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射頻/微波將在2021年引領(lǐng)功率晶體管的復(fù)蘇

iIeQ_mwrfnet ? 來源:IC Insights ? 2020-08-05 14:48 ? 次閱讀
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在連續(xù)三年創(chuàng)下銷售新高后,由于全球新冠疫情帶來的經(jīng)濟(jì)影響,導(dǎo)致了廣泛系統(tǒng)的需求下降,預(yù)計(jì)2020年功率晶體管市場將下降7%。根據(jù)IC Insights的《2020 O-S-D報(bào)告》,功率晶體管的復(fù)蘇預(yù)計(jì)將在2021年出現(xiàn),其全球銷售額將增長7%,達(dá)到169億美元,出貨量將增長9%,達(dá)到590億美元。2020年版的O-S-D報(bào)告顯示,功率晶體管市場將在2022年重新回到歷史最高水平,屆時(shí)銷售額預(yù)計(jì)將增長5%,達(dá)到177億美元,這將超過2019年創(chuàng)下的171億美元的當(dāng)前年度峰值。

由于第五代(5G)蜂窩網(wǎng)絡(luò)的建立,將使用一系列新的傳輸頻率,包括毫米波(mmWave)頻譜的頻率,因此射頻微波功率晶體管的增長預(yù)計(jì)將引領(lǐng)2021年的市場復(fù)蘇。新的5G基站也在采用更多的天線和多個(gè)信號,以確保與智能手機(jī)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)(如自動(dòng)駕駛汽車)的高速連接,需要實(shí)時(shí)通信。預(yù)計(jì)到2024年,射頻/微波器件將引領(lǐng)功率晶體管市場的增長(圖1)。

IC Insights的2020 OSD報(bào)告預(yù)測,RF /微波產(chǎn)品(+ 9%至13億美元),低壓(<40V)功率場效應(yīng)晶體管(+ 8%至37億美元)的增長將帶動(dòng)2021年功率晶體管的復(fù)蘇,雙極電源模塊(增長8%,達(dá)到5400萬美元)。該報(bào)告還顯示,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額將在2021年增長7%,達(dá)到41億美元,而IGBT分立晶體管的收入將增長7%,達(dá)到當(dāng)年的創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。OSD報(bào)告稱,電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品,更多移動(dòng)系統(tǒng)的不斷普及,電源效率的提高以及電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車的改進(jìn),將在未來四年中繼續(xù)推動(dòng)功率FET和IGBT產(chǎn)品的增長。

2021年功率晶體管的復(fù)蘇將由RF/微波產(chǎn)品(增長9%至13億美元)、低壓(<40V)功率場效應(yīng)晶體管(增長8%至37億美元)和雙極功率模塊(增長8%至5400萬美元)的增長引領(lǐng)。報(bào)告還顯示,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額在2021年增長7%,達(dá)到41億美元,而IGBT分立晶體管的收入增長7%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。報(bào)告稱,電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的不斷普及,更多的移動(dòng)系統(tǒng),電力供應(yīng)效率的提高,以及電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車的改進(jìn),將繼續(xù)推動(dòng)電力FET和IGBT產(chǎn)品在未來四年的增長。

根據(jù)OSD報(bào)告的預(yù)測,2019年至2024年,預(yù)計(jì)功率晶體管的總銷售在2019年至2024年之間將以1.7%的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,并在最后一年達(dá)到186億美元。這個(gè)預(yù)測的銷售增長率比過去五年(2014-2019)的5.3%的復(fù)合年增長率低3.6個(gè)百分點(diǎn),這主要是由于新冠疫情大流行導(dǎo)致了2020年的下滑。

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原文標(biāo)題:射頻/微波將在2021年引領(lǐng)功率晶體管的復(fù)蘇

文章出處:【微信號:mwrfnet,微信公眾號:微波射頻網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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