集微網(wǎng)7月20報(bào)道，華虹半導(dǎo)體有限公司95納米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工藝平臺(tái)通過不斷的創(chuàng)新升級(jí)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步增強(qiáng)，可靠性相應(yīng)大幅提升。

華虹半導(dǎo)體95納米SONOS eNVM工藝技術(shù)廣泛應(yīng)用于微控制器（MCU）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領(lǐng)域，具有穩(wěn)定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)上一代技術(shù)，95納米SONOS eNVM 5V工藝實(shí)現(xiàn)了更小設(shè)計(jì)規(guī)則，獲得了同類產(chǎn)品芯片面積的縮?。贿壿嫴糠中酒T密度較現(xiàn)有業(yè)界同類工藝提升超過40%，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平；所需光罩層數(shù)較少，能夠提供更具成本效益的解決方案。同時(shí)，95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領(lǐng)先的器件性能，存儲(chǔ)介質(zhì)擦/寫特性達(dá)到了2毫秒的先進(jìn)水平；低功耗器件驅(qū)動(dòng)能力提高20%，僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應(yīng)用。

華虹半導(dǎo)體持續(xù)深耕，95納米SONOS eNVM采用全新的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)以及優(yōu)化操作電壓，大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測(cè)試條件下，SONOS IP的擦寫能力達(dá)到1000萬次，可靠性提升20倍；在85℃條件下，數(shù)據(jù)保持能力可長(zhǎng)達(dá)30年，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。華虹半導(dǎo)體致力于持續(xù)優(yōu)化工藝水平，在提升數(shù)據(jù)保持能力條件下，同時(shí)提升擦寫次數(shù)，更好地滿足市場(chǎng)對(duì)超高可靠性產(chǎn)品的需求。

此外，隨著高可靠性工藝平臺(tái)及衍生工藝受到青睞，公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP（Multi-Time Programmable Memory）應(yīng)用。通過簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、優(yōu)化IP面積和減少測(cè)試時(shí)間等，在IP面積、測(cè)試時(shí)間、使用功耗和擦寫能力上比MTP性能更優(yōu)，更具競(jìng)爭(zhēng)力。在此基礎(chǔ)上增加配套的可選器件，進(jìn)一步滿足電源管理和RF類產(chǎn)品的需求。