一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新材料的使用,或?qū)⒓铀俑淖冃袠I(yè)格局

我快閉嘴 ? 來源:與非網(wǎng) ? 作者:遠(yuǎn)川科技評(píng)論 ? 2020-08-11 16:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

前幾周,很少發(fā)聲的中芯國(guó)際創(chuàng)始人張汝京老先生,參加了中信建投組織的半導(dǎo)體論壇。在論壇上,張老先生多次強(qiáng)調(diào),希望大家支持第三代半導(dǎo)體,支持功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,我國(guó)的市占率也低得可憐,最大的龍頭公司也不足世界 2%左右的份額??芍^是“國(guó)產(chǎn)替代”的春天。但是,這個(gè)春天是否會(huì)如約而至?還是會(huì)跟著一場(chǎng)倒春寒?張老先生看好的機(jī)遇,又會(huì)如何展開?我們今天就來聊一聊。

01. 并不土的百億美金市場(chǎng)

功率半導(dǎo)體,包括功率器件即就是各種二極管,以及功率 IC 也就是集成電路等。

而功率器件,顧名思義,主要功能是實(shí)現(xiàn)各種功率轉(zhuǎn)換。它以前名字叫做“電力半導(dǎo)體”,可以精確地調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率等參數(shù),因此被譽(yù)為電力電子裝置中的“CPU”。

電力,聽起來似乎很“土”的感覺,但是這個(gè)領(lǐng)域的下游空間并不小,未來依然是百億美元市場(chǎng)。華安證券梳理了三個(gè)主要領(lǐng)域:新能源、光伏風(fēng)電等、家電。咱們逐一看下。

IGBT 是新能源汽車重要的核心電子器件之一,成本可達(dá)到新能源車總造價(jià)的 8%;并且由于傳統(tǒng)燃油車功率半導(dǎo)體器件電壓低,只需要硅基的 MOSFET,新能源車產(chǎn)業(yè)對(duì)于 IGBT 的需求可以說是完全的純?cè)隽俊?/p>

除去車用 IGBT 外,作為充電設(shè)備中功率轉(zhuǎn)換的核心器件,充電基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)也極大地?cái)U(kuò)充了 IGBT 市場(chǎng)的基本盤。華安團(tuán)隊(duì)假設(shè)單車平均 IGBT 用量逐漸下滑至 2025 年的 430 美元 / 車,2025 年預(yù)測(cè)中國(guó)新能源車銷量 504 萬輛,那么就是 22 億美金,全球預(yù)計(jì) 60 億美金。

光伏領(lǐng)域,據(jù) Bloomberg 預(yù)測(cè),2025 年全球光伏新增裝機(jī)接近 300GW,風(fēng)電也比照光伏 5 年 2.5 倍左右的增長(zhǎng),對(duì)應(yīng) IGBT 的全球需求量級(jí)在 12-15 億美金。

在家電領(lǐng)域,主要是變頻空調(diào)帶來增長(zhǎng),按照國(guó)家政策,2020 年停止生產(chǎn)非變頻空調(diào),2021 年停止銷售非變頻空調(diào)。而目前變頻空調(diào)的市場(chǎng)占比只有 50%,這就意味著未來短短半年的時(shí)間內(nèi)變頻空調(diào)要增產(chǎn)一倍。預(yù)計(jì) 2022 年規(guī)模 10 億美金。

而工控領(lǐng)域,發(fā)展平穩(wěn),2025 年全球預(yù)計(jì) 24 億美金。

因此,整體來看,在 2025 年左右,IGBT 全球市場(chǎng)達(dá)到 110 億美金左右,比現(xiàn)在的 60 億美金市場(chǎng),幾乎翻倍。

02. 后進(jìn)者困境

功率器件領(lǐng)域,有一個(gè)重要現(xiàn)象:后進(jìn)者實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)拓展并不容易(也就是說,國(guó)產(chǎn)化替代空間高,但未必好實(shí)現(xiàn))。主要原因有兩個(gè):

首先,下游客戶多為電力、工業(yè)、汽車等領(lǐng)域,這些客戶對(duì)穩(wěn)定性、安全性要求非常高,寧可多花錢也要少出事。新進(jìn)入者驗(yàn)證期很久,而在驗(yàn)證期間,可能領(lǐng)先者又出新技術(shù)了。

因此就是,一步追不上,步步心發(fā)慌。

其次,這個(gè)領(lǐng)域不單純依賴設(shè)計(jì)能力,更重要的是行業(yè)經(jīng)驗(yàn) know-how。同樣的材料,略微不同的配比可能效果就差很多。同樣的工藝,不同的時(shí)長(zhǎng),可能效果也差很多。所以,老一輩的經(jīng)驗(yàn)就很關(guān)鍵,一步步摸索。但如果實(shí)現(xiàn)效能 10%的提升,那也是千億萬億的市場(chǎng)空間。

目前這個(gè)領(lǐng)域的龍頭基本都是海外巨頭,比如英飛凌、三菱等,而這些公司也無疑都是靠了德國(guó)、日本先進(jìn)工業(yè)體系的大山,又通過“先發(fā)優(yōu)勢(shì)”,牢牢占據(jù)了市場(chǎng)。

坦白而言,在正常的商業(yè)環(huán)境下,國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品要取代英飛凌、三菱等公司,是很有難度的。一句話就是,客戶憑什么換?

03. 國(guó)產(chǎn)替代春天

商業(yè)并非一成不變,而國(guó)產(chǎn)化替代趨勢(shì)也出現(xiàn)了幾大有利因素。

首先,中美貿(mào)易摩擦不斷擴(kuò)大化,即使現(xiàn)在歐洲、日本尚未表態(tài),但是國(guó)內(nèi)公司不得不警惕,需要扶持國(guó)內(nèi) IGBT 來預(yù)防萬一。商業(yè)的生態(tài)平衡,唯有強(qiáng)硬外力打破。

其次,行業(yè)未來的增量,也集中在了中國(guó)。新能源車、光伏、風(fēng)電等新興領(lǐng)域,都是我國(guó)重點(diǎn)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。

未來幾年我國(guó)對(duì) IGBT 的需求占比將逐漸提升到 50%左右,“主場(chǎng)作戰(zhàn)”的優(yōu)勢(shì)將極大提升國(guó)內(nèi) IGBT 企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。前文有過闡述,到 2025 年新能車及其配套產(chǎn)業(yè)幾乎可以“再造”一個(gè) IGBT 市場(chǎng),而這市場(chǎng)的大部分份額都集中在中國(guó)。

這塊蛋糕目前來講最大的受益者有比亞迪半導(dǎo)體。截至 2019 年,比亞迪半導(dǎo)體雖然只占據(jù)國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí) IGBT 18%的市場(chǎng)份額,但作為第一家自主研發(fā)、生產(chǎn)車用 IGBT 的本土廠商,已經(jīng)有能力去挑戰(zhàn)英飛凌的霸主地位了。

另外,國(guó)內(nèi)目前技術(shù)也已經(jīng)有了改善。我國(guó)功率半導(dǎo)體大概是從 2005 年開始,從美國(guó)國(guó)際整流器(IR)公司,回國(guó)了不少人才。包括斯達(dá)半導(dǎo)湯藝、達(dá)新半導(dǎo)體陳智勇、陸芯科技張杰、銀茂微電子莊偉東等博士。

經(jīng)過十幾年的發(fā)展,技術(shù)都有了提升。比如斯達(dá)半導(dǎo),國(guó)產(chǎn)化芯片自給率達(dá)到了 50%。中車時(shí)代半導(dǎo)體擁有國(guó)內(nèi)首條、全球第二條 8 英寸 IGBT 芯片。而華為等研發(fā)實(shí)力雄厚的大廠,也相繼入局 IGBT,高投入也會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代的進(jìn)程。

國(guó)內(nèi) IGBT 主要受制于晶圓生產(chǎn)的瓶頸,沒有專業(yè)的代工廠進(jìn)行 IGBT 的代工,但是隨著中芯國(guó)際紹興工廠和青島芯恩半導(dǎo)體扥晶圓廠的落成,相信這個(gè)局面會(huì)有很大改觀。而在 IGBT 封裝材料方面,日本在全球遙遙領(lǐng)先,德國(guó)和美國(guó)處于跟隨態(tài)勢(shì),我國(guó)的材料科學(xué)則相對(duì)落后。

但整體而言,我國(guó)目前的技術(shù)儲(chǔ)備,已經(jīng)具備良好的“備胎”,甚至正面 PK 的能力。

04. 結(jié)語

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,新材料的使用,也會(huì)加速改變行業(yè)格局。當(dāng)前新的材料技術(shù)是 SiC。它能將新能源車的效率再提高 10%,比攢電池效高多了。目前,特斯拉的 Model3 就采用了這個(gè)技術(shù)。

但 SIC 芯片目前的成本依然很高,是 IGBT 的 4-5 倍,降低到成本效率性價(jià)比階段仍需要三到五年。一方面,國(guó)內(nèi)企業(yè)也已經(jīng)進(jìn)行了相關(guān)技術(shù)布局,另一方面,要抓主要矛盾。

而當(dāng)前行業(yè)投資的核心矛盾,依然是國(guó)內(nèi)廠商在工控、家電、新能源等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)份額的快速提升。這是值得期待的。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5425

    文章

    12071

    瀏覽量

    368557
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238283
  • 電力
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2248

    瀏覽量

    51281
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從
    發(fā)表于 07-11 14:49

    從原理到應(yīng)用,一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘

    在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下,溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品,已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場(chǎng)景中得到
    發(fā)表于 06-25 14:44

    大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

    有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
    發(fā)表于 06-24 15:10

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?353次閱讀

    麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

    制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域
    發(fā)表于 05-09 16:10

    國(guó)家戰(zhàn)略下的細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域新材料機(jī)會(huì)

    摘要:1、細(xì)分領(lǐng)域呈現(xiàn)差異化增長(zhǎng):半導(dǎo)體材料增速50%、新能源材料52%、生物醫(yī)用材料87%構(gòu)成三大增長(zhǎng)極,而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 05-08 18:31 ?294次閱讀
    國(guó)家戰(zhàn)略下的細(xì)分市場(chǎng)<b class='flag-5'>領(lǐng)域</b><b class='flag-5'>新材料</b>機(jī)會(huì)

    華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

    近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì),共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:33 ?754次閱讀

    納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

    GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:41 ?561次閱讀

    2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察

    趨勢(shì)一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢(shì)改變
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:32 ?3383次閱讀

    求問帖!靜電消除器在電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的具體應(yīng)用與需求!

    您好! 我是一名靜電消除器銷售的從業(yè)者,近期我對(duì)電子半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了濃厚的興趣,希望能夠深入了解該行業(yè)中靜電消除器的具體應(yīng)用情況。 我了解到,在電子半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,靜電可能會(huì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)
    發(fā)表于 12-26 10:25

    揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)

    功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電力電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等。功率
    的頭像 發(fā)表于 12-24 12:58 ?1131次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>背后的封裝<b class='flag-5'>材料</b>關(guān)鍵技術(shù)

    行業(yè)動(dòng)態(tài) | 半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域迎重磅收購(gòu)!

    半導(dǎo)體行業(yè)再添收購(gòu)案,這次發(fā)生在封裝材料領(lǐng)域。11月11日晚,江蘇華海誠(chéng)科新材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華海誠(chéng)科”)發(fā)布公告稱,公司正在籌劃
    的頭像 發(fā)表于 11-14 01:08 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>行業(yè)</b>動(dòng)態(tài) | <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝<b class='flag-5'>材料</b><b class='flag-5'>領(lǐng)域</b>迎重磅收購(gòu)!

    半導(dǎo)體封裝材料全解析:分類、應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)!

    連接。本文深入探討半導(dǎo)體封裝材料的分類、特性及其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用,以期為半導(dǎo)體行業(yè)的從業(yè)者和研
    的頭像 發(fā)表于 09-10 10:13 ?4530次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝<b class='flag-5'>材料</b>全解析:分類、應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)!

    寬禁帶半導(dǎo)體材料有哪些

    寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在許多高科技
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:09 ?2222次閱讀

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別:
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?1025次閱讀