電源效率提升到一定程度之后,提高效率的任務(wù)就會(huì)落在射頻端,射頻端的效率提升一點(diǎn)點(diǎn)的好處將會(huì)大于電源部分效率的提升;高功率密度可以讓設(shè)備的尺寸變得更小,會(huì)是業(yè)界持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn);高頻化則需要依賴新材料來實(shí)現(xiàn),包括碳化硅、氮化鎵、磁性新材料等,因?yàn)橹挥兄鲃?dòng)器件和被動(dòng)器件同時(shí)高頻化,才能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高頻化。
因此,對(duì)于未來的5G電源工程師來說,必須要熟悉高頻化設(shè)計(jì)、熟悉新材料、開拓新思路,才能適應(yīng)未來的電源設(shè)計(jì)工作。

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    5G基站節(jié)能以及數(shù)字化管理解決方案

    安科瑞徐赟杰18706165067 截至2023年10月,我國(guó)5G基站總數(shù)達(dá)321.5萬個(gè),占全國(guó)通信基站總數(shù)的28.1%。然而,隨著5G基站
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    <b class='flag-5'>5G</b><b class='flag-5'>基站</b>節(jié)能以及數(shù)字化管理解決方案

    我國(guó)5G基站突破400萬個(gè)

    我國(guó)5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)取得顯著成就,據(jù)工業(yè)和信息化部最新數(shù)據(jù),截至8月末,全國(guó)5G基站總數(shù)已突破400萬大關(guān),達(dá)到404.2萬個(gè),這一數(shù)字占據(jù)了移動(dòng)基站總數(shù)的32.1%,標(biāo)志著我國(guó)
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    國(guó)產(chǎn)硅振替換SiTime在5G基站中的應(yīng)用,噪聲低于350fs

    國(guó)產(chǎn)硅振替換SiTime在5G基站中的應(yīng)用,噪聲低于350fs
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    國(guó)產(chǎn)硅振替換SiTime在<b class='flag-5'>5G</b>小<b class='flag-5'>基站</b>中的應(yīng)用,噪聲低于350fs

    5G通信基站的能效先鋒 |仁懋MOSFET在通信基站電源領(lǐng)域的應(yīng)用

    在移動(dòng)通信基站電源領(lǐng)域,仁懋電子以其卓越的高壓SJCOOLMOS和中低壓TrenchMOS產(chǎn)品技術(shù),為市場(chǎng)提供了高效能、低損耗的解決方案。隨著5G技術(shù)的快速發(fā)展和基站建設(shè)的不斷擴(kuò)大,對(duì)
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    <b class='flag-5'>5G</b>通信<b class='flag-5'>基站</b>的能效先鋒 |仁懋MOSFET在通信<b class='flag-5'>基站</b><b class='flag-5'>電源</b>領(lǐng)域的應(yīng)用

    5G基站節(jié)能數(shù)字化管理解決方案

    程瑜 安科瑞電氣股份有限公司 201801 截至2023年10月,我國(guó)5G基站總數(shù)達(dá)321.5萬個(gè),占全國(guó)通信基站總數(shù)的28.1%。然而,隨著5G
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    <b class='flag-5'>5G</b><b class='flag-5'>基站</b>節(jié)能數(shù)字化管理解決方案