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上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 2020-08-26 14:14 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息,8月18日,上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瑞能半導(dǎo)”)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

晶閘管:國(guó)內(nèi)第一、全球第二

招股書顯示,瑞能半導(dǎo)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝設(shè)計(jì)的一體化經(jīng)營(yíng)功率半導(dǎo)體企業(yè),致力于開發(fā)并生產(chǎn)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件組合。公司主要產(chǎn)品主要包括晶閘管和功率二極管等,廣泛應(yīng)用于以家電為代表的消費(fèi)電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。瑞能半導(dǎo)開發(fā)的功率半導(dǎo)體器件如下:

根據(jù)IHSMarkit報(bào)告的市場(chǎng)統(tǒng)計(jì),2019年度瑞能半導(dǎo)晶閘管產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率,在國(guó)內(nèi)排名第一、全球排名第二。根據(jù)WSTS協(xié)會(huì)報(bào)告的市場(chǎng)統(tǒng)計(jì),2019年度公司晶閘管產(chǎn)品的全球市場(chǎng)占有率為21.8%,其中中國(guó)市場(chǎng)占有率達(dá)36.2%;2019年度公司功率二極管產(chǎn)品的全球市場(chǎng)占有率為2.6%,其中中國(guó)市場(chǎng)占有率達(dá)7.5%。

瑞能半導(dǎo)提供的功率半導(dǎo)體器件組合已應(yīng)用至眾多全球知名客戶。以家電為代表的消費(fèi)電子領(lǐng)域用戶包括惠而浦、伊萊克斯、惠普、海爾、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飛利浦、松下、戴爾等;以通信電源為代表的工業(yè)制造領(lǐng)域用戶包括臺(tái)達(dá)、ABB、施耐德、霍尼韋爾、通用電氣、科士達(dá)、英威騰、麥格米特、光寶、偉創(chuàng)力、立維騰等;新能源及汽車領(lǐng)域用戶包括海拉電子、特銳德、上能電氣、中恒電氣、博世、NAPINO、HERO、TVSMotor等。

獲華為青睞

2017年至2020年第一季度,瑞能半導(dǎo)分別實(shí)現(xiàn)銷售收入為61,854.81萬(wàn)元、66,687.15萬(wàn)元、58,790.12萬(wàn)元和14,044.25萬(wàn)元,凈利潤(rùn)為8,775.98萬(wàn)元、9,493.04萬(wàn)元、8,610.88萬(wàn)元和1,898.70萬(wàn)元。

瑞能半導(dǎo)表示,公司2019年?duì)I業(yè)收入為58,790.12萬(wàn)元,同比下滑11.84%,2019年凈利潤(rùn)為8,610.88萬(wàn)元,同比下滑9.29%。公司營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)下滑主要系受到半導(dǎo)體景氣度進(jìn)入周期底部的影響。

報(bào)告期內(nèi),瑞能半導(dǎo)的主要客戶包括華為以及ArrowElectronics,Inc.(艾睿電子)、Avnet,Inc.(安富利)、WPGHoldingsLimited(大聯(lián)大)等經(jīng)銷商。

2017年度至2019年度,瑞能半導(dǎo)研發(fā)投入分別為2,450.96萬(wàn)元、2,363.82萬(wàn)元和3,214.54萬(wàn)元,累計(jì)8,029.32萬(wàn)元。

截至本招股說(shuō)明書簽署日,瑞能半導(dǎo)及其子公司持有境內(nèi)專利共22項(xiàng),其中發(fā)明專利5項(xiàng)、實(shí)用新型專利17項(xiàng),境外專利4項(xiàng)。

積極研發(fā)MOSFET、IGBT、碳化硅等功率半導(dǎo)體器件

招股書披露,瑞能半導(dǎo)本次擬向社會(huì)公開發(fā)行股票不超過(guò)3,010萬(wàn)股,占發(fā)行后總股本不低于25.00%,募集資金用于公司主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的項(xiàng)目。

C-MOS/IGBT-IPM產(chǎn)品平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目圍繞功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,規(guī)劃建設(shè)硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件產(chǎn)品平臺(tái)。本項(xiàng)目實(shí)施后,產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、新能源光伏、工業(yè)制造、工業(yè)制造、通信電源等領(lǐng)域。

南昌實(shí)驗(yàn)室擴(kuò)容項(xiàng)目在瑞能半導(dǎo)現(xiàn)有南昌實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)容建設(shè),通過(guò)增加可靠性測(cè)試和失效性分析相關(guān)的檢測(cè)分析設(shè)備投入,優(yōu)化實(shí)驗(yàn)環(huán)境,提升測(cè)試與分析的能力和效率,從而進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量、吸引高端人才,促進(jìn)業(yè)務(wù)高質(zhì)量發(fā)展。

研發(fā)中心新建項(xiàng)目依托公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì),布局碳化硅功率器件等功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的新技術(shù)領(lǐng)域,通過(guò)引進(jìn)高技術(shù)人才、增加與外部機(jī)構(gòu)研發(fā)合作等方式,進(jìn)一步加強(qiáng)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)平臺(tái)的實(shí)力,以保持公司產(chǎn)品在核心技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)地位,為公司業(yè)務(wù)中長(zhǎng)期的可持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

此外,瑞能半導(dǎo)擬使用30,000萬(wàn)元募集資金,用于發(fā)展與科技儲(chǔ)備資金。本次發(fā)展與科技儲(chǔ)備資金將結(jié)合公司的經(jīng)營(yíng)需要和戰(zhàn)略規(guī)劃的資金需求,以提升公司的競(jìng)爭(zhēng)力。

瑞能半導(dǎo)表示,公司將進(jìn)一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發(fā),開展新一代碳化硅半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā),積極推進(jìn)以MOSFET和IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:國(guó)內(nèi)第一、全球第二的晶閘管廠商瑞能半導(dǎo)科創(chuàng)板IPO獲受理

文章出處:【微信號(hào):gh_eb0fee55925b,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體投資聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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