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三星計劃在 3nm 工藝節(jié)點上使用環(huán)繞式閘極電晶體(GAA)?

lhl545545 ? 來源:與非網(wǎng) ? 作者:芯三板 ? 2020-08-26 11:45 ? 次閱讀
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臺積電昨日宣布 48.4 億新臺幣買下彩晶興建中的廠房和附屬設備,這已經(jīng)是臺積電今年第四次斥巨資在南科一帶“買房”。

在本月 19 號,臺積電宣布斥資 8.6 億新臺幣購買益通光能科技在南科的廠房以及附屬設施;12 號,偏光板廠力特也公告將處分其位于南科廠的廠房給臺積電,交易金額為 36.5 億新臺幣;而更早之前,5 月 12 日時,臺積電的供應商家登也以重訊方式告知,將處分其位于南科的不動產(chǎn),交易金額為 6.6 億新臺幣。短短四個月,臺積電陸續(xù)買下了家登、力特、以及益通南科廠房,累計已投入約 100 億新臺幣。

5nm 增產(chǎn) 70%

臺積電對廠區(qū)的暴增源于訂單的暴增,雖然華為因為美國制裁原因,無法再找臺積電代工,但是華為的缺位被其他廠商迅速填補,此前芯三板文章已經(jīng)寫過,由于三星在 5nm 制程上良品率的問題,高通不得不將 5nm 芯片的訂單轉向臺積電,此外 AMD 的 5nm 芯片也在加速階段,聯(lián)發(fā)科NXP 等客戶也開始轉向 5nm 工藝,這就導致臺積電的 5nm 產(chǎn)能嚴重不夠用,只能不斷的買廠擴充產(chǎn)能,目前臺積電的 5nm 產(chǎn)能為 6 萬片晶圓 / 月,南科工業(yè)園的 Fab 18 工廠 P3 工程將于 Q4 季度量產(chǎn),明年 Q2 季度 P4 工程還會進一步增加產(chǎn)能約 1.7 萬片晶圓 / 月。

隨著這些工廠的擴產(chǎn),臺積電的 5nm 產(chǎn)能將從目的 6 萬片晶圓 / 月提升到接近 11 萬片晶圓 / 月,增幅超過 70%,不僅是全球最大 5nm 產(chǎn)能,還拉大了與三星等對手的差距。

12nm 賽道競爭激烈

此外,雖然目前臺積電的 36%的營收來自于 7nm,但是 12~16nm 制程依然保有 18%的份額,此外格芯也放棄了 10nm 轉而優(yōu)化 12~14nm 工藝,再加上中芯國際也在 12nm 展露頭角,這些因素都成為臺積電繼續(xù)深挖 12nm 工藝價值的動力。

所以臺積電在技術大會上不僅確認了 5nm、6nm 已在量產(chǎn)中,3nm、4nm 明年試產(chǎn)后年量產(chǎn)外,還宣布對 12nm 進行了升級,新制程工藝節(jié)點名為 N12e,綠色 LOGO 極為醒目,突出的就是其在能耗上的極佳表現(xiàn)。具體來說,N12e 要取代的是 22ULL,可帶來 76%的邏輯密度提升,給定功耗下 49%的頻率提升、給定性能下 55%的功耗減少以及 SRAM 尺寸 50%的縮減。

臺積電進入無人之境

5nm 之后,臺積電已經(jīng)進入了無人之境,三星也被其甩在身后,三星目前的 5nm 良品率過低導致高通投入臺積電的懷抱,此外 Intel 的 7nm 最早也要到 2022 年末才能出來,目前只有臺積電一家在 3nm 上有實質性的進展。

臺積電披露其關于 3nm 的相關信息,3nm 工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(FinFET)晶體管,不會采用三星計劃在 3nm 工藝節(jié)點上使用的環(huán)繞式閘極電晶體(GAA)。而相比于 5nm 工藝而言,3nm 工藝將使芯片的性能提升 10%到 15%,能耗降低 25%到 30%,臺積電方面承諾 3nm 工藝的晶體管密度將是 5nm 工藝的 1.7 倍。

當然臺積電對于制程的追求肯定無止境,其還打算用一個 8000 人的工程師隊伍攻克 2nm 芯片,該項目的第一階段將在 2021 年完成。

半導體的舞臺中心

毫無疑問,如今的臺積電已經(jīng)站在了半導體世界的舞臺中心,作為一家商業(yè)公司,臺積電也是及其優(yōu)秀的,作為半導體行業(yè)的吸金王,臺積電的凈利潤高達 32.2%,從整個人類的視野來看,臺積電代表了人類對于物理極限的追求。
責任編輯:pj

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